【技术实现步骤摘要】
一种改良型DFN引线框架
[0001]本技术涉及半导体焊接
,特别是一种改良型DFN引线框架。
技术介绍
[0002]现有的DFN5060引线框架在芯片焊接完成后,采用环氧树脂进行包封,在使用环氧树脂包封的过程中,由于引线框架为平面结构,引线框架的气密性不好,容易吸收空气中的潮气和湿气,与环氧树脂的结合力偏低,容易产生气孔和分层,影响环氧树脂封装后产品的可靠性,降低了产品的合格率和品质。
技术实现思路
[0003]本技术需要解决的技术问题是提供一种改良型DFN引线框架,增大引线框架与环氧树脂的接触面积,提高产品气密性。
[0004]为解决上述技术问题,本技术所采取的技术方案如下。
[0005]一种改良型DFN引线框架,包括框架,所述框架上设置有若干个用于焊接芯片的封装单元,封装单元内设置有用于定位芯片的芯片槽,芯片槽的上下两侧分别相对设置有4个用于焊接芯片的引脚;所述引脚的前端分别开设有两个对称凹型的圆弧;位于芯片槽左右两侧的框架上分别开设有用于排出包封环氧树脂时产生气体的凹槽。
[0006]上述一种改良型DFN引线框架,每排封装单元上相邻芯片槽之间的凹槽相互连通。
[0007]上述一种改良型DFN引线框架,所述框架的边沿开设有若干个用于对框架进行定位的定位孔。
[0008]由于采用了以上技术方案,本技术所取得技术进步如下。
[0009]本技术在引脚的前端开设两个对称凹型的圆弧,增加了引线框架与环氧树脂的接触面积,从而增加了引线框架与环氧树脂的结合 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改良型DFN引线框架,包括框架(1),其特征在于:所述框架(1)上设置有若干个用于焊接芯片的封装单元(2),封装单元(2)内设置有用于定位芯片的芯片槽(4),芯片槽(4)的上下两侧分别相对设置有4个用于焊接芯片的引脚(5);所述引脚(5)的前端分别开设有两个对称凹型的圆弧(6);位于芯片槽(4)左右两侧的框架(1)上分别开设有用于排出包封环氧树脂时产生气体的凹槽(7)。2.根据权利要求1所述的一种改良...
【专利技术属性】
技术研发人员:方敏清,
申请(专利权)人:强茂电子无锡有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。