一种静电放电电路及信号传输系统技术方案

本发明专利技术公开了一种静电放电电路及信号传输系统，在存在正向静电电压时，通过第二开关模块将静电电压释放至地端；在存在负向静电电压时，通过第一开关模块将静电电压释放至电源端。由于第一开关模块中使用导通临界电压较小的第一开关电路及击穿电压较大的第二开关电路，及第二开关模块中使用导通临界电压较小的第三开关电路及击穿电压较大的第四开关电路，两个开关电路可以均流，从而在保证静电电压释放的反应时间的同时，还可以避免第一开关电路或第二开关电路被击穿，保证了电路的安全性和可靠性。此外，即使第一开关电路或第三开关电路被击穿，第二开关电路或第四开关电路还可以继续对静电电压进行释放，进一步避免了信号接收装置被损坏。收装置被损坏。收装置被损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种静电放电电路及信号传输系统


[0001]本专利技术涉及安全防护领域，特别是涉及一种静电放电电路及信号传输系统。

技术介绍

[0002]在器件生产、组装、测试、存放及搬运过程中都有可能会产生静电，静电会累积在人体或者器件中，在某些情况下，静电会形成放电路径以释放累积的静电。其中，静电释放时的产生的静电电压瞬间会达到非常高的电压（通常为几千伏），可能会造成器件或者仪器的损坏，例如信号发送装置在向信号接收装置发送信号时，极有可能将静电通过信号传输通道传输至信号接收装置，从而可能会由于静电电压过大导致信号接收装置直接损坏。因此，设计一种静电放电电路以释放静电电压，从而避免对器件或仪器造成损坏是十分必要的。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种静电放电电路及信号传输系统，在保证静电电压释放的反应时间的同时，还可以避免第一开关电路或第二开关电路被击穿，保证了电路的安全性和可靠性。此外，即使第一开关电路或第三开关电路被击穿，第二开关电路或第四开关电路还可以继续对静电电压进行释放，进一步避免了信号接收装置被损坏。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种静电放电电路，包括第一开关模块和第二开关模块，所述第一开关模块包括第一开关电路和第二开关电路，所述第二开关模块包括第三开关电路及第四开关电路；所述第一开关电路的第一端分别与信号发送装置的输出端、信号接收装置的输入端、所述第二开关电路的第一端、所述第三开关电路的第一端及所述第四开关电路的第一端连接，所述第一开关电路的第二端分别与所述第二开关电路的第二端及电源端连接，所述第三开关电路的第二端分别与所述第四开关电路的第二端及地端连接；所述第一开关模块用于在所述信号发送装置的输出端存在负向静电电压导通；所述第二开关模块用于在所述信号发送装置的输出端存在正向静电电压导通；所述第二开关电路的击穿电压大于所述第一开关电路的击穿电压，所述第四开关电路的击穿电压大于所述第三开关电路的击穿电压；所述第一开关电路的导通临界电压小于所述第二开关电路的导通临界电压，所述第三开关电路的导通临界电压小于所述第四开关电路的导通临界电压。
[0005]优选地，所述第一开关电路包括第一二极管，所述第三开关电路包括第二二极管；所述第一二极管的阳极为所述第一开关电路的第一端，所述第一二极管的阴极为所述第一开关电路的第二端，所述第二二极管的阳极为所述第三开关电路的第一端，所述第二二极管的阴极为所述第三开关电路的第二端。
[0006]优选地，所述第一二极管及所述第二二极管均为肖特基二极管。
[0007]优选地，所述第二开关电路包括第一可控开关及第一电容，所述第四开关电路包
括第二可控开关及第二电容；所述第一电容的第一端与所述第一可控开关的第一端连接，并作为所述第二开关电路的第一端，所述第一电容的第二端与所述第一可控开关的控制端连接，所述第一可控开关的第二端为所述第二开关电路的第二端；所述第二电容的第一端与所述第二可控开关的第一端连接，并作为所述第四开关电路的第一端，所述第二电容的第二端与所述第二可控开关的控制端连接，所述第二可控开关的第二端为所述第四开关电路的第二端；所述第一可控开关用于在所述信号发送装置的输出端有正向静电电压时，使自身的第一端和第二端之间导通；所述第二可控开关用于在所述信号发送装置的输出端有负向静电电压时，使自身的第一端和第二端之间导通。
[0008]优选地，所述第一可控开关为P沟道金属氧化物半导体PMOS管，所述第二可控开关为N沟道金属氧化物半导体NMOS管；所述PMOS管的栅极为所述第一可控开关的控制端，所述PMOS管的漏极为所述第一可控开关的第一端，所述PMOS管的源极为所述第一可控开关的第二端；所述NMOS管的栅极为所述第二可控开关的控制端，所述NMOS管的漏极为所述第二可控开关的第一端，所述NMOS管的源极为所述第二可控开关的第二端。
[0009]优选地，所述第二开关电路还包括设置于所述PMOS管的栅极和源极之间的第一电阻。
[0010]优选地，所述第四开关电路还包括设置于所述NMOS管的栅极和源极之间的第二电阻。
[0011]优选地，还包括第三电阻及第四电阻；所述第三电阻设置于所述信号发送装置的输出端与所述第一开关模块的第一端之间，所述第四电阻设置于所述第一开关模块的第一端与所述信号接收装置的输入端之间。
[0012]为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种信号传输系统，包括上述所述的静电放电电路，还包括信号发送装置及信号接收装置。
[0013]本申请提供了一种静电放电电路及信号传输系统，在存在正向静电电压时，静电电压通过第二开关模块将静电电压释放至地端；在存在负向静电电压时，静电电压通过第一开关模块将静电电压释放至电源端。由于第一开关模块中使用导通临界电压较小的第一开关电路及击穿电压较大的第二开关电路，及第二开关模块中使用导通临界电压较小的第三开关电路及击穿电压较大的第四开关电路，两个开关电路可以均流，从而在保证静电电压释放的反应时间的同时，还可以避免第一开关电路或第二开关电路被击穿，保证了电路的安全性和可靠性。此外，即使第一开关电路或第三开关电路被击穿，第二开关电路或第四开关电路还可以继续对静电电压进行释放，进一步避免了信号接收装置被损坏。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获
得其他的附图。
[0015]图1为现有技术中的一种静电放电电路的电路示意图；图2为现有技术中的第一种静电放电电路放电时的电流示意图；图3为现有技术中的第二种静电放电电路放电时的电流示意图；图4为本专利技术提供的一种静电放电电路结构框图；图5为本专利技术提供的一种静电放电电路的具体实现方式的示意图；图6为本专利技术提供的正向静电电压释放时的电流流向示意图；图7为本专利技术提供的负向静电电压释放时的电流流向示意图；图8为肖特基二极管或PN接面二极管工作的V
‑
I曲线示意图；图9为MOS管工作的V
‑
I曲线示意图。
具体实施方式
[0016]本专利技术的核心是提供一种静电放电电路及信号传输系统，在保证静电电压释放的反应时间的同时，还可以避免第一开关电路或第二开关电路被击穿，保证了电路的安全性和可靠性。此外，即使第一开关电路或第三开关电路被击穿，第二开关电路或第四开关电路还可以继续对静电电压进行释放，进一步避免了信号接收装置被损坏。
[0017]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电放电电路，其特征在于，包括第一开关模块和第二开关模块，所述第一开关模块包括第一开关电路和第二开关电路，所述第二开关模块包括第三开关电路及第四开关电路；所述第一开关电路的第一端分别与信号发送装置的输出端、信号接收装置的输入端、所述第二开关电路的第一端、所述第三开关电路的第一端及所述第四开关电路的第一端连接，所述第一开关电路的第二端分别与所述第二开关电路的第二端及电源端连接，所述第三开关电路的第二端分别与所述第四开关电路的第二端及地端连接；所述第一开关模块用于在所述信号发送装置的输出端存在负向静电电压导通；所述第二开关模块用于在所述信号发送装置的输出端存在正向静电电压导通；所述第二开关电路的击穿电压大于所述第一开关电路的击穿电压，所述第四开关电路的击穿电压大于所述第三开关电路的击穿电压；所述第一开关电路的导通临界电压小于所述第二开关电路的导通临界电压，所述第三开关电路的导通临界电压小于所述第四开关电路的导通临界电压。2.如权利要求1所述的静电放电电路，其特征在于，所述第一开关电路包括第一二极管，所述第三开关电路包括第二二极管；所述第一二极管的阳极为所述第一开关电路的第一端，所述第一二极管的阴极为所述第一开关电路的第二端，所述第二二极管的阳极为所述第三开关电路的第一端，所述第二二极管的阴极为所述第三开关电路的第二端。3.如权利要求2所述的静电放电电路，其特征在于，所述第一二极管及所述第二二极管均为肖特基二极管。4.如权利要求2所述的静电放电电路，其特征在于，所述第二开关电路包括第一可控开关及第一电容，所述第四开关电路包括第二可控开关及第二电容；所述第一电容的第一端与所述第一可控开关的第一端连接，并作为所述第二开关电路的第一端，所述第一电容的第二端与所述第一可控开关的控制端连接，所述第一可控开...

【专利技术属性】
技术研发人员：周政杰，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：