【技术实现步骤摘要】
新型TVS晶粒结构
[0001]本技术涉及晶圆制造
，具体涉及一种新型TVS晶粒结构。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]晶圆是TVS管的核心部分，晶粒是晶圆上的结构单位，其品质对芯片性能具有直接影响。现有技术中，常规晶粒结构难以满足单片大电流TVS的要求，因而在使用过程中故障率相对较高，运行稳定性较差。在这种情况下，如何开发更优的率相结构，成为本领域中有待解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]本技术旨在针对现有技术的技术缺陷，提供一种新型TVS晶粒结构，以解决常规晶粒结构性能有待改善的技术问题。
[0005]为实现以上技术目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]新型TVS晶粒结构，包括基础层，环形体，槽体，凸出体，次顶层，顶层，翼环，其中，在基础层的上端外部具有环形体，在基础层上端、位于环形体内部的位置具有槽体，在基础层上端、位于槽体中部的位置具有凸出体，在凸出体的顶端具有次顶层，在次顶层的顶端具有顶层，在凸出体、次顶层、顶层的外周环绕有翼环。
[0007]作为优选，凸出体的顶面高于环形体的顶面。
[0008]作为优选，翼环倾斜向上。
[0009]本技术提供了一种新型TVS晶粒结构。该技术方案摒弃了全封闭式的晶粒结构，对晶粒的内部构造进行了集中改进。通过构...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.新型TVS晶粒结构，其特征在于包括基础层(1)，环形体(2)，槽体(3)，凸出体(4)，次顶层(5)，顶层(6)，翼环(7)，其中，在基础层(1)的上端外部具有环形体(2)，在基础层(1)上端、位于环形体(2)内部的位置具有槽体(3)，在基础层(1)上端、位于槽体(3)中部的位置具有凸出体(4)，在凸出体(4...
【专利技术属性】
技术研发人员：方廷宇，游礼仲，许忠信，袁斌，路珊珊，张辉，苏方召，
申请(专利权)人：山东强茂电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。