AMOLED显示屏制造方法及结构技术

本发明专利技术的一种AMOLED显示屏制造方法及结构，其通过在基板上加工形成有源层、栅极层、源漏极层、阳极层及像素定义层，有源层与栅极层、栅极层与源漏极层及源漏极层和阳极层之间均用绝缘层绝缘隔离，并在对应的电气连接位置的绝缘层内加工形成第一过孔层和第二过孔层，精简工艺制程步骤，在保证AMOLED显示屏基本器件的情况下减少一层膜层结构，即精简化了AMOLED显示屏的层级结构，有效地降低原材料的损耗，提高了产能，降低AMOLED显示屏的整体制造成本；此外，由于精简了工艺制程步骤，通过简化工序来降低制造AMOLED显示屏的不良品率。序来降低制造AMOLED显示屏的不良品率。序来降低制造AMOLED显示屏的不良品率。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED显示屏制造方法及结构


[0001]本专利技术涉及OLED显示屏制造
，特别是涉及一种AMOLED显示屏制造方法及结构。

技术介绍

[0002]随着显示屏技术的不断推陈出新，AMOLED显示屏产品已经被广泛应用于各行各业，其良好的性能被众多消费者及电子设备制造商所认可。
[0003]如图1所示现有技术中AMOLED显示屏30的内部结构示意图，AMOLED显示屏30从下往上依次是半导体层31、栅极层32、存储电容层33、源漏极层34、阳极层35及像素定义层36，相邻两层层级间均有绝缘层37，通过在层级间的绝缘层37对应位置处开设过孔形成第一过孔连接层38和第二过孔连接层39，使得半导体层31能够与源漏极层34电气连接，存储电容层33能够与源漏极层34电气连接，阳极层35能够与源漏极层34电气连接。由于现有技术中制造上述AMOLED显示屏30的工艺流程复杂，消耗材料种类繁多，导致AMOLED显示屏的制造成本大幅度提高；此外，由于涉及到众多工序方可完成生产，期间会大大AMOLED显示屏的增加不良品率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种精简工艺制程步骤的，降低原材料损耗的，提高产能以及良品率的AMOLED显示屏制造方法及结构。
[0005]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0006]本申请的第一方面提供了一种AMOLED显示屏制造方法，包括：
[0007]从下往上在基板上加工形成有源层、栅极层、源漏极层、阳极层及像素定义层，所述有源层与所述栅极层、所述栅极层与所述源漏极层及所述源漏极层和所述阳极层之间均用绝缘层绝缘隔离；
[0008]确认所述源漏极层分别与所述有源层和所述栅极层的连接通道，在所述连接通道对应的所述绝缘层内加工形成第一过孔层，使得所述源漏极层能够分别与所述有源层和所述栅极层电连接；
[0009]确认所述阳极层与所述源漏极层的阳极通道，在所述阳极通道对应的所述绝缘层内加工形成第二过孔层，使得所述阳极层能够与所述源漏极层电连接。
[0010]优选的，该方法的具体操作为：
[0011]采用光影刻蚀法对所述基板进行图形化处理，形成所述有源层；
[0012]对所述有源层的上方沉积，以使所述有源层的上方形成第一绝缘层；
[0013]对所述第一绝缘层的上方沉积，以使所述第一绝缘层的上方形成金属膜层，并采用光影刻蚀法对所述第一绝缘层的上方的金属膜层进行图形化处理，得到所述栅极层；
[0014]对所述栅极层的上方沉积，以使所述栅极层的上方形成第二绝缘层；
[0015]采用光影刻蚀法对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层进行图形化处理，以使所述
第一绝缘层和所述第二绝缘层内加工形成所述第一过孔层；
[0016]对所述第一过孔层的上方沉积，以使所述第一过孔层的上方形成金属膜层，并采用光影刻蚀法对所述第一过孔层的上方的金属膜层进行图形化处理，得到所述源漏极层，所述源漏极层通过所述第一过孔层分别与所述有源层和所述栅极层电连接；
[0017]对所述源漏极层的上方沉积，以使所述源漏极层的上方形成第三绝缘层，并采用光影刻蚀法对所述第三绝缘层进行图形化处理，以使所述第三绝缘层内形成第二过孔层；
[0018]对所述第二过孔层的上方沉积，以使所述第二过孔层的上方形成金属膜层，并采用光影刻蚀法对所述第二过孔层的上方的金属膜层进行图形化处理，得到所述阳极层，所述阳极层通过所述第二过孔层与所述源漏极层电连接；
[0019]对所述阳极层的上方沉积，以使所述阳极层的上方形成金属膜层，并采用光影刻蚀法对阳极层的上方的金属膜层进行图形化处理，得到所述像素定义层。
[0020]优选的，在所述基板上加工形成所述有源层前，在所述基板上加工依次形成缓冲层和半导体层，采用光影刻蚀法对所述半导体层进行图形化处理，形成所述有源层。
[0021]本申请的第二方面提供了一种AMOLED显示屏结构，包括基板，还包括在所述基板上从下往上的有源层、栅极层、源漏极层、阳极层及像素定义层，所述有源层与所述栅极层、所述栅极层与所述源漏极层及所述源漏极层和所述阳极层之间均用绝缘层绝缘隔离；
[0022]所述源漏极层分别与所述有源层和所述栅极层电连接，在所述源漏极层分别与所述有源层和所述栅极层电连接对应的所述绝缘层内设置有第一过孔层；
[0023]所述阳极层能够与所述源漏极层电连接，在所述阳极层能够与所述源漏极层电连接对应的所述绝缘层内设置有第二过孔层。
[0024]优选的，所述绝缘层具体分为第一绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层，所述第一绝缘层位于所述有源层和所述栅极层之间，所述第二绝缘层位于所述栅极层和所述源漏极层之间，所述第三绝缘层位于所述源漏极层和所述阳极层之间，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层内均设置有所述第一过孔层，所述第三绝缘层内设置有第二过孔层。
[0025]优选的，所述基板上设置有缓冲层和半导体层，所述半导体层设置于所述缓冲层上，所述有源层设置于所述半导体层上。
[0026]优选的，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的厚度范围均为300埃～10微米。
[0027]本专利技术相比于现有技术的优点及有益效果如下：
[0028]采用本申请方法制造出来的AMOLED显示屏，精简工艺制程步骤，在保证AMOLED显示屏基本器件的情况下减少一层膜层结构，即精简化了AMOLED显示屏的层级结构，有效地降低原材料的损耗，提高了产能，降低AMOLED显示屏的整体制造成本；此外，由于精简了工艺制程步骤，通过简化工序来降低制造AMOLED显示屏的不良品率。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0030]图1为现有技术中AMOLED显示屏的结构示意图；
[0031]图2为本专利技术的一实施方式中的AMOLED显示屏制造方法的步骤流程示意图；
[0032]图3为本专利技术的一实施方式中的AMOLED显示屏制造方法的具体步骤流程示意图；
[0033]图4为采用本专利技术方法制造出来的顶栅结构的AMOLED显示屏的结构示意图；
[0034]图5为采用本专利技术方法制造出来的底栅结构的AMOLED显示屏的结构示意图。
具体实施方式
[0035]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。
[0036]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED显示屏制造方法，其特征在于，包括：从下往上在基板上加工形成有源层、栅极层、源漏极层、阳极层及像素定义层，所述有源层与所述栅极层、所述栅极层与所述源漏极层及所述源漏极层和所述阳极层之间均用绝缘层绝缘隔离；确认所述源漏极层分别与所述有源层和所述栅极层的连接通道，在所述连接通道对应的所述绝缘层内加工形成第一过孔层，使得所述源漏极层能够分别与所述有源层和所述栅极层电连接；确认所述阳极层与所述源漏极层的阳极通道，在所述阳极通道对应的所述绝缘层内加工形成第二过孔层，使得所述阳极层能够与所述源漏极层电连接。2.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏制造方法，其特征在于，该方法的具体操作为：采用光影刻蚀法对所述基板进行图形化处理，形成所述有源层；对所述有源层的上方沉积，以使所述有源层的上方形成第一绝缘层；对所述第一绝缘层的上方沉积，以使述第一绝缘层的上方形成金属膜层，并采用光影刻蚀法对所述第一绝缘层的上方的金属膜层进行图形化处理，得到所述栅极层；对所述栅极层的上方沉积，以使所述栅极层的上方形成第二绝缘层；采用光影刻蚀法对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层进行图形化处理，以使所述第一绝缘层和所述第二绝缘层内加工形成所述第一过孔层；对所述第一过孔层的上方沉积，以使所述第一过孔层的上方形成金属膜层，并采用光影刻蚀法对所述第一过孔层的上方的金属膜层进行图形化处理，得到所述源漏极层，所述源漏极层通过所述第一过孔层分别与所述有源层和所述栅极层电连接；对所述源漏极层的上方沉积，以使所述源漏极层的上方形成第三绝缘层，并采用光影刻蚀法对所述第三绝缘层进行图形化处理，以使所述第三绝缘层内形成第二过孔层；对所述第二过孔层的上方沉积，以使所述第二过孔层的上方形成金属膜层，并采用光影刻蚀法对所述第二过孔层的上方的金属膜层进行图形化处理，...

【专利技术属性】
技术研发人员：安北燕，罗锦钊，段学玲，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：