微小化平面变压器制造技术

本发明专利技术涉及微小化平面变压器，包括：电路板和磁芯组件；电路板上设置有第一绕组和第二绕组；第一绕组包括多层同心设置的第一导线圈，内外相邻的两层第一导线圈之间设置有第一沟道，第一沟道内填充第一屏蔽层，各第一导线圈的表面设置有第二屏蔽层，第二屏蔽层的两侧分别与相邻的两个第一屏蔽层连接；第二绕组包括多层同心设置的第二导线圈，内外相邻的两层第二导线圈之间设置有第二沟道，第二沟道内填充第三屏蔽层，各第二导线圈的表面设置有第四屏蔽层，第三屏蔽层的两侧分别与相邻的两个第四屏蔽层连接。通过在绕组的导线圈之间设置屏蔽层，减小了绕组间的寄生电容，减小了寄生电容对变压器的工作的干扰，避免影响平面变压器的性能。的性能。的性能。

【技术实现步骤摘要】
微小化平面变压器


[0001]本专利技术涉及变压器
，特别是涉及一种微小化平面变压器。

技术介绍

[0002]随着信息技术的不断发展，移动终端及其配件也随之朝着小型化、便捷化的方向发展。
[0003]为了使得移动终端的电源适配器的体积减小，电源适配器的变压器可采用平面变压器。随着技术的不断进步，要求的不断提高，平面变压器也朝着更微小化的方向发展。
[0004]然而，微小化后的平面变压器由于电路板的面积减小，导致电路板上的线路和绕组之间的间隔也减小，电路板上的电路之间、线路与绕组之间产生的寄生电容也随之增大，尤其是绕组的导线之间的寄生电容对变压器的正常工作干扰很大，影响了平面变压器的性能。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要提供一种微小化平面变压器。
[0006]一种微小化平面变压器，包括：电路板和磁芯组件；所述电路板上设置有第一通孔和第二通孔，所述电路板上设置有第一绕组和第二绕组，所述第一绕组绕所述第一通孔设置，所述第二绕组绕所述第二通孔设置；所述磁芯组件包括第一磁芯和第二磁芯，所述第一磁芯设置于所述电路板的一侧，所述第二磁芯设置于所述电路板的另一侧，所述第一磁芯的第一端穿过所述第一通孔与所述第二磁芯的第一端连接，所述第一磁芯的第二端穿过所述第二通孔与所述第二磁芯的第二端连接；所述第一绕组包括多层同心设置的第一导线圈，内外相邻的两层第一导线圈之间设置有第一沟道，所述第一沟道内填充第一屏蔽层，各所述第一导线圈的表面设置有第二屏蔽层，所述第二屏蔽层的两侧分别与相邻的两个第一屏蔽层连接；所述第二绕组包括多层同心设置的第二导线圈，内外相邻的两层第二导线圈之间设置有第二沟道，所述第二沟道内填充第三屏蔽层，各所述第二导线圈的表面设置有第四屏蔽层，所述第三屏蔽层的两侧分别与相邻的两个第四屏蔽层连接。
[0007]在一个实施例中，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层一体连接。
[0008]在一个实施例中，所述第三屏蔽层与所述第四屏蔽层一体连接。
[0009]在一个实施例中，所述第二屏蔽层的厚度为30μm至50μm。
[0010]在一个实施例中，所述第四屏蔽层的厚度为30μm至50μm。
[0011]在一个实施例中，所述第一沟道的宽度为0.8mm至1mm。
[0012]在一个实施例中，所述第二沟道的宽度为0.8mm至1mm。
[0013]在一个实施例中，其特征在于，所述第一沟道的深度为40μm至55μm，所述第二沟道的深度为40μm至55μm。
[0014]在一个实施例中，所述电路板包括第一电路子板和第二电路子板，所述第一电路子板与所述第二电路子板连接，所述第一电路子板开设有多个第一过孔，所述第一导线圈包括第一奇数导线圈和第一偶数导线圈，所述第一奇数导线圈设置于所述第一电路子板上，所述第一偶数导线圈设置于所述第二电路子板上，相邻的两个第一奇数导线圈通过所述第一过孔与位于相邻的两个第一奇数导线圈之间的第一偶数导线圈连接，所述第一沟道开设于所述第一电路子板上，各所述第二屏蔽层位于各所述第一奇数导线圈的表面。
[0015]在一个实施例中，所述第二导线圈包括第二奇数导线圈和第二偶数导线圈，所述第二奇数导线圈设置于所述第一电路子板上，所述第二偶数导线圈设置于所述第二电路子板上，相邻的两个第二奇数导线圈通过第二过孔与位于相邻的两个第二奇数导线圈之间的第二偶数导线圈连接，所述第二沟道开设于所述第二电路子板上，各所述第四屏蔽层位于各所述第二奇数导线圈的表面。
[0016]本专利技术的有益效果是：通过在绕组的导线圈之间设置屏蔽层，并且通过屏蔽层将导线圈覆盖，从而使得相邻的导线圈之间得到进一步阻隔，此外，还能够对两个绕组之间进行阻隔，从而有效减小了绕组的导线圈之间的寄生电容，减小了绕组间的寄生电容，减小了寄生电容对变压器的工作的干扰，避免影响平面变压器的性能。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0018]图1为一实施例的微小化平面变压器的剖面结构示意图；图2为图1中A处局部放大结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]如图1至图2所示，其为本专利技术一实施例的微小化平面变压器10，包括：电路板100和磁芯组件200；所述电路板100上设置有第一通孔101和第二通孔102，所述电路板100上设置有第一绕组300和第二绕组400，所述第一绕组300绕所述第一通孔101设置，所述第二绕组400绕所述第二通孔102设置；所述磁芯组件200包括第一磁芯210和第二磁芯220，所述第一磁芯210设置于所述电路板100的一侧，所述第二磁芯220设置于所述电路板100的另一侧，所述第一磁芯210的第一端穿过所述第一通孔101与所述第二磁芯220的第一端连接，所述第一磁芯210的第二端穿过所述第二通孔102与所述第二磁芯220的第二端连接；所述第一绕组300包括多层同心设置的第一导线圈310，内外相邻的两层第一导线圈310之间设置有第一沟道103，所述第一沟道103内填充第一屏蔽层510，各所述第一导线圈310的表面设置有第二屏蔽层520，所述第二屏蔽层520的两侧分别与相邻的两个第一屏蔽层510连接；所
述第二绕组400包括多层同心设置的第二导线圈，内外相邻的两层第二导线圈之间设置有第二沟道，所述第二沟道内填充第三屏蔽层，各所述第二导线圈的表面设置有第四屏蔽层，所述第三屏蔽层的两侧分别与相邻的两个第四屏蔽层连接。
[0021]本实施例中，第一磁芯210和第二磁芯220可以采用E型磁芯或者U型磁芯，第一磁芯210和第二磁芯220的连接。第一绕组300通过绕第一通孔101设置，第二绕组400绕第二通孔102设置，使得第一绕组300和第二绕组400能够分别绕设在磁芯组件200的两端，并且第一绕组300和第二绕组400相互耦合。
[0022]应该理解的是，第三屏蔽层以及第四屏蔽层的结构与第一屏蔽层510以及第二屏蔽层520的结构相同，因此，图1和图2中未对第三屏蔽层以及第四屏蔽层进行放大明确标识。
[0023]值得一提的是，为了减小第一绕组和第二绕组之间的寄生电容，传统做法为将第一绕组和第二绕组之间的距离拉大，然而如此实施，将会导致第一绕组和第二绕组之间的耦合度下降，并且拉大第一绕组和第二绕组的间距，也不利于平面变压器的微小化。此外，还可以在第一绕组和第二绕组之间设置屏蔽墙，然而，这样也并不能很好地解决第一绕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微小化平面变压器，其特征在于，包括：电路板和磁芯组件；所述电路板上设置有第一通孔和第二通孔，所述电路板上设置有第一绕组和第二绕组，所述第一绕组绕所述第一通孔设置，所述第二绕组绕所述第二通孔设置；所述磁芯组件包括第一磁芯和第二磁芯，所述第一磁芯设置于所述电路板的一侧，所述第二磁芯设置于所述电路板的另一侧，所述第一磁芯的第一端穿过所述第一通孔与所述第二磁芯的第一端连接，所述第一磁芯的第二端穿过所述第二通孔与所述第二磁芯的第二端连接；所述第一绕组包括多层同心设置的第一导线圈，内外相邻的两层第一导线圈之间设置有第一沟道，所述第一沟道内填充第一屏蔽层，各所述第一导线圈的表面设置有第二屏蔽层，所述第二屏蔽层的两侧分别与相邻的两个第一屏蔽层连接；所述第二绕组包括多层同心设置的第二导线圈，内外相邻的两层第二导线圈之间设置有第二沟道，所述第二沟道内填充第三屏蔽层，各所述第二导线圈的表面设置有第四屏蔽层，所述第三屏蔽层的两侧分别与相邻的两个第四屏蔽层连接。2.根据权利要求1所述的微小化平面变压器，其特征在于，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层一体连接。3.根据权利要求1所述的微小化平面变压器，其特征在于，所述第三屏蔽层与所述第四屏蔽层一体连接。4.根据权利要求1所述的微小化平面变压器，其特征在于，所述第二屏蔽层的厚度为30μm至50μm。5.根据权利要求1所述的微小化平面变压器，其特征在于，所述第四屏蔽层的厚度为30μm至50μm。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙春阳，王猛，柳教成，
申请(专利权)人：广东力王高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：