晶圆清洗装置及晶圆清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。所述晶圆清洗装置包括：刷头，用于刷洗晶圆的待清洁表面；基座，用于承载所述刷头，所述基座中具有至少一导电盘，所述导电盘的盘面与所述待清洁表面平行，且所述基座能够围绕其轴线自转；磁场发生结构，用于向所述导电盘发射垂直于所述导电盘的盘面方向的磁场，使得在所述基座旋转的过程中于所述导电盘中产生感应电场。本发明专利技术减少甚至是避免了所述待清洁表面对外界环境中颗粒物的吸附，改善了晶圆清洗质量，提高了晶圆产品的良率。产品的良率。产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置及晶圆清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。

技术介绍

[0002]在半导体的制程过程中，由于各种复杂工艺中的范德华力和静电力的原因，会在晶圆背面吸附大量的微尘颗粒、金属离子、有机物等，导致晶圆缺陷的产生，从而严重影响最终制得的半导体器件的良率和成品率。
[0003]为了解决这一问题，当前对晶圆背面处理(Back Surface Treatment，BST)的主要方法是，利用毛刷刷洗与去离子水喷淋相结合。但是，一方面，现有的毛刷大多采用导电性较差的材质制成，这样，在毛刷刷洗晶圆背面的过程中，会因为与晶圆背面的摩擦导致静电的聚集，聚集的静电会吸附环境中的颗粒物至所述晶圆的背面或者用于承载所述晶圆的卡盘背面；另一方面，去离子水的导电率很低，去离子水的喷淋并不利于晶圆背面静电荷的释放。
[0004]因此，如何在清洗晶圆背面的过程中避免吸附颗粒物，从而提高晶圆产品的良率，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，用于解决现有技术在清洗晶圆背面的过程中易导致颗粒物吸附的问题，以提高晶圆产品的良率。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种晶圆清洗装置，包括：
[0007]刷头，用于刷洗晶圆的待清洁表面；
[0008]基座，用于承载所述刷头，所述基座中具有至少一导电盘，所述导电盘的盘面与所述待清洁表面平行，且所述基座能够围绕其轴线自转；<br/>[0009]磁场发生结构，用于向所述导电盘发射垂直于所述导电盘的盘面方向的磁场，使得在所述基座旋转的过程中于所述导电盘中产生感应电场。
[0010]可选的，所述导电盘的数量为一个，且所述导电盘的轴线与所述基座的轴线重合。
[0011]可选的，所述导电盘的数量为多个，且多个所述导电盘关于所述基座的轴线对称分布。
[0012]可选的，所述导电盘的形状为扇形，且多个所述导电盘相互接触，形成圆盘形状。
[0013]可选的，在沿垂直于所述基座的方向上，所述导电盘的投影至少部分位于所述刷头的投影的外围。
[0014]可选的，所述导电盘嵌于所述基座内部；或者
[0015]所述导电盘位于所述基座朝向所述刷头的表面。
[0016]可选的，还包括：
[0017]控制器，连接所述基座与所述磁场发生结构，用于调整所述基座的转速、所述基座的转动方向、所述磁场的方向、所述磁场的强度中的一个或者两个以上。
[0018]可选的，所述刷头为导电刷头。
[0019]为了解决上述问题，本专利技术还提供了一种晶圆清洗方法，包括如下步骤：
[0020]提供一如上述任一项所述的晶圆清洗装置；
[0021]在所述刷头刷洗所述待清洁表面的同时，驱动所述基座围绕其轴线自转、并同时驱动所述磁场发生结构发射所述磁场，在所述基座旋转的过程中于所述导电盘中产生感应电场。
[0022]可选的，还包括如下步骤：
[0023]调整所述基座的转速、所述基座的转动方向、所述磁场的方向、所述磁场的强度中的一个或者两个以上，改变所述感应电场的大小和/或方向。
[0024]本专利技术提供的晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，通过在用于承载刷头的基座中设置导电盘，并利用所述基座的转动带动所述导电盘的转动，使得导电盘能够切割垂直于所述导电盘的盘面的磁场，从而在所述导电盘的中心与边缘之间形成电势差，产生感应电场，利用所述感应电场吸附所述晶圆的所述待清洁表面上的静电荷，从而减少甚至是避免了所述待清洁表面对外界环境中颗粒物的吸附，改善了晶圆清洗质量，提高了晶圆产品的良率。
附图说明
[0025]附图1是本专利技术具体实施方式中晶圆清洗装置的结构示意图；
[0026]附图2是本专利技术具体实施方式中导电盘的一结构示意图；
[0027]附图3是本专利技术具体实施方式中导电盘的另一结构示意图；
[0028]附图4是本专利技术具体实施方式中晶圆清洗方法的流程图。
具体实施方式
[0029]下面结合附图对本专利技术提供的晶圆清洗装置及晶圆清洗方法的具体实施方式做详细说明。
[0030]本具体实施方式提供了一种晶圆清洗装置，附图1是本专利技术具体实施方式中晶圆清洗装置的结构示意图。如图1所示，本具体实施方式中所述的晶圆清洗装置，包括：
[0031]刷头，用于刷洗晶圆10的待清洁表面；
[0032]基座11，用于承载所述刷头，所述基座11中具有至少一导电盘13，所述导电盘13的盘面与所述待清洁表面平行，且所述基座11能够围绕其轴线自转；
[0033]磁场发生结构，用于向所述导电盘13发射垂直于所述导电盘13的盘面方向的磁场，使得在所述基座11旋转的过程中于所述导电盘13中产生感应电场。
[0034]具体来说，所述晶圆10可以是单晶晶圆，也可以是表面形成有器件结构的晶圆。无论是单晶晶圆，还是表面形成有器件结构的晶圆，所述晶圆10都包括用于形成器件结构的正面以及与所述正面相对的背面。本具体实施方式中中是以所述晶圆10的所述背面作为所述待清洁表面。所述刷头包括用于与所述晶圆10的所述待清洁表面接触的刷洗部122、以及连接所述刷洗部122与所述基座11的连接部121。在所述晶圆清洗装置清洗所述晶圆10的所述待清洁表面的过程中，所述基座11围绕其轴线自转(例如顺时针方向自转或者逆时针方向自转)，所述基座11的转动带动位于其上的所述刷头的转动，从而使得所述刷洗部122与所述晶圆10的所述待清洁表面摩擦、刷洗，以去除所述待清洁表面的残留污染物。
[0035]图1中的虚线箭头方向表示磁场方向。本具体实施方式通过在所述基座11中设置所述导电盘13，使得所述基座11在自转的同时，也能带动所述导电盘13的转动。通过所述磁场发生结构向所述导电盘13发射垂直于所述导电盘13的盘面方向的磁场，例如在图1中，所述导电盘13的盘面所在的平面为XY平面，所述磁场发生结构发射的磁场方向为Z轴方向。
[0036]本具体实施方式以所述磁场方向沿Z轴负方向(即竖直向下)、所述基座11的自转方向为顺时针方向为例进行说明。当所述基座11沿顺时针方向自转时，带动所述导电盘13也沿顺时针方向转动。转动的所述导电盘13切割所述磁场的磁力线，使得正电荷聚集在所述导电盘13的边缘部位(即在所述边缘部位形成高电势)、负电荷聚集在所述导电盘13的中心部位(即在所述中心部位形成低电势)，从而在所述导电盘13的边缘部位与中心部位之间产生电势差，形成感应电场。所述感应电场形成之后，即可以对位于所述待清洁表面上的静电荷14进行吸附，使得所述待清洁表面上聚集的静电荷14向所述导电盘13上的高电势区域或者低电势区域移动，从而脱离所述晶圆10表面，进而减少了所述待清洁表面上的静电荷14，防止了所述晶圆10在清洗过程中吸附外界环境中的颗粒物，改善了晶圆清洗质量，提高了晶圆产品的良率。以上仅是举例说明，本领域技术人员也可以根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：刷头，用于刷洗晶圆的待清洁表面；基座，用于承载所述刷头，所述基座中具有至少一导电盘，所述导电盘的盘面与所述待清洁表面平行，且所述基座能够围绕其轴线自转；磁场发生结构，用于向所述导电盘发射垂直于所述导电盘的盘面方向的磁场，使得在所述基座旋转的过程中于所述导电盘中产生感应电场。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述导电盘的数量为一个，且所述导电盘的轴线与所述基座的轴线重合。3.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述导电盘的数量为多个，且多个所述导电盘关于所述基座的轴线对称分布。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述导电盘的形状为扇形，且多个所述导电盘相互接触，形成圆盘形状。5.根据权利要求2或者3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，在沿垂直于所述基座的方向上，所述导电盘的投影至少部分位于所述刷头的投影的外围。6.根据权利要求1所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：董鹏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：