本发明专利技术提供一种显示面板、制作方法和显示装置。显示面板包括指纹传感器、基底、依次设置于所述基底上的遮光层以及薄膜晶体管阵列层；所述遮光层上设置有多个成像小孔，以使得光线能够穿过所述成像小孔射向所述指纹传感器；所述指纹传感器设置于所述基底远离所述遮光层的一侧，所述指纹传感器用于接收穿过所述成像小孔的光信号，并根据所述光信号进行指纹识别。本发明专利技术复用所述遮光层以制作成像小孔，并通过设置成像小孔的位置和指纹传感器的位置，以使得光线能够穿过所述成像小孔射向所述指纹传感器，以在不增加掩膜层数以及工艺的基础上，兼容小孔指纹设计。兼容小孔指纹设计。兼容小孔指纹设计。
【技术实现步骤摘要】
显示面板、制作方法和显示装置
[0001]本专利技术涉及指纹识别显示
，尤其涉及一种显示面板、制作方法和显示装置。
技术介绍
[0002]现有的具备指纹识别功能的显示面板不能在不增加掩膜层数及工艺的基础上，兼容小孔指纹设计。现有的具备指纹识别功能的显示面板需要额外设置膜层，并在所述膜层上设置成像小孔，需要增加掩膜层数和工艺，并增加了显示面板的厚度。
技术实现思路
[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种显示面板、制作方法和显示装置解决现有技术中不能在不增加掩膜层数及工艺的基础上，兼容小孔指纹设计的问题。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括指纹传感器、基底、依次设置于所述基底上的遮光层以及TFT阵列层；
[0005]所述遮光层上设置有多个成像小孔，以使得光线能够穿过所述成像小孔射向所述指纹传感器；
[0006]所述指纹传感器设置于所述基底远离所述遮光层的一侧，所述指纹传感器用于接收穿过所述成像小孔的光信号，并根据所述光信号进行指纹识别。
[0007]可选的，所述显示面板包括多个像素驱动电路；所述TFT阵列层被划分为多个TFT区域，在所述TFT区域中设置有所述像素驱动电路包括的晶体管；所述成像小孔在所述基底上的正投影位于相邻的TFT区域在所述基底上的正投影之间。
[0008]可选的，所述成像小孔在所述基底上的正投影被所述TFT阵列层中的半导体层在所述基底上的正投影和所述TFT阵列层中的金属层在所述基底上的正投影覆盖的面积，与所述成像小孔在所述基底上的正投影的面积的比值小于预定比值。
[0009]可选的，所述预定比值大于或等于0.5而小于或等于0.15。
[0010]可选的，所述遮光层在所述基底上的正投影覆盖所述TFT阵列层中的驱动晶体管的沟道在所述基底上的正投影。
[0011]可选的，所述遮光层为面状遮光层；
[0012]所述遮光层接入电源电压信号。
[0013]可选的，所述成像小孔在所述基底上的正投影占用的面积大于或等于36um2而小于或等于100um2。
[0014]可选的，所述成像小孔在所述基底上的正投影呈矩形，该矩形的长边的长度大于或等于6um而小于或等于10um，该矩形的短边的长度大于或等于6um而小于或等于10um，该矩形的长边的长度大于该矩形的短边的长度；或者，
[0015]所述成像小孔在所述基底上的正投影呈正方形，所述正方形的边长大于或等于6um而小于或等于10um。
[0016]可选的，本专利技术至少一实施例所述的显示面板还包括依次设置于所述TFT阵列层远离所述基底的一侧的阳极层、像素界定层与发光层；
[0017]所述像素界定层上形成有阵列分布的多个开口区域；所述发光层设置于所述开口区域，并通过开口区域与所述阳极层接触。
[0018]本专利技术实施例还提供了一种制作方法，用于制作上述的显示面板，所述制作方法包括：
[0019]在基底的一侧制作遮光层，对所述遮光层进行构图工艺，形成多个成像小孔；
[0020]在所述遮光层远离所述基底的一侧制作TFT阵列层；
[0021]在所述基底的远离所述遮光层的一侧设置指纹识别传感器。
[0022]可选的，在所述在所述遮光层远离所述基底的一侧制作TFT阵列层步骤之后，所述制作方法还包括：
[0023]在所述TFT阵列层远离所述基底的一侧制作阳极层；
[0024]在所述阳极层远离所述TFT阵列层的一侧制作像素界定层，所述像素界定层上形成有阵列分布的多个开口区域；
[0025]在所述像素界定层远离所述阳极层的一侧，在所述开口区域制作发光层，所述发光层通过所述开口区域与所述阳极层电连接。
[0026]本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
[0027]本专利技术实施例所述的显示面板、制作方法和显示装置复用所述遮光层以制作成像小孔，并通过设置成像小孔的位置和指纹传感器的位置，以使得光线能够穿过所述成像小孔射向所述指纹传感器，以在不增加掩膜层数以及工艺的基础上，兼容小孔指纹设计。
附图说明
[0028]图1是本专利技术至少一实施例所述的显示面板的截面图；
[0029]图2是本专利技术至少一实施例所述的显示面板中的遮光层的至少一实施例的结构图；
[0030]图3是本专利技术至少一实施例所述的显示面板中的遮光层的至少一实施例的结构图；
[0031]图4是本专利技术至少一实施例所述的显示面板中的遮光层的至少一实施例的结构图；
[0032]图5是本专利技术至少一实施例所述的显示面板中的遮光层的至少一实施例的结构图；
[0033]图6是本专利技术至少一实施例所述的显示面板中的遮挡层和TFT阵列层的layout(布局)图；
[0034]图7是本专利技术至少一实施例所述的显示面板中的遮挡层和TFT阵列层的layout(布局)图；
[0035]图8是图6中的遮光层的布局图；
[0036]图9是图7中的遮光层的布局图；
[0037]图10是图6、图7中的第一半导体层的布局图；
[0038]图11是图6、图7中的第一栅金属层的布局图；
[0039]图12是图6、图7中的第二栅金属层的布局图；
[0040]图13是图6、图7中的第二半导体层的布局图；
[0041]图14是图6、图7中的第三栅金属层的布局图；
[0042]图15是图6、图7中的第一源漏金属层的布局图；
[0043]图16是图6、图7中的第二源漏金属层的布局图。
[0044]图17是本专利技术至少一实施例所述的显示面板的截面图。
具体实施方式
[0045]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0046]本专利技术所有实施例中采用的晶体管均可以为三极管、薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本专利技术实施例中，为区分晶体管除控制极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。
[0047]在实际操作时，当所述晶体管为薄膜晶体管或场效应管时，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
[0048]本专利技术实施例所述的显示面板包括指纹传感器、基底、依次设置于所述基底上的遮光层以及TFT阵列层；
[0049]所述遮光层上设置有多个成像小孔，以使得光线能够穿过所述成像小孔射向所述指纹传感器；
[0050]所述指纹传感器设置于所述基底远离所述遮光层的一侧，所述指纹传感器用于接收穿过所述成像小孔的光信号，并根据所述光信号进行指纹识别。
[0051]本专利技术实施例所述的显示面板复用所述遮光层以制作成本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括指纹传感器、基底、依次设置于所述基底上的遮光层以及TFT阵列层；所述遮光层上设置有多个成像小孔，以使得光线能够穿过所述成像小孔射向所述指纹传感器；所述指纹传感器设置于所述基底远离所述遮光层的一侧，所述指纹传感器用于接收穿过所述成像小孔的光信号，并根据所述光信号进行指纹识别。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个像素驱动电路；所述TFT阵列层被划分为多个TFT区域，在所述TFT区域中设置有所述像素驱动电路包括的晶体管；所述成像小孔在所述基底上的正投影位于相邻的TFT区域在所述基底上的正投影之间。3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述成像小孔在所述基底上的正投影被所述TFT阵列层中的半导体层在所述基底上的正投影和所述TFT阵列层中的金属层在所述基底上的正投影覆盖的面积，与所述成像小孔在所述基底上的正投影的面积的比值小于预定比值。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述预定比值大于或等于0.5而小于或等于0.15。5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层在所述基底上的正投影覆盖所述TFT阵列层中的驱动晶体管的沟道在所述基底上的正投影。6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层为面状遮光层；所述遮光层接入电源电压信号。7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的显示面板，其特征在于，所述成像小孔在所述基底上的正投影占用的面积大于或等于36um2而小于或等于100um2。8.如权利要求1至6中任一权利要求所述的显示面板...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄耀，胡明，黄炜赟，储小东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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