【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置及其形成方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体存储装置及其形成方法，尤其是涉及一种动态随机存储器装置及其形成方法。
技术介绍
[0002]随着各种电子产品朝小型化发展之趋势，动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度之要求。对于一具备凹入式闸极结构之DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构之漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构之DRAM单元。
[0003]一般来说，具备凹入式闸极结构之DRAM单元会包含一晶体管组件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术之故，现有具备凹入式闸极结构之DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器组件之效能及可靠度。
技术实现思路
[0004]本专利技术之一目的在于提供一种半导体存储装置及其形成方法，系借助自对准双重图案化制作工艺形成多个绝缘结构，部分镶嵌于一般位线以及虚置位线。藉此，可利用该些绝缘结构更有效地隔离各个插塞，并且在简化的制作工艺下，形成组件可靠度较佳的半导体存储装置，以改善其效能。
[0005]为达上述目的，本专利技术之一实施例提供一种半导体存储装置，其包含衬底、多条位线，以及多个绝缘结构。所述位线设置在所述衬底上并相互平行地延伸于第一方向上，所述位线包括多条第一位线以及至少一条第二位线，所述第二位线设置在所有的所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：衬底；多条位线，设置在所述衬底上并延伸于第一方向上，所述位线包括多条第一位线以及至少一条第二位线，所述第二位线设置在所有的所述第一位线的一侧；以及多个绝缘结构，设置在所述衬底上并与所述位线交错，所述绝缘结构包含多个绝缘端部以及延伸于第二方向上的多个绝缘鳍片，所述第二方向垂直所述第一方向，其中，所述绝缘端部中至少一个完全位在所述第二位线内。2.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，各个所述绝缘端部具有一U型结构并且连接两个相邻的所述绝缘鳍片。3.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述绝缘端部中的至少另一个完全位在所述第二位线外。4.依据权利要求第2项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述绝缘端部中的至少另一个的所述U型结构部分延伸于所述第二位线之外。5.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，各个所述绝缘鳍片部分重叠于所述第一位线。6.依据权利要求第5项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述绝缘鳍片未重叠于所述第一位线的部分包括多个第一片段、多个第二片段以及多个第三片段，所述第一片段、所述第二片段以及所述第三片段在所述第二方向上分别具有第一长度、第二长度以及第三长度，其中，所述第一长度大于所述第二长度，所述第二长度大于所述第三长度。7.依据权利要求第6项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述第二片段设置于所有的所述第三片段的两相对侧，所述第一片段设置于所述第二片段的外侧。8.依据权利要求第6项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述第一片段直接接触部分的所述位线的端面。9.依据权利要求第6项所述之半导体存储装置，其特征在于，更包含：绝缘层，设置于所述衬底上，所述第一片段、所述第二片段以及所述第三片段直接接触所述绝缘层。10.依据权利要求第6项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述绝缘鳍片重叠于所述第一位线的部分在衬底的投影方向上具有第一深度，所述绝缘鳍片未重叠于所述第一位线的所述部分在所述投影方向上具有第二深度，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张钦福，冯立伟，童宇诚，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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