一种先进的4寸wafer镀锅衬圈制造技术

本实用新型专利技术提供了一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，包括：衬圈主体、外沿、支撑角；所述外沿位于衬圈主体顶端的边缘处，且外沿与衬圈主体为一体式结构；所述支撑角位于衬圈主体底部的边缘处，且支撑角与衬圈主体为一体式结构；本实用新型专利技术通过对先进的4寸wafer镀锅衬圈的改进，具有结构简单、简洁轻便，设计合理，撑效果好、便于wafer的平稳摆放，稳定性强，同时还能有效减少wafer边缘外圈的遮镀芯颗粒易损失，方便使用的优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。出现的问题和不足。出现的问题和不足。

【技术实现步骤摘要】
一种先进的4寸wafer镀锅衬圈


[0001]本技术涉及晶圆
，更具体的说，尤其涉及一种先进的4寸wafer镀锅衬圈。

技术介绍

[0002]Wafer一般是指晶圆，晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]离子镀膜是wafer必要的加工工序，离子镀是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基底上。它兼具蒸发镀的沉积速度快和溅射镀的离子轰击清洁表面的特点，特别具有膜层附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等优点。
[0004]但现有离子枪镀膜设备镀锅内缺少定位、放置装置，支撑效果较差，wafer的摆放平稳性较差，并且wafer边缘外圈的遮镀芯颗粒易损失，在使用时存在诸多问题。
[0005]有鉴于此，针对现有的问题予以研究改良，提供一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，旨在通过该技术，达到解决问题与提高实用价值性的目的。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，以解决上述
技术介绍
中提出的问题和不足。
[0007]为实现上述目的，本技术提供了一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，由以下具体技术手段所达成：
[0008]一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，包括：衬圈主体、外沿、支撑角；所述外沿位于衬圈主体顶端的边缘处，且外沿与衬圈主体为一体式结构；所述支撑角位于衬圈主体底部的边缘处，且支撑角与衬圈主体为一体式结构。
[0009]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种先进的4寸wafer镀锅衬圈所述外沿位于衬圈主体顶端的外侧，且外沿的外径为105mm。
[0010]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种先进的4寸wafer镀锅衬圈所述外沿为呈环形状的直角翻边，且外沿边缘处的横截面呈半圆形。
[0011]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种先进的4寸wafer镀锅衬圈所述衬圈主体的整体外观呈圆环形，且衬圈主体的内径为100mm，并且衬圈主体为304不锈钢材质。
[0012]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种先进的4寸wafer镀锅衬圈所述支撑角为等腰梯形板状凸起，且支撑角的高度为1mm，底边长为1.3mm。
[0013]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种先进的4寸wafer镀锅衬圈所述支撑角在衬圈主体底部的内壁上呈环形阵列状分布设置有八处。
[0014]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0015]1、本技术衬圈主体的整体外观呈圆环形，且衬圈主体的内径为100mm，并且衬圈主体为304不锈钢材质，支撑角为等腰梯形板状凸起，且支撑角的高度为1mm，底边长为1.3mm，支撑角在衬圈主体底部的内壁上呈环形阵列状分布设置有八处的设置，支撑效果好、便于wafer的平稳摆放，稳定性强，同时还能有效减少wafer边缘外圈的遮镀芯颗粒易损失，方便使用。
[0016]2、本技术通过对先进的4寸wafer镀锅衬圈的改进，具有结构简单、简洁轻便，设计合理，撑效果好、便于wafer的平稳摆放，稳定性强，同时还能有效减少wafer边缘外圈的遮镀芯颗粒易损失，方便使用的优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。
附图说明
[0017]构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0018]图1为本技术的结构示意图；
[0019]图2为本技术的A处放大结构示意图；
[0020]图3为本技术的主视结构示意图；
[0021]图4为本技术的俯视结构示意图。
[0022]图中：衬圈主体1、外沿2、支撑角3。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0024]需要说明的是，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0025]此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]同时，在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电性连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0027]请参见图1至图4，本技术提供一种先进的4寸wafer镀锅衬圈的具体技术实施方案：
[0028]一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，包括：衬圈主体1、外沿2、支撑角3；外沿2位于衬圈主体1顶端的边缘处，且外沿2与衬圈主体1为一体式结构；支撑角3位于衬圈主体1底部的边缘处，且支撑角3与衬圈主体1为一体式结构。
[0029]具体的，外沿2位于衬圈主体1顶端的外侧，且外沿2的外径为105mm。
[0030]具体的，外沿2为呈环形状的直角翻边，且外沿2边缘处的横截面呈半圆形。
[0031]具体的，衬圈主体1的整体外观呈圆环形，且衬圈主体1的内径为100mm，并且衬圈主体1为304不锈钢材质。
[0032]具体的，支撑角3为等腰梯形板状凸起，且支撑角3的高度为1mm，底边长为1.3mm。
[0033]具体的，支撑角3在衬圈主体1底部的内壁上呈环形阵列状分布设置有八处。
[0034]具体实施步骤：
[0035]将衬圈主体1放置在镀锅内，放置4寸wafer时，用真空吸盘吸取wafer，将wafer直接放置到衬圈主体1的上方，由于衬圈主体1的底部设置有支撑角3，使衬圈主体1更加平稳，进而有效确保wafer平稳支撑摆放，并且由于wafer的直径大于衬圈主体1的外径，所以能有效减少wafer边缘外圈的遮镀芯颗粒易损失，方便使用。
[0036]综上所述：该一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，通过衬圈主体的整体外观呈圆环形，且衬圈主体的内径为100mm，并且衬圈主体为304不锈钢材质，支撑角为等腰梯形板状凸起，且支撑角的高度为1mm，底边长为1.3mm，支撑角在衬圈主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，包括：衬圈主体(1)、外沿(2)、支撑角(3)；其特征在于：所述外沿(2)位于衬圈主体(1)顶端的边缘处，且外沿(2)与衬圈主体(1)为一体式结构；所述支撑角(3)位于衬圈主体(1)底部的边缘处，且支撑角(3)与衬圈主体(1)为一体式结构。2.根据权利要求1所述的一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，其特征在于：所述外沿(2)位于衬圈主体(1)顶端的外侧，且外沿(2)的外径为105mm。3.根据权利要求1所述的一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，其特征在于：所述外沿(2)为呈环形状的直角翻边，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯文，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：