本公开实施例公开了一种目标物承载装置及半导体器件制作设备，所述包括：承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。所述目标物的厚度。所述目标物的厚度。
【技术实现步骤摘要】
目标物承载装置及半导体器件制作设备
[0001]本公开实施例涉及半导体制作
，特别涉及一种目标物承载装置及半导体器件制作设备。
技术介绍
[0002]在半导体制作领域，等离子体处理设备利用气体在真空环境下辉光放电产生的等离子体，对待处理的目标物进行等离子体处理。例如，可通过电离气体得到的活性基团在目标物周围发生化学反应，形成新的物质以在目标物表面沉积薄膜。
[0003]随着半导体器件逐渐微型化，所需要沉积的薄膜厚度越来越薄，且对沉积的薄膜厚度均匀性要求越来越高。因此，如何提高沉积薄膜的均匀性，以提高制作的半导体器件的质量，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种目标物承载装置及存储器制作设备。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供一种目标物承载装置，包括：
[0006]承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；
[0007]环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；
[0008]其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。
[0009]在一些实施例中，所述承载位包括：圆形承载位；
[0010]所述环形结构包括：圆环；
[0011]其中，沿平行于所述圆形承载位所在平面的方向，所述圆形承载位的圆心与所述圆环的圆心错开。
[0012]在一些实施例中，所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：
[0013]通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面。
[0014]在一些实施例中，所述环形结构还包括：可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；
[0015]所述装置还包括：第一驱动组件，与所述可滑动盖板连接，用于驱动所述可滑动盖板相对所述通孔滑动。
[0016]在一些实施例中，所述环形结构包括：活动挡板以及与所述活动挡板相适配的凹槽；其中，所述凹槽，设置在所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁上；
[0017]其中，当所述活动挡板处于折叠状态时，所述活动挡板位于所述凹槽内，且与所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁对齐；当所述活动挡板处于展开状态时，所述活动挡板凸出于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，且所述活动挡板与所述承载位之间的距离，小于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁与所述承载位之间的距离；
[0018]所述装置还包括：第二驱动组件，与所述活动挡板连接，用于驱动所述活动挡板在所述折叠状态和所述展开状态之间切换。
[0019]在一些实施例中，所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，呈阶梯状和/ 或斜坡状。
[0020]根据本公开实施例的第二方面，提供一种半导体器件制作设备，包括：
[0021]容置腔；
[0022]如本公开实施例第一方面提供的目标物承载装置，位于所述容置腔内。
[0023]在一些实施例中，所述环形结构的相对远离所述承载位的侧壁，与所述容置腔的腔体接触。
[0024]在一些实施例中，所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：
[0025]通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面；
[0026]可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；
[0027]所述设备还包括：
[0028]压强检测组件，位于所述容置腔内，用于检测所述容置腔内的压强；
[0029]控制组件，分别与所述压强检测组件及所述可滑动盖板电连接，用于在检测的所述容置腔内的压强大于预设压强时，控制所述可滑动盖板相对所述通孔滑动，以增大所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；
[0030]所述控制组件，还用于在检测的所述容置腔内的压强小于或等于所述预设压强时，控制所述可滑动盖板相对所述通孔滑动，以减小所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸。
[0031]在一些实施例中，所述设备包括：
[0032]气相沉积设备；
[0033]和/或，
[0034]等离子体刻蚀设备。
[0035]本公开实施例提供的目标物承载装置，通过围绕承载位设置的环形结构，当目标物置于承载位上时，围绕目标物的环形结构与目标物不接触，因此，当该装置装配在应用等离子体的半导体器件制造设备中时，可通过环形结构减小由于目标物与承载位接触位置的界面效应导致的等离子体分布不均，改变目标物边缘区域的等离子体分布情况，提高目标物表面沉积的薄膜均匀性，进而提高制作的半导体器件的质量。
附图说明
[0036]图1是根据一示例性实施例示出的一种目标物承载装置的示意图；
[0037]图2是根据一示例性实施例示出的一种目标物承载装置的俯视图；
[0038]图3是根据一示例性实施例示出的另一种目标物承载装置的俯视图；
[0039]图4是根据一示例性实施例示出的又一种目标物承载装置的俯视图；
[0040]图5是根据一示例性实施例示出的又一种目标物承载装置的俯视图；
[0041]图6是根据一示例性实施例示出的一种半导体器件制作设备的示意图；
[0042]图7是根据一示例性实施例示出的又一种目标物承载装置的俯视图；
[0043]图8是根据一示例性实施例示出的又一种目标物承载装置的俯视图；
[0044]图9是根据一示例性实施例示出的另一种半导体器件制作设备的示意图；
[0045]图10是根据一示例性实施例示出的又一种半导体器件制作设备的示意图；
[0046]图11a和图11b分别是根据一示例性实施例示出的一种沉积的薄膜厚度分布示意图。
具体实施方式
[0047]下面将结合附图和实施例对本公开的技术方案进一步详细阐述。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方法，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻的理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0048]在下列段落中参照附图以举例方式更具体的描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本公开的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本公开实施例的目的。
[0049]在本公开实施例中，术语“A与B相连”包本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种目标物承载装置，其特征在于，包括：承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。2.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，所述承载位包括：圆形承载位；所述环形结构包括：圆环；其中，沿平行于所述圆形承载位所在平面的方向，所述圆形承载位的圆心与所述圆环的圆心错开。3.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面。4.根据权利要求3所述的目标物承载装置，其特征在于，所述环形结构还包括：可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；所述装置还包括：第一驱动组件，与所述可滑动盖板连接，用于驱动所述可滑动盖板相对所述通孔滑动。5.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，所述环形结构包括：活动挡板以及与所述活动挡板相适配的凹槽；其中，所述凹槽，设置在所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁上；其中，当所述活动挡板处于折叠状态时，所述活动挡板位于所述凹槽内，且与所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁对齐；当所述活动挡板处于展开状态时，所述活动挡板凸出于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，且所述活动挡板与所述承载位之间的距离，小于所述环形结构相对靠近所...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓晓，廖珮淳，
申请(专利权)人：武汉衍熙微器件有限公司，
类型：新型
国别省市：
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