转移基板、转移方法及发光基板技术

本发明专利技术涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种转移基板及转移方法，还涉及一种发光基板。转移基板包括第一基板、解离胶单元和待转移元件，解离胶单元阵列排布在第一基板的同一侧；待转移元件通过解离胶单元粘贴在第一基板上；解离胶单元被配置为被目标光线照射后发生解离，使得待转移元件脱离第一基板而坠落，解离胶单元在第一基板上的正投影完全位于目标光线在第一基板上所形成的光斑内。可以实现通过对单个待转移元件的单次照射即可完成解离胶单元的解离，提升了待转移元件的掉落精度，使得待转移元件坠落后的位置可控。使得待转移元件坠落后的位置可控。使得待转移元件坠落后的位置可控。

【技术实现步骤摘要】
转移基板、转移方法及发光基板


[0001]本专利技术涉及显示设备
，具体而言，涉及一种转移基板及转移方法，还涉及一种发光基板。

技术介绍

[0002]目前，更小尺寸的微型发光二极管可以使得高分辨率更容易实现，比如可以获得4K甚至8K分辨率的智能手机或虚拟现实屏幕。微型发光二极管除了拥有上述优点之外，还在对比度、色域和柔性显示屏领域拥有更大的优势，这些都让微型发光二极管技术再与OLED技术相比时具有显著的优势。
[0003]然而，微型发光二极管包括Micro LED或Mini LED。Mini LED的尺寸维度在200μm左右，Micro LED的尺寸维度在100μm以下，目前现有的激光光斑尺寸范围一般介于10
‑
50μm之间，在微型发光二极管以及迷你发光二极管的面板产品的激光巨量解离工艺中，当具有小尺寸的光斑对发光二极管对应的大尺寸解离胶进行解离时，存在对单个发光二极管多次照射的情况，此种情况影响发光二极管的坠落位置精度，造成发光二极管坠落后位置不可控。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种转移基板及转移方法，还提供了一种通过该转移方法获得的发光基板，以解决现有技术中存在的在激光巨量解离工艺中，微型发光二极管坠落后位置不可控的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，根据专利技术实施例的一个方面，提供了一种转移基板。
[0006]本专利技术实施例提供的转移基板包括：
[0007]第一基板；
[0008]解离胶单元，阵列排布在所述第一基板的同一侧；
[0009]待转移元件，所述待转移元件通过所述解离胶单元粘贴在所述第一基板上；
[0010]其中，所述解离胶单元被配置为被目标光线照射后发生解离，使得所述待转移元件脱离所述第一基板，所述解离胶单元在所述第一基板上的正投影位于所述目标光线在所述第一基板上所形成的光斑内。
[0011]进一步地，在本专利技术实施例提供的转移基板中，所述解离胶单元的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。
[0012]进一步地，在本专利技术实施例提供的转移基板中，所述解离胶单元的厚度为1
‑
3μm。
[0013]进一步地，在本专利技术实施例提供的转移基板中，每个所述解离胶单元包括一个解离胶块，所述解离胶块的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。
[0014]进一步地，在本专利技术实施例提供的微型发光二极管的转移基板中，每个所述解离胶单元包括多个解离胶块，多个所述解离胶块整体的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。
[0015]进一步地，在本专利技术实施例提供的转移基板中，所述解离胶块的形状为圆柱形、圆台形、棱柱形或棱台形。
[0016]进一步地，在本专利技术实施例提供的转移基板中，所述目标光线为紫外激光。
[0017]为了实现上述目的，根据专利技术实施例的第二个方面，还提供了一种转移方法，其采用本专利技术实施例第一方面所提供转移基板实现。
[0018]根据本专利技术实施例的转移方法包括：
[0019]提供一第一基板；
[0020]在所述第一基板的同一侧形成阵列排布的解离胶单元；
[0021]将待转移元件设置在所述解离胶单元上；
[0022]在所述第一基板远离所述解离胶单元的一侧提供目标光线，所述目标光线穿过所述第一基板照射到所述解离胶单元上，以使得所述待转移元件脱离所述第一基板转移至第二基板。
[0023]进一步地，在本专利技术实施例提供的转移方法中，在所述第一基板的同一侧形成阵列排布的解离胶单元的步骤包括：
[0024]在所述第一基板的一侧形成解离胶层；
[0025]将所述解离胶层进行图案化处理，得到阵列排布的所述解离胶单元。
[0026]进一步地，在本专利技术实施例提供的转移方法中，在所述将待转移元件设置在所述解离胶单元上的步骤中，控制所述待转移元件的几何中心正对所述解离胶单元的几何中心，且对位误差不大于0.6μm。
[0027]为了实现上述目的，根据专利技术实施例的第三个方面，还提供了一种发光基板，该发光基板通过本专利技术实施例第二方面所提供的转移方法制备而得。
[0028]根据本专利技术实施例的发光基板包括：
[0029]第二基板；以及
[0030]发光二极管，设置在所述第二基板上，所述发光二极管表面的中部区域形成有残胶。
[0031]采用本专利技术实施例提供的转移基板及转移方法中，通过对解离胶单元的投影尺寸进行控制，将解离胶单元制作为可以被目标光线的光斑覆盖的大小，可以实现通过对单个发光二极管的单次照射即可完成解离胶单元的解离，提升了发光二极管的掉落精度，使得发光二极管坠落后的位置可控。
附图说明
[0032]构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0033]图1为本专利技术实施例提供的第一种转移基板的结构剖视图；
[0034]图2为图1所示的转移基板的工作过程示意图；
[0035]图3为本专利技术实施例提供的第二种转移基板上解离胶单元的布置示意图；
[0036]图4为图3中的A
‑
A
′
剖视图；
[0037]图5为本专利技术实施例提供的第二种转移基板上微型发光二极管的布置示意图；
[0038]图6为图5中的B
‑
B
′
剖视图；
[0039]图7为本专利技术实施例提供的第三种转移基板上解离胶单元的布置示意图；
[0040]图8为本专利技术实施例提供的一种发光基板的平面布置俯视图；以及
[0041]图9为图8中的C
‑
C
′
剖视图。
[0042]图中：
[0043]100、第一基板；
[0044]200、解离胶层；
[0045]300、微型发光二极管；
[0046]400、预设位置；
[0047]500、激光；
[0048]600、解离胶单元；601、解离胶块；
[0049]700、第二基板；
[0050]800、残胶。
具体实施方式
[0051]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0052]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列单元的系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些单元，而是可包括没有清楚地列出的或对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转移基板，其特征在于，包括：第一基板；解离胶单元，阵列排布在所述第一基板的同一侧；待转移元件，所述待转移元件通过所述解离胶单元粘贴在所述第一基板上；其中，所述解离胶单元被配置为被目标光线照射后发生解离，使得所述待转移元件脱离所述第一基板，所述解离胶单元在所述第一基板上的正投影位于所述目标光线在所述第一基板上所形成的光斑内。2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述解离胶单元的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。3.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述解离胶单元的厚度为1
‑
3μm。4.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，每个所述解离胶单元包括一个解离胶块，所述解离胶块的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。5.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，每个所述解离胶单元包括多个解离胶块，多个所述解离胶块整体的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。6.根据权利要求4或5所述的转移基板，其特征在于，所述解离胶块的形状为圆柱形、圆台形、棱柱形或棱台形。7.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述目标光线为紫外激光。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，董学，袁广才，谷新，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：