本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，公开了一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，包括第一管道，其特征在于：所述第一管道的左端固定连通有废气进管，所述第一管道的内腔固定连接有第一过滤网。本发明专利技术废气通过废气进管进入到第一管道内，然后对正极套筒和负极柱分别接入高压正极电流和负极电流，从而正极套筒内废气中的尘粒与负离子结合带上负电后趋向正极套筒的内壁表面放电而除去气体的灰尘，从而减小燃烧室内壁的结垢，并且向下按压连接柱推动清洁盘在燃烧室内向下移动，同时配合限位块插接在螺旋限位槽内，从而在清洁盘向下移动的同时并旋转，从而能够对燃烧室内壁进行方便快速全面清洁，进一步的提高结垢清洁的效果。进一步的提高结垢清洁的效果。进一步的提高结垢清洁的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体为一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置。
技术介绍
[0002]在半导体制作工艺中需要使用多种特殊气体以及大量的酸或碱，在半导体制造的不同工艺中使用并产生大量的废气，这些废气通过排风系统收集并处理，以防止直接排放对环境以及人们的身体健康造成的严重后果。
[0003]在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题没有得到解决：现有的燃烧室内气体燃尽的灰烬以及高温对燃烧室内壁容易造成结垢，降低燃烧室的使用寿命，一般对燃烧室进行定期清理，现有的对燃烧室清理较为麻烦，清理的效果较差，仍旧会降低其使用寿命，另外，废气的处理除了燃烧之外，一般多采用水洗除尘，从而会浪费大量水资源，因此，我们提出一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，解决了
技术介绍
中所提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，包括第一管道，其特征在于：所述第一管道的左端固定连通有废气进管，所述第一管道的内腔固定连接有第一过滤网，所述第一过滤网的顶部固定连接有负极柱，所述第一过滤网上侧的第一管道内壁固定连接有正极套筒，所述第一管道的顶部固定连通有转流室，所述转流室的左端固定安装有电机，所述电机的电机轴贯穿于转流室置于转流室的内腔，所述电机的电机轴固定连接有扇叶，所述转流室的右端固定连通有气管，所述气管的右端固定连通有燃烧室，所述燃烧室的右端固定连通有连接管，所述连接管的右端固定连通有第一送风机，所述第一送风机的右端固定连通有第二管道，所述燃烧室的右端固定连接有支撑台，所述支撑台的顶部固定连接有吸附箱，所述第二管道与吸附箱固定连通，所述吸附箱的内腔固定连接有吸附板，所述吸附箱的右端固定连通有出气管；
[0006]所述燃烧室的顶部开设有通孔，所述通孔的内腔左右两端均固定连接有限位块，所述通孔内插接有连接柱，所述连接柱的外壁开设有螺旋限位槽，两个所述限位块均插接在所述螺旋限位槽内，所述连接柱的底部固定连接有清洁盘，所述清洁盘的底部固定安装有点火器。
[0007]作为本专利技术的一种优选实施方式，所述气管的内腔固定安装有第一电磁阀门，所述燃烧室的右端下侧固定连通有空气进管，所述空气进管的内腔固定安装有第二电磁阀门和空气流量传感器，所述燃烧室上固定安装有控制器，所述空气流量传感器的输出端通过导线与控制器的输入端电性串联，所述控制器的输出端通过导线分别与第一电磁阀门和第二电磁阀门的输入端电性连接。
[0008]作为本专利技术的一种优选实施方式，所述第一管道的左端固定安装有第二送风机，所述第二送风机上固定连通有送风管，所述第一管道的内壁上侧固定连接有圆形导管，所述圆形导管上开设有送风口，所述送风管与圆形导管固定连通。
[0009]作为本专利技术的一种优选实施方式，所述连接柱的顶部活动连接有钢球。
[0010]作为本专利技术的一种优选实施方式，所述第一管道的内腔底端固定连接有导料板，所述第一管道的右端下侧开设有排污口，所述排污口内插接有密封塞。
[0011]作为本专利技术的一种优选实施方式，所述送风口内固定安装有第二过滤网。
[0012]作为本专利技术的一种优选实施方式，所述连接柱的左右两端均固定连接有阻尼转轴，两个所述阻尼转轴的上均铰接有支撑板。
[0013]与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
[0014]1.本专利技术通过正极套筒、负极柱、废气进管、第一过滤网、电机、扇叶、燃烧室、连接柱、通孔、螺旋限位槽、限位块和清洁盘的设置，废气通过废气进管进入到第一管道内，然后对正极套筒和负极柱分别接入高压正极电流和负极电流，从而正极套筒内废气中的尘粒与负离子结合带上负电后趋向正极套筒的内壁表面放电而除去气体的灰尘，从而减小燃烧室内壁的结垢，并且向下按压连接柱推动清洁盘在燃烧室内向下移动，同时配合限位块插接在螺旋限位槽内，从而在清洁盘向下移动的同时并旋转，从而能够对燃烧室内壁进行方便快速全面清洁，进一步的提高结垢清洁的效果。
[0015]2.本专利技术通过空气流量传感器、控制器、第一电磁阀门和第二电磁阀门的设置，当燃烧室内燃烧快结束时，从而空气通过空气进管进入到燃烧室内的空气量小于空气流量传感器设定的阈值时，从而将第一电磁阀门和第二电磁阀门关闭，进一步的避免燃烧室内的燃气压力降低时，燃烧点的火会通过气管和空气进管向气源方向蔓延产生回火，进一步的避免产生回火发生爆炸，提高安全性。
附图说明
[0016]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0017]图1为本专利技术一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置的整体结构示意图；
[0018]图2为本专利技术一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置的燃烧室俯视图；
[0019]图3为本专利技术一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置的连接柱与支撑板连接主视图；
[0020]图4为本专利技术一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置的圆形导管底部主视图。
[0021]图中：1、第一管道；2、废气进管；3、第一过滤网；4、正极套筒；5、第二送风机；6、负极柱；7、送风管；8、圆形导管；9、电机；10、转流室；11、扇叶；12、气管；13、第一电磁阀门；14、点火器；15、连接柱；16、螺旋限位槽；17、钢球；18、清洁盘；19、燃烧室；20、连接管； 21、第一送风机；22、第二管道；23、吸附箱；24、吸附板；25、出气管； 26、支撑台；27、第二电磁阀门；28、空气进管；29、空气流量传感器； 30、控制器；31、送风口；32、第二过滤网；33、密封塞；34、排污口； 35、导料板；36、通孔；37、限位块；38、阻尼转轴；39、支撑板。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。
[0023]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制；在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0024]请参阅图1
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4，本专利技术提供一种技术方案：一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，包括第一管道1，所述第一管道1的左端固定连通有废气进管2，所述第一管道1的内腔固定连本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，包括第一管道(1)，其特征在于：所述第一管道(1)的左端固定连通有废气进管(2)，所述第一管道(1)的内腔固定连接有第一过滤网(3)，所述第一过滤网(3)的顶部固定连接有负极柱(6)，所述第一过滤网(3)上侧的第一管道(1)内壁固定连接有正极套筒(4)，所述第一管道(1)的顶部固定连通有转流室(10)，所述转流室(10)的左端固定安装有电机(9)，所述电机(9)的电机轴贯穿于转流室(10)置于转流室(10)的内腔，所述电机(9)的电机轴固定连接有扇叶(11)，所述转流室(10)的右端固定连通有气管(12)，所述气管(12)的右端固定连通有燃烧室(19)，所述燃烧室(19)的右端固定连通有连接管(20)，所述连接管(20)的右端固定连通有第一送风机(21)，所述第一送风机(21)的右端固定连通有第二管道(22)，所述燃烧室(19)的右端固定连接有支撑台(26)，所述支撑台(26)的顶部固定连接有吸附箱(23)，所述第二管道(22)与吸附箱(23)固定连通，所述吸附箱(23)的内腔固定连接有吸附板(24)，所述吸附箱(23)的右端固定连通有出气管(25)；所述燃烧室(19)的顶部开设有通孔(36)，所述通孔(36)的内腔左右两端均固定连接有限位块(37)，所述通孔(36)内插接有连接柱(15)，所述连接柱(15)的外壁开设有螺旋限位槽(16)，两个所述限位块(37)均插接在所述螺旋限位槽(16)内，所述连接柱(15)的底部固定连接有清洁盘(18)，所述清洁盘(18)的底部固定安装有点火器(14)。2.根据权利要求1所述的一种适用于半导体制造工艺的废气处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑洪，
申请(专利权)人：上海协微环境科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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