磁控溅射设备制造技术

本申请提供一种磁控溅射设备，其包括：靶材和磁铁组件。所述磁性组件设置于所述靶材的一侧，所述磁铁组件包括第一磁铁，所述第一磁铁位于所述磁铁组件的第一端部，所述第一磁铁对应于所述靶材的端部设置，所述第一磁铁的位置可调。根据本申请的磁控溅射设备，在对应于靶材端部的位置设置第一磁铁，能够提高靶材端部的磁场强度，从而减小非侵蚀区，并且能够根据溅射的不同需求调节磁铁组件的形状，从而调节作用于靶材的磁场。节作用于靶材的磁场。节作用于靶材的磁场。

【技术实现步骤摘要】
磁控溅射设备


[0001]本申请涉及磁控溅射
，尤其涉及一种磁控溅射设备。

技术介绍

[0002]磁控溅射技术被广泛应用于半导体、液晶显示器(Liquid Crystal，LCD)、有机发光二极管(Organic Light
‑
emitting Diode，OLED)显示器等的制造中。
[0003]磁控溅射设备通常包括靶材和对应于靶材设置的磁铁。在磁控溅射过程中，由于靶材的端部远离磁铁，施加于靶材的端部的磁场强度较低，导致轰击靶材的端部的等离子体(Plasma)浓度偏低或没有等离子体轰击到靶材的端部。这些等离子体浓度偏低或没有等离子体轰击的区域被称为非侵蚀(Non
‑
Erosion)区。在非侵蚀区，靶材溅射出来，由于动能太小，速度太低，没有能在目标基板上成膜的粒子会回落到靶材上。当靶材上的材料的溅射速度小于粒子的回落速度，回落的粒子就堆积在靶材表面，影响后续的溅射速度，从而影响成膜质量。另一方面，设备中还存在自带的异物，当材料的溅射速度小于设备中的异物的沉积速度，导致异物沉积在靶材上，也会影响成膜质量。因此，非侵蚀区的存在成为磁控溅射技术的痛点之一。

技术实现思路

[0004]本申请目的在于提供一种能够减小非侵蚀区的磁控溅射设备。
[0005]本申请提供一种磁控溅射设备，其包括：
[0006]靶材；和
[0007]磁铁组件，设置于所述靶材的一侧，所述磁铁组件包括第一磁铁，所述第一磁铁位于所述磁铁组件的第一端部，所述第一磁铁对应于所述靶材的端部设置，所述第一磁铁的位置可调。
[0008]在一种实施方式中，所述磁铁组件还包括第二磁铁，所述第二磁铁设置于所述第一磁铁远离所述靶材的端部的一侧，所述第二磁铁在所述靶材上的正投影从所述靶材的第一端向第二端延伸，在第一状态下，所述第二磁铁与所述第一磁铁相互分离；和/或在第二状态下，所述第二磁铁与所述第一磁铁相连。
[0009]在一种实施方式中，所述第一磁铁以延伸方向垂直于所述靶材的长度方向的方式设置。
[0010]在一种实施方式中，所述磁铁组件包括至少两个第一磁铁，至少两个所述第一磁铁间隔设置，并分别在所述第一磁铁与所述靶材的端壁之间延伸。
[0011]在一种实施方式中，在从所述第二磁铁指向所述靶材的端壁的方向上，至少两个所述第一磁铁相互远离。
[0012]在一种实施方式中，所述靶材为平面靶，所述第一磁铁的最大宽度大于所述第二磁铁的最大宽度；或者所述靶材为旋转靶，所述第一磁铁在垂直于所述靶材的长度方向上的最大横截面积大于所述第二磁铁在垂直于所述靶材的长度方向上的最大横截面积。
[0013]在一种实施方式中，所述靶材为平面靶，所述靶材包括多节子靶材，多节所述子靶材沿所述子靶材的长度方向排列设置，相邻两节所述子靶材之间形成有缺口。
[0014]在一种实施方式中，所述靶材包括第一子靶材和第二子靶材，所述第二子靶材与所述第一子靶材相邻，所述第一子靶材的一端设置有第一凸起部，所述第二子靶材的一端设置有第二凸起部，所述第一子靶材的所述第一凸起部与所述第二子靶材的所述第二凸起部相对设置，形成所述缺口。
[0015]在一种实施方式中，所述第二磁铁的延伸方向与所述靶材的长度方向相交；或者所述第二磁铁的延伸方向与所述靶材的长度方向平行。
[0016]在一种实施方式中，所述磁铁组件还包括第三磁铁，所述第三磁铁位于所述磁铁组件的第二端部，所述第三磁铁对应于所述靶材的另一端部设置，所述第三磁铁的位置可调。
[0017]根据本申请的磁控溅射设备，在对应于靶材端部的位置设置第一磁铁，能够提高靶材端部的磁场强度，从而减小非侵蚀区。由于对于不同的溅射要求，对应的磁场强度分布的要求可能不同，并且，对应于溅射进行的不同阶段，对磁场的强度分布的要求也有可能不同，本申请通过将第一磁铁的位置设置为可调，能够根据溅射的不同需求调节磁铁组件的形状，从而调节作用于靶材的磁场。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本申请的磁控溅射设备的结构示意图。
[0020]图2为本申请的磁控溅射设备的靶材的第一种结构的俯视示意图。
[0021]图3为本申请的磁控溅射设备的靶材的第二种结构的俯视示意图。
[0022]图4为图1的磁控溅射设备的第一实施方式的磁铁组件与靶材在第一状态下的俯视示意图。
[0023]图5为图1的磁控溅射设备的第一种实施方式的磁铁组件与靶材在第二状态下的俯视示意图。
[0024]图6为本申请的磁控溅射设备的第二种实施方式的磁铁组件与靶材在第三状形态下的俯视示意图。
[0025]图7为本申请的磁控溅射设备的第二种实施方式的磁铁组件与靶材在第四状态下的俯视示意图。
[0026]图8为图1的磁控溅射设备的第三实施方式的磁铁组件与靶材在第五状态下的俯视示意图。
[0027]图9为图1的磁控溅射设备的第四实施方式的磁铁组件与靶材在第六状态下的俯视示意图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地
描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
[0029]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接连接而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0030]下面，参照附图说明本专利技术的实施方式，但本专利技术并不限于本实施方式。
[0031]本申请的磁控溅射设备100能够用于半导体、LCD、OLED显示器等产品的物理气相沉积制程中。
[0032]请参考图1，本申请的磁控溅射设备100包括真空处理室10。真空处理室10可以为一箱体。真空处理室10的一端开设有排气口20，用于排出空气，形成真空环境。真空处理室10的另一端开设有进气口30，用于通入产生等离子体的处理用气体。处理用气体可以列举：氩气(Ar2)或者氮气(N2)等。处理用气体可以是单一的气体，也可以是两种以上气体的混合气体。进气口30可以与排气口20分别设置在真空处理室10的两端。
[0033]磁控溅射设备100包括承载台40、靶材50以及磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括：靶材；和磁铁组件，设置于所述靶材的一侧，所述磁铁组件包括第一磁铁，所述第一磁铁位于所述磁铁组件的第一端部，所述第一磁铁对应于所述靶材的端部设置，所述第一磁铁的位置可调。2.如权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁铁组件还包括第二磁铁，所述第二磁铁设置于所述第一磁铁远离所述靶材的端部的一侧，所述第二磁铁在所述靶材上的正投影从所述靶材的第一端向第二端延伸，在第一状态下，所述第二磁铁与所述第一磁铁相互分离；和/或在第二状态下，所述第二磁铁与所述第一磁铁相连。3.如权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一磁铁以延伸方向垂直于所述靶材的长度方向的方式设置。4.如权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁铁组件包括至少两个第一磁铁，至少两个所述第一磁铁间隔设置，并分别在所述第一磁铁与所述靶材的端壁之间延伸。5.如权利要求4所述的磁控溅射设备，其特征在于，在从所述第二磁铁指向所述靶材的端壁的方向上，至少两个所述第一磁铁相互远离。6.如权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述靶材为平面靶，所述第一磁铁的最大宽度大于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：匡友元，张铢仓，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：