一种容性负载防电源反接驱动控制电路制造技术

技术编号:30931764 阅读:23 留言:0更新日期:2021-11-23 00:38
本实用新型专利技术涉及驱动控制电路领域,具体涉及一种容性负载防电源反接驱动控制电路。该电路包括直流电源、比较器、二极管、分压电阻、限流电阻、稳压二极管、三极管、N沟道MOS管、陶瓷电容和负载电解电容。本实用新型专利技术提出的电路可防止供电电源反接造成的器件损坏,具有效保护器件安全,不怕电源反接的作用。同时,本实用新型专利技术电路能够规避电源反接造成的器件不可逆损坏,可以减小电源接入时电流过大造成不必要的损失。本实用新型专利技术电路采用了安全可靠的稳压管、电阻和三极管等基本元器件,降低了设计成本,提供了便利和电路稳定性。提供了便利和电路稳定性。提供了便利和电路稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种容性负载防电源反接驱动控制电路


[0001]本技术涉及驱动控制电路领域,具体涉及一种容性负载防电源反接驱动控制电路。

技术介绍

[0002]为确保电子产品稳定可靠工作,在电子产品设计中,常用的一种必不可少的核心元器件就是mos管。电子工程师在设计电路时,通常选用mos管作为开关驱动电路,因此mos管广泛应用在需要电子驱动的电路中,常见的如开关电源、马达驱动、照明调光等控制电路。目前来看,针对mos管开关控制电路中的容性负载,当正向电流很大时,由于功耗的原因,电路里没有防反接措施,所以当电源接反时,会造成器件不可逆损坏。
[0003]因此,目前亟需一种容性负载防电源反接驱动控制电路,能够有效防止供电电源反接造成的器件损坏,保护器件安全。

技术实现思路

[0004]有鉴于此,本技术提供了一种容性负载防电源反接驱动控制电路,可防止供电电源反接造成的器件损坏,具有效保护器件安全,不怕电源反接,实现简单方便且成本较低,实用性强,安全可靠的优点。
[0005]为达到上述目的,本技术的技术方案为:
[0006]一种容性负载防电源反接驱动控制电路,包括直流电源BAT1;比较器U1A;第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4;第一分压电阻R1、第二分压电阻R2、第一限流电阻R3、第二限流电阻R4、第三限流电阻R5、第四限流电阻R6、第五限流电阻R7、第六限流电阻R8、第七限流电阻R9、第八限流电阻R10和第九限流电阻R11;第一稳压二极管DZ1、第二稳压二极管DZ2和第三稳压二极管DZ3;第一比较器U1A、第一NPN三极管Q2、第一PNP三极管Q1;第一N沟道MOS管T1和第二N沟道MOS管T2;第一陶瓷电容C1、第二陶瓷电容C2、第三陶瓷电容C3;第一负载电解电容C4、第二负载电解电容C5。
[0007]容性负载防电源反接驱动控制电路的具体结构为:
[0008]第一负载电解电容C4的正极和第二负载电解电容C5的正极以及第一二极管D1的正极接入直流电源BAT1正极;第一稳压二极管DZ1的负极经第一限流电阻R3接入第一二极管D1的负极,第一稳压二极管DZ1的负极经第一陶瓷电容C1接地,第一稳压二极管DZ1的负极经第一分压电阻R1和第二分压电阻R2接地,第一稳压二极管DZ1的负极连接第一PNP三极管Q1的发射极,第一稳压二极管DZ1的负极经第四限流电阻R6连接第一PNP三极管Q1的基极;第一稳压二极管DZ1的正极分别经所述第二限流电阻R4和所述第二陶瓷电容C2接地;第一稳压二极管DZ1的正极与第二稳压二极管DZ2的负极相连,第二稳压二极管DZ2的正极接地,第一稳压二极管DZ1的正极连接U1A比较器的电源输入端,第一稳压二极管DZ1的正极经第三限流电阻R5连接第三稳压二极管DZ3的负极,第一稳压二极管DZ1的正极经电阻R5接入U1A比较器的反相输入端;第三稳压二极管DZ3稳压管的正极接地;第一分压电阻R1和第一
分压电阻R2分压连接点接入U1A比较器的正相输入端,U1A比较器的4脚接地,U1A比较器的输出端经第六限流电阻R8连接第二二极管D2的正极;第二二极管D2的负极经第七限流电阻R9接地,第二二极管D2的阴极接入第一NPN三极管Q2的基极;第一PNP三极管Q1的基极经第五限流电阻R7接入第一NPN三极管Q2的集电极,第一NPN三极管Q2的发射极连接第四二极管D4的正极;第四二极管D4的负极连接第一负载电解电容C4和第二负载电解电容C5的负极;第一PNP三极管Q1的集电极分别通过第三陶瓷电容C3和第八限流电阻R10接地,第一PNP三极管Q1的集电极与第一N沟道MOS管T1和第二N沟道MOS管T2的栅极相连;第一N沟道MOS管T1和第二N沟道MOS管T2的源极接地,第一N沟道MOS管T1的漏极与第一负载电解电容C4和第二负载电解电容C5的负极相连接;第一负载电解电容C4和第二负载电解电容C5的负极相连,且两者的负极通过第九限流电阻R11与第三二极管D3的正极相连,第三二极管D3的负极与第二N沟道MOS管T2的漏极相连,且第三二极管D3的负极与电源BAT1的负极相连。
[0009]进一步的,第一稳压二极管DZ1为稳压值为18V的单管齐纳二极管,第二稳压二极管DZ2为稳压值为5.1V的稳压管,第三稳压二极管DZ3为稳压值为3.3V稳压管。
[0010]进一步的,第一分压电阻R1与第二分压电阻R2电阻的分压电压均为3.6V。
[0011]进一步的,第一N沟道MOS管T1和所述第二N沟道MOS管T2为增强型MOS管。
[0012]进一步的,第一负载电解电容C4和第二负载电解电容C5为470uF。
[0013]有益效果:本技术电路能够规避电源反接造成的器件不可逆损坏,可以减小电源接入时电流过大造成不必要的损失。本技术电路采用了安全可靠的稳压管、电阻和三极管等基本元器件,降低了设计成本,提供了便利和电路稳定性。
附图说明
[0014]图1为本技术的电路结构示意图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图并举实施例,对本技术进行详细描述。
[0016]本技术的电路包括直流电源BAT1;比较器U1A;第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4;第一分压电阻R1、第二分压电阻R2、第一限流电阻R3、第二限流电阻R4、第三限流电阻R5、第四限流电阻R6、第五限流电阻R7、第六限流电阻R8、第七限流电阻R9、第八限流电阻R10和第九限流电阻R11;第一稳压二极管DZ1、第二稳压二极管DZ2和第三稳压二极管DZ3;第一比较器U1A、第一NPN三极管Q2、第一PNP三极管Q1;第一N沟道MOS管T1和第二N沟道MOS管T2;第一陶瓷电容C1、第二陶瓷电容C2、第三陶瓷电容C3;第一大功率负载电解电容C4、第二大功率负载电解电容C5。
[0017]如图1所示,容性负载防电源反接驱动控制电路的具体结构为:
[0018]第一负载电解电容C4的正极和第二负载电解电容C5的正极以及第一二极管D1的正极接入所述直流电源BAT1正极;第一稳压二极管DZ1的负极经第一限流电阻R3接入第一二极管D1的负极,第一稳压二极管DZ1的负极经第一陶瓷电容C1接地,第一稳压二极管DZ1的负极经第一分压电阻R1和第二分压电阻R2接地,第一稳压二极管DZ1的负极连接第一PNP三极管Q1的发射极,第一稳压二极管DZ1的负极经第四限流电阻R6连接第一PNP三极管Q1的基极;第一稳压二极管DZ1的正极分别经第二限流电阻R4和第二陶瓷电容C2接地;第一稳压
二极管DZ1的正极与第二稳压二极管DZ2的负极相连,第二稳压二极管DZ2的正极接地,第一稳压二极管DZ1的正极连接U1A比较器的电源输入端,第一稳压二极管DZ1的正极经第三限流电阻R5连接第三稳压二极管DZ3的负极,第一稳压二极管DZ1的正极经电阻R5接入U1A比较器的反相输入端;第三稳压二极管DZ3稳压管的正极接地;第一分压电阻R1和第本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种容性负载防电源反接驱动控制电路,其特征在于,包括直流电源BAT1;比较器U1A;第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4;第一分压电阻R1、第二分压电阻R2、第一限流电阻R3、第二限流电阻R4、第三限流电阻R5、第四限流电阻R6、第五限流电阻R7、第六限流电阻R8、第七限流电阻R9、第八限流电阻R10和第九限流电阻R11;第一稳压二极管DZ1、第二稳压二极管DZ2和第三稳压二极管DZ3;第一比较器U1A、第一NPN三极管Q2、第一PNP三极管Q1;第一N沟道MOS管T1和第二N沟道MOS管T2;第一陶瓷电容C1、第二陶瓷电容C2、第三陶瓷电容C3;第一负载电解电容C4、第二负载电解电容C5;所述容性负载防电源反接驱动控制电路的具体结构为:所述第一负载电解电容C4的正极和所述第二负载电解电容C5的正极以及所述第一二极管D1的正极接入所述直流电源BAT1正极;所述第一稳压二极管DZ1的负极经所述第一限流电阻R3接入所述第一二极管D1的负极,所述第一稳压二极管DZ1的负极经所述第一陶瓷电容C1接地,所述第一稳压二极管DZ1的负极经所述第一分压电阻R1和所述第二分压电阻R2接地,第一稳压二极管DZ1的负极连接所述第一PNP三极管Q1的发射极,第一稳压二极管DZ1的负极经所述第四限流电阻R6连接第一PNP三极管Q1的基极;所述第一稳压二极管DZ1的正极分别经所述第二限流电阻R4和所述第二陶瓷电容C2接地;第一稳压二极管DZ1的正极与所述第二稳压二极管DZ2的负极相连,所述第二稳压二极管DZ2的正极接地,第一稳压二极管DZ1的正极连接所述U1A比较器的电源输入端,第一稳压二极管DZ1的正极经所述第三限流电阻R5连接所述第三稳压二极管DZ3的负极,第一稳压二极管DZ1的正极经电阻R5接入U1A比较器的反相输入端;所述第三稳压二极管DZ3稳压管的正极接地;所述第一分压电阻R1和所述第一分压电阻R2分压连接点接入所述U...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁尧胡金龙梁浩张桂林
申请(专利权)人:淮安中科晶上智能网联研究院有限公司
类型:新型
国别省市:

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