微调电阻器及其制造方法技术

文中描述了一种应用于微调方法的电阻器（下称微调电阻器），制造该微调电阻器的方法和使用该微调电阻器的电路基片。

【技术实现步骤摘要】

文中描述的是一种对其应用了微调方法的电阻器(下文中亦称为微调电阻器)。更具体地，本专利技术涉及微调电阻器、制造该微调电阻器的方法和使用该微调电阻器的电路基片。
技术介绍
在微调电阻器中，一种微调方法(电阻值调节)被应用于形成在电路基片上的电阻器，而一个含有一对电极的电阻器元件被连接至所述电阻器两端。通常，将微调电阻器装配到电路基片上，是为了适当地运行该电路基片。微调电阻器是通过在电阻器制造工艺之后对未微调的电阻器的电阻值进行调节的方式在电路基片上形成的。例如，可通过激光微调形成微调电阻器。激光微调通过使用激光除去部分的电阻器来提高电阻值，从而将电阻调节到所需的电阻值。但是，当进行激光调节时，难以仅仅只除去电路基片上的电阻器部分，一部分基片可能也会随着电阻器被除去。因此，基片有可能被激光所损坏，电路基片上器件的可靠性将下降。特别地，如果电路基片使用的是聚合物类有机层状结构，则基片的耐热性不高，基片很可能因为激光的辐射热量而受到损坏。而且，当使用有机层状结构时，基片的热膨胀系数(CTE)比电阻器的CTE高很多。因此，一旦电阻器由于激光而产生裂纹时，之后温度的变化可能会增加裂化的程度。在此情况下，电阻器的电阻值会迅速增加，不大可能获得目标电阻值。这会导致断路。鉴于此种情况，已经开发了各种各样不损害基片且不使用激光的形成微调电阻器的方法。例如，在JP H 05 -13206中，描述了一种将微调组合物铺展在电阻器上的方法。该公开文献的图1显示了在基片上形成若干导电垫、通过用微调组合物如导电糊料将导电垫连接起来来调节电阻值的方法。JPH05 -13206中的图2显示了在基片上形成电阻器、通过将电阻值低于该电阻器的诸如导电糊料之类的微调组合物铺展到该电阻器上来调节电阻值的方法。图中用一种分配器作为铺展导电糊料的装置。在图1所述的方法中，要求有特殊的垫图案用于微调。因此，半导体电路的面积增加，制造方法可能变得复杂。在图2所述的方法中，当使用导电糊料进行铺展时，铺展部分的一端位于电阻器上。在图2中，导电糊料的铺展位置偏移，电阻值可能偏离期望的电阻值。可以高度精确地获得所希望的电阻值的微调电阻器是所需的改进。
技术实现思路
本专利技术的一个方面涉及一种微调电阻器，其包括设置在电路基片上的电阻体；设置在电阻体上的微调部，所述微调部从电阻体的两端延伸出，跨越电阻体中电流的方向。本专利技术的另一个方面涉及制造微调电阻器的方法，所述方法包括以下步骤制备一个置于电路基片上的电阻体；施涂微调组合物，使得通过固化微调组合物形成一个可对应于电流流动方向从电阻体的两端伸出的微调部，微调部的电导率与电阻器的电导率不同、并且跨越电阻体中的电流方向。在上述方法中，可使用分配器、喷墨设备或通过手工施涂来铺展微调组合物。在一个实施方式中，施涂和铺展微调组合物的步骤通过使用喷墨设备进行。本专利技术的另一个方面涉及配备有上述微调电阻器的电路基片。附图说明图1显示一电路，其中本专利技术的微调电阻器在基片上形成，(A)是显示下侧型电路(side down type circuit)的侧面图，(B)是它的俯视图，(C)是显示上侧型电路(side up type circuit)的侧面图，(D)是它的俯视图。图2依次解释图1(A)和(B)的下侧型电路的制造方法。图3依次解释图1(C)和(D)的上侧型电路的制造方法。图4依次解释使用图2(E)所示的下侧型电路的电路基片的制造方法。图5依次解释使用图3(C)所示的上侧型电路的电路基片的制造方法。具体实施例方式本专利技术涉及一种微调电阻器，其中，电导率与电阻器不同的微调组合物按照指定的图案铺展在电阻器的表面上。特别地，本专利技术的微调电阻器是制造方法得以简化、可以高度精确地得到所期望的电阻值的微调电阻器。在本专利技术的微调电阻器中，通过微调组合物的特定铺展进行一次性微调，高度精确地得到所期望的电阻值的概率得到提高。但是，本专利技术不排除重调电阻值，如果需要的话，重调或微调也可以进行两次或更多次。所有导电油墨皆可应用于微调组合物。微调组合物的电导率可与微调组合物施涂在其上的电阻器的电导率相同。微调组合物的电导率可以高于或低于电阻器的电导率。微调组合物的电导率与通过微调改变的电阻值的数量有关。如果微调组合物的电阻值低，则通过微调改变的电阻值的数量增加。对于更高精度的微调，也可以使用高电阻值的微调组合物来降低改变的数量。通过选择适合使改变的电阻值达到必需量的微调组合物可以实现高效的微调。在此情况下，微调组合物的电导率与电阻器的相同，同样的微调组合物可用于电阻器和微调电阻器。这样可以降低生产成本。本专利技术的微调电阻器可由形成在电路基片上的电阻器和形成在上述电阻器上的微调部组成，其中所述微调部延伸到上述电阻器的两侧之外，跨越上述电阻器的电流方向，并且该微调部的电导率与上述电阻器的电导率不同。在图中，10是半固化片(prepreg)，11是电阻器，12是电极，13是微调部。在图1所示的两种电路基片中，半固化片10是用作形成电路元件如微调电阻器的基底的基片。电阻器11是下侧型(图1(A))或上侧型(图1(C))元件。电极12是设置在半固化片10上且与电阻器11局部连接的一对电极。微调部13是铺展在电阻器11上用于调节电阻值的元件。在本专利技术中，微调部13对应于电阻器11中的电流流动方向延伸到电阻器11的两侧之外。这里，“电流流动方向”是指连接电极12的方向。术语“跨越电流流动方向的电阻器的两侧”是指组成电阻器的外边界的电极连接方向的边界。如图1(B)和1(D)所示，微调部13的两端14和15延伸到电阻器11之外。在本专利技术的微调电阻器中，即使电阻器11上的微调部13的铺展位置随着电流方向移动，电阻器值也不会偏离目标电阻值。例如，即使图1的微调部13的形成位置偏移到电极12的一侧，电阻器11上的微调部13的面积没有变化。而且，即使图1的微调部13的形成位置以与电流流动方向垂直的方向偏移，因为微调部13的端部14和15伸出，电阻器11上的微调部13的面积也没有变化。因此，在本专利技术中，即使微调组合物的铺展偏移，仍然可以实现有效的微调。微调组合物铺展的自由度较高，可以实现有效的可加工性，甚至不需要使用高精确铺展控制。微调部13的形状没有具体限制。根据电路基片的设计，优选的是具有图1所示椭圆形的微调部13，但是，如果椭圆形微调部是困难的，则可以使用平行四边形的微调电阻器，或使用具有圆角形状的椭圆微调电阻器。基片可以是使用氧化铝或氮化铝的陶瓷类基片，可以使用塑料材料的有机层状结构。但是，基片不限于这些材料，任何能够支撑电阻器和电极的材料都可以用于形成本专利技术的微调电阻器。因为有机层状结构会由于受热而损坏，因此在温度较高的激光微调中难以使用这种材料。但是，如果将微调组合物铺展在电阻器上，则可以使用有机层状结构。如果使用有机层状结构作为基片，则基片的CTE比电阻器的CTE大得多。因此，一旦基片上出现裂纹，之后的温度变化会导致电阻值升高，可能导致断路。如果有机层状结构用作基片，因为CTE较大，则基片的尺寸不是确定的，微调组合物的铺展位置可能偏移。考虑到有机层状结构的这些性质，本专利技术特别适用于当基片是有机层状结构的情况。形成电阻器是为了控制电路中的电阻值。电阻器的组成没有特别限本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微调电阻器，其包括：　　　　设置在电路基片上的电阻体；和　　　　设置在电阻体上的微调部，所述微调部从电阻体的两端伸出，并跨越电阻体中电流的方向。

【技术特征摘要】
US 2005-10-7 60/724,417;US 2006-8-29 11/511,5441.一种微调电阻器，其包括设置在电路基片上的电阻体；和设置在电阻体上的微调部，所述微调部从电阻体的两端伸出，并跨越电阻体中电流的方向。2.如权利要求1所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的电导率与所述电阻器的电导率相同。3.如权利要求1所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的电导率与所述电阻器的电导率不同。4.如权利要求3所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的电导率低于所述电阻体的电导率。5.如权利要求3所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的电导率高于所述电阻体的电导率。6.如权利要求1所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的形状为矩形。7.一种生产微调电阻器的方法，其包括以下步骤制备设置在电路基片上的电阻体；和施涂微调组合物，使得通过固化微调组合物形成的微调部可以从电阻体的两端伸出，并跨越电阻体中电流的方向。8.如权利要求6所述的生产微调电阻器的方法，其特征在于，所述微调部的电导率与所述电阻器的电导率相同。9.如权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元英树，
申请(专利权)人：EI内穆尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]