一种应用晶体增大装置的结晶系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种应用晶体增大装置的结晶系统，包括结晶器本体、除雾器、晶体增稠装置、第一进料装置和母液排放管和淘析器，所述除雾器设置于结晶器本体的顶端，所述晶体增稠装置设置于结晶器本体的底端，淘析器设置于晶体增稠装置的下方所述第一进料装置与结晶器本体连接，所述晶体增稠装置包括淘析器和第二进料装置，所述淘析器与第二进料装置连接。本发明专利技术通过增设晶体增稠装置，利用淘析器及与之连接的第二进料装置能够使获得的晶体粒径增大至250um～400um，使用本发明专利技术能够获得结晶盐比表面积小的结晶盐，本发明专利技术能够有效提高产品纯度。纯度。纯度。

【技术实现步骤摘要】
一种应用晶体增大装置的结晶系统


[0001]本专利技术涉及一种应用晶体增大装置的结晶系统，属于盐结晶


技术介绍

[0002]目前，在高盐水处理蒸发结晶工艺过程中，高盐水硫酸钠结晶器的结晶粒径通常在50um以下，结晶粒径偏小，造成结晶比表面积大，晶体表面沾有母液，在后续干燥过程中，结晶盐表面会有残留的杂质，导致所产生的结晶盐品质低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于，提供一种应用晶体增大装置的结晶系统，其能够提高晶体粒径，获得的结晶盐比表面积小，结晶盐纯度高。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用如下的技术方案：一种应用晶体增大装置的结晶系统，包括结晶器本体、除雾器、晶体增稠装置、第一进料装置和母液排放管和淘析器，所述除雾器设置于结晶器本体的顶端，所述晶体增稠装置设置于结晶器本体的底端，淘析器设置于晶体增稠装置的下方所述第一进料装置与结晶器本体连接，所述晶体增稠装置包括淘析器和第二进料装置，所述淘析器与第二进料装置连接。通过晶体增稠装置可有效地减轻蒸发室气流的强烈搅动。
[0005]前述的一种应用晶体增大装置的结晶系统中，所述淘析器包括圆形防冲板、倒锥形导流筒、十字形涡流消除器、环形挡圈和肋板，肋板与结晶器本体连接，环形挡圈位于结晶器本体的正下方，十字形涡流消除器设置于环形挡圈的下方且设置于倒锥形导流筒内，所述圆形防冲板悬挂于倒锥形导流筒的下端。十字形涡流消除器用以消除蒸发室传来的旋涡，从而减轻旋涡对淘析器中流化床的干扰。将圆形防冲板使向下流动的盐浆转为径向向外,以便减小盐浆向下的冲力,防止对品床的有害干扰。盐浆经倒锥形导流筒引入淘析器。
[0006]前述的一种应用晶体增大装置的结晶系统中，所述第一进料装置包括第一进料管和进料预热器，第一进料管和进料预热器连接，所述进料预热器通过管道与结晶器本体连接。
[0007]前述的一种应用晶体增大装置的结晶系统中，所述第二进料装置包括第二进料管、第一循环泵和淘析进料管，所述淘析进料管的一端与母液排放管连接，淘析进料管的另一端与淘析器连接，所述第一循环泵设置于淘析进料管上，第二进料管的一端与淘析进料管连通。
[0008]前述的一种应用晶体增大装置的结晶系统中，所述结晶器本体包括蒸发器下椎体，所述淘析器与蒸发器下椎体连接，所述进料预热器通过管道与结晶器本体的蒸发器下椎体连接。
[0009]前述的一种应用晶体增大装置的结晶系统中，还包括机械压缩机、换热器、第二循环泵、第一换热管和第二换热管，所述机械压缩机与除雾器连接，所述机械压缩机通过管道与换热器连接，所述换热器通过第一换热管与结晶器本体连接，所述换热器通过第二换热
管与蒸发器下椎体连接，第二循环泵设置于第二换热管上。
[0010]前述的一种应用晶体增大装置的结晶系统中，所述倒锥形导流筒顶端筒面上设置有一圈小孔。挟带细晶的淘洗盐浆沿倒锥形导流筒与淘析器之间的环形区向上流动,穿过这圈小孔后再绕过环形挡圈的下端进入蒸发室。
[0011]与现有技术相比，本专利技术通过增设晶体增稠装置，利用淘析器及与之连接的第二进料装置能够使获得的晶体粒径增大至250um～400um，使用本专利技术能够获得结晶盐比表面积小的结晶盐，本专利技术能够有效提高产品纯度。
附图说明
[0012]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限制。在附图中：
[0013]图1是本专利技术的一种实施例的结构示意图；
[0014]图2是本专利技术的晶体增稠装置的结构示意图；
[0015]图3是本专利技术晶体增稠装置的俯视结构示意图。
[0016]附图标记：1
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结晶器本体，2
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除雾器，3
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晶体增稠装置，4
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第一进料装置，5
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第二进料装置，6
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圆形防冲板，7
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倒锥形导流筒，8
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十字形涡流消除器，9
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环形挡圈，10
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肋板，11
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第一进料管，12
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进料预热器，13
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第二进料管，14
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第一循环泵，15
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淘析进料管，16
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母液排放管，17
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蒸发器下椎体，18
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机械压缩机，19
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换热器，20
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第二循环泵，21
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第一换热管，22
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第二换热管，23
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淘析器，24
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小孔，25
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蒸发室。
[0017]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的说明。
具体实施方式
[0018]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0019]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0020]本专利技术的实施例1：一种应用晶体增大装置的结晶系统，包括结晶器本体1、除雾器2、晶体增稠装置3、第一进料装置4、第二进料装置5和母液排放管16，所述除雾器2设置于结晶器本体1的顶端，所述晶体增稠装置3设置于结晶器本体1的底端，所述第一进料装置4与结晶器本体1连接，所述晶体增稠装置3包括淘析器23和第二进料装置5，淘析器23与第二进料装置5连接。
[0021]本专利技术的实施例2：一种应用晶体增大装置的结晶系统，包括结晶器本体1、除雾器2、晶体增稠装置3、第一进料装置4、第二进料装置5和母液排放管16，所述除雾器2设置于结晶器本体1的顶端，所述晶体增稠装置3设置于结晶器本体1的底端，所述第一进料装置4与结晶器本体1连接，所述晶体增稠装置3包括淘析器23和第二进料装置5，淘析器23与第二进料装置5连接。淘析器23包括圆形防冲板6、倒锥形导流筒7、十字形涡流消除器8、环形挡圈9
和肋板10，肋板10与结晶器本体1连接，环形挡圈9位于结晶器本体3的正下方，十字形涡流消除器8设置于环形挡圈8的下方且设置于倒锥形导流筒7内，所述圆形防冲板6悬挂于倒锥形导流筒7的下端。
[0022]本专利技术的实施例3：一种应用晶体增大装置的结晶系统，包括结晶器本体1、除雾器2、晶体增稠装置3、第一进料装置4、第二进料装置5和母液排放管16，所述除雾器2设置于结晶器本体1的顶端，所述晶体增稠装置3设置于结晶器本体1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用晶体增大装置的结晶系统，其特征在于，包括结晶器本体(1)、除雾器(2)、晶体增稠装置(3)、第一进料装置(4)和母液排放管(16)，所述除雾器(2)设置于结晶器本体(1)的顶端，所述晶体增稠装置(3)设置于结晶器本体(1)的底端，所述第一进料装置(4)与结晶器本体(1)连接，所述晶体增稠装置(3)包括淘析器(23)和第二进料装置(5)，所述淘析器(23)与第二进料装置(5)连接。2.根据权利要求1所述的一种应用晶体增大装置的结晶系统，其特征在于，所述淘析器(23)包括圆形防冲板(6)、倒锥形导流筒(7)、十字形涡流消除器(8)、环形挡圈(9)和肋板(10)，肋板(10)与结晶器本体(1)连接，环形挡圈(9)位于结晶器本体(3)的正下方，十字形涡流消除器(8)设置于环形挡圈(8)的下方且设置于倒锥形导流筒(7)内，所述圆形防冲板(6)悬挂于倒锥形导流筒(7)的下端。3.根据权利要求2所述的一种应用晶体增大装置的结晶系统，其特征在于，所述第一进料装置(4)包括第一进料管(11)和进料预热器(12)，第一进料管(11)和进料预热器(12)连接，所述进料预热器(12)通过管道与结晶器本体(1)连接。4.根据权利要求3所述的一种应用晶体增大装置的结晶系统，其特征在于，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘进，李宏秀，秦树篷，崔德胜，张研，吴溪，庞晓辰，王栋韶，郭银秋，梁霄，曹进丰，任楠楠，李浩，解铮，刘艳芳，熬思宇，丰晓亮，杨东昱，王凡嵩，岳鹏飞，杨凯，吕奕凝，聂飞，刘夏，
申请(专利权)人：华电水务工程有限公司，
类型：发明
国别省市：