【技术实现步骤摘要】
一种交流电子开关装置
[0001]本技术属于电气工程
,尤其涉及一种可快速开通、关断的交流电子开关装置。
技术介绍
[0002]交流电子开关也称固态电子开关,其可对交流电流的通断进行控制,应用中较多使用晶闸管并联实现,如图1所示。交流电子开关可方便地通过弱电信号控制,如用MCU来进行控制,非常方便应用于多种场合,并有很好的应用前景。
[0003]使用晶闸管反并联构成的固态开关,虽然具有高电压、大电流的优点,但其无法通过弱电信号控制其关断,因此在需要快速关断的场合,其使用受到很大局限。
[0004]已公开专利201310260839.4公开了一种基于IGBT的电子开关,如图2示,其可快速实现电流的双向切断、导通,但每组开关需要2只电容器及2只放电电阻,若以其组成多路开关(如常用的三相开关),则需要2倍开关数量的电容器及电阻器,因此器件数量多,成本高,且其需要引出开关中点,线路复杂,从而影响装置的可靠性;另外,其电容器电压不可控,当开关处于导通状态时,电容逐步放电至零电压,而当开关再次关断时,主回路电流会继续流经电容器,对电容从零电压开始充电,因此该公开技术的关断时间较长,无法实现快速关断。
[0005]如图3所示的已有技术,虽然电路简单,但当发生过流、短路等故障,而开关需要关断时,其中的RC吸收电路难以完全吸收感应电压,因此增加MOV器件,如压敏电阻等,而此类防浪涌保护器件可靠性较低,在冲击能量大或者多次冲击是会失效,致使装置的寿命、可靠性下降。
[0006]由此可见,现有技术中的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种交流电子开关装置,其特征在于:其包括:一个第一开关模组(1),其包含一个电源输入端口A、一个输出端口B及一个中点端口(Z),所述第一开关模组用于开通或切断输入端口A和输出端口B之间的交流电流通路;一个第一吸收电路(2),其与所述第一开关模组(1)的所述输入端口A、输出端口B、中点端口(Z)及电源N线连接,所述第一吸收电路(2)内部包含有可储存电能的电容器,用于吸收第一开关模组(1)关断过程中回路电感中的电能;一个第一放电电路(3),其与所述第一吸收电路(2)的正及负端连接,用于保护第一吸收电路(2)及第一开关模组(1),避免其由于电压过高而损坏;一个第一控制器(15),其与所述第一开关模组(1)、第一吸收电路(2)、第一放电电路(3)信号连接;所述第一控制器(15)根据接收外部开关操作信号,对第一开关模组(1)进行通断操作,同时,所述第一控制器(15)检测所述第一吸收电路(2)的正及负端电压,当电压超过一个设定值时,对所述第一放电电路(3)发出放电指令,直至所述第一吸收电路(2)的正及负端电压不超过设定值。2.根据权利要求1所述的一种交流电子开关装置,其特征在于:所述的第一开关模组(1)包括:反向共源极串联的半导体开关器件(4),其两端分别与输入端口A和输出端口B连接,其中点与所述中点端口(Z)连接,并与所述第一吸收电路(2)连接;所述反向共源极串联的半导体开关器件(4)用于切断或连通输入端口A和输出端口B间双向流动的电流,所述反向共源极串联的半导体开关器件(4)可以是逆导型功率半导体器件IGBT、MOSFET、或IGCT中的一种。3.根据权利要求1所述的一种交流电子开关装置,其特征在于:所述的第一开关模组(1)包括:反向共漏极串联的半导体开关器件(5),其两端分别与输入端口A和输出端口B连接,其中点与所述中点端口(Z)连接,并与所述第一吸收电路(2)连接;所述反向共漏极串联的半导体开关器件(5)用于切断或连通输入端口A和输出端口B间双向流动的电流,所述反向共漏极串联的半导体开关器件(5)可以是逆导型功率半导体器件IGBT、MOSFET、或IGCT中的一种。4.根据权利要求1所述的一种交流电子开关装置,其特征在于:所述的第一吸收电路(2)包括:一端分别与输入端口A、输出端口B及电源N线连接的三个二极管(D),所述三个二极管(D)的另一端与一个电容(C)连接,所述电容(C)的另一端与所述第一开关模组(1)的中点端口(Z)连接;当所述第一开关模组(1)关断时,所述第一吸收电路(2)用于使输入端口A或输出端口B的电流均流入电容(C),电容(C)吸收回路电感能量;而与N线连接的二极管(D)则可实现对电容(C)的预充电,使电容(C)总保持一个较为稳定的电压。5.根据权利要求1所述的一种交流电子开关装置,其特征在于:所述的第一放电电路(3)包括:一个或多个放电电阻(12),用于释放电容(C)所储存的能量;一个半导体开关管(13)或机械式开关(14),其与所述放电电阻(12)串联连接,该串联
电路的两端分别与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张东胜,
申请(专利权)人:新能动力北京智慧能源科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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