用于控制增强电压的电路和方法技术

本发明专利技术提供一种用于存储器件的电路，包括：其接收多个编程输入信号，检测哪些编程信号是激活的，并且输出依赖于激活的编程输入信号的数量而改变权重的各检测的信号；信号产生器，其从电平检测器接收所述检测的信号，并且输出产生的信号，该产生的信号具有与检测的信号的变化权重成比例的变化电压电平；以及电压增强器，其基于产生的信号控制偏置源的电压电平。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及闪存器件，更具体地涉及用于控制增强电压(boostingvoltage)的电路和方法。
技术介绍
在闪存中一般有三个操作模式，即读取、程序和擦除。依赖于闪存的类型，每个模式通常使用不同的偏压。例如，分离栅极(split gate)单元型闪存通过使用源极侧热载流子注入来编程，其在存储单元中从源极到漏极注入程序电流。增强电压用于提供程序电流。增强电压通常高于数据读取操作需要的电压。不同的电压用于产生足够用于擦除操作的电场。图1说明传统的分离栅极闪存单元阵列。闪存的单元在处于未编程时具有数据“1”值。对存储单元如在(M5)中的程序数据“0”，源极线(SL)连接增强电压(VPP)，字线(WL2)连接稍低的增强电压。比特线(BL1)连接逻辑“0”电平，而传递晶体管(P1)通过激活在(A1)的电压而导通。通过上述施加的电压，存储单元(M5)导通，并且程序电流(I)从源极(SL)流到比特线(BL1)。由程序电流(I)产生的热载流子注入分离栅极，并且编程存储单元(M5)。因为大量单元共同连接源极线，如果许多单元要同时使用数据“0”编程，那么总程序电流就必须要上升，并且源极线(SL)的电压电平可由于大的负载而被降低。连接源极线(SL)的增强电压(VPP)必须提高以适应此条件。然而，如果提高增强电压(VPP)，在有比较少量的存储单元需要使用数据“0”编程时，就要流过比需要数量更大的注入电流。在这样的情形，由于高增强电压(VPP)和程序电流，编程的存储单元经受更高的压力。经受压力的存储单元的运行寿命可缩短。图2说明用于提供增强电压VPP的传统增强电压电路。增强电压电路200包括电压增强部分21，它又包括振荡器211和泵浦电路213。泵浦电路213在由振荡器211振荡时输出处于变化电平的增强电压VPP，并且在振荡器阻塞而泵浦电路中的电荷泵(未显示)停止时输出预定的高电平。通过电平检测器23，增强电压VPP的被检测部分在VDET输出。在检测的VDET信号高于参考电压VREF时，HVDET信号处于高电平，而振荡器211的OSC输出被阻塞，并且NOR门(212)的输出处于逻辑“0”。在泵浦电路213的电荷泵浦停止并且VPP在预定的高电平输出。通过使用传统增强电压电路，依赖于粗略检测的增强电压的部分的反馈，增强电压控制被粗略控制。通过这种传统增强电压电路，在要从一个单元阵列到下一个使用数据“0”编程的单元数存在差别时，存储单元阵列的各个单元可能仍然经受来自高注入电流的不必要电平的压力。因此，存在对的需要，所述电路和方法用于提供适合改变要编程的单元数量的编程电流。
技术实现思路
提供一种用于存储器件的电路，包括其接收多个编程输入信号，检测哪些编程信号是激活的，并且输出依赖于激活的编程输入信号的数量而改变权重的各检测的信号；信号产生器，其从电平检测器接收所述检测的信号，并且输出产生的信号，该产生的信号具有与检测的信号的变化权重成比例的变化电压电平；以及电压增强器，其基于产生的信号控制偏置源(bias source)的电压电平。所述的电路，其中电平检测器包括多个输入晶体管，其接收各自的多个编程输入信号，以及第一电阻器网络，其连接多个输入晶体管，以在多个网络结点的每一个输出依赖于激活的编程输入信号的数量的固定电压的一部分。所述的电路，还包括比较器，其连接多个网络结点，该比较器比较在各网络结点的电压电平与参考电压，并且根据在各网络结点的电压电平输出变化权重的所述检测的信号。所述的电路，其中信号产生器包括多个接收晶体管，其接收各自的检测的信号，所述多个接收晶体管连接由偏置源的偏置的第二电阻器网络，所述的第二电阻器网络具有输出产生的信号的结点。所述的电路，其中电压增强器包括比较器，其比较产生的信号的电压电平与参考电压，以输出比较的信号，所述比较的信号在一个电平引起偏置源的电压增加而在另一个电平不增加偏置源的电压。所述的电路，其中存储器是闪存所述的电路，其中闪存是分离栅极类型和堆叠栅极类型之一。所述的电路，其中偏置源用于提供编程闪存的电流。所述的电路，其中偏置源的电压电平随着激活的编程输入的数量增加而成比例增加。还提供一种在存储器件中控制偏置源的方法，包括接收多个编程输入信号；产生依赖于激活的编程输入信号的数量而改变权重的各检测的信号，生成产生的信号，其具有与所述各检测的信号的变化权重成比例的变化电压电平；以及基于产生的信号控制偏置源的电压电平。所述的方法还包括在多个输入晶体管接收各自的多个编程输入信号，所述各输入晶体管连接电阻器网络，以在多个网络结点的每个输出依赖于激活的编程输入信号的数量的固定电压的一部分。所述的方法还包括在各网络结点比较电压电平与参考电压，并且根据在各网络结点的电压电平产生变化权重的所述各检测的信号。所述的方法还包括在多个接收晶体管接收各自的检测的信号，所述多个接收晶体管连接由偏置源偏置的电阻器网络，所述电阻器网络具有输出产生的信号的结点。所述的方法还包括比较产生的信号的电压电平与参考电压，以输出比较的信号，所述比较的信号在一个电平引起偏置源的电压增加，而在另一个电平不增加偏置源的电压。所述的方法，其中存储器是闪存。所述的方法，其中闪存是分离栅极类型和堆叠栅极类型之一。所述的方法，其中偏置源用于提供将闪存编程的电流。所述的方法，其中偏置源的电压电平随激活的编程输入的数量增加而成比例增加。根据所揭示的另一方面，提供一种用于存储器件的电路，包括用于接收多个编程输入信号，检测哪些编程输入信号是激活的，并且输出依赖于激活的编程输入信号的数量而改变权重的检测的信号的装置；用于接收所述检测的信号并且输出产生的信号的装置，所述产生的信号具有与检测的信号的变化权重成比例的变化电压电平；以及用于基于产生的信号控制偏置源的电压电平的装置。所述的电路，其中存储器是闪存。所述的电路，其中闪存是分离栅极类型和堆叠栅类型之一。所述的电路，其中偏置源用于提供编程闪存的电流。所述的电路，其中偏置源的电压电平随激活的编程输入的数量增加而成比例增加。一种用于存储器件的电路，包括输入测量器，其接收多个编程输入信号并且输出产生的信号，所述产生的信号具有响应多个激活的编程输入信号的变化电压电平；以及电压增强器，其基于产生的信号控制偏置源的电压电平。所述的电路，其中存储器是闪存。所述的电路，其中闪存是分离栅极类型和堆叠栅极类型之一。所述的电路，其中偏置源用于提供将闪存编程的电流。所述的电路，其中偏置源的电压电平随激活的编程输入的数量增加而成比例增加。附图说明通过参考附图详细描述本专利技术的各示范实施例，本专利技术的特征将变得被本领域普通技术人员理解，在这些图中，相同的参考标号表示相同的组件。图1说明传统的分离栅极闪存单元阵列。图2说明用于提供增强电压的传统增强电压电路。图3说明根据本专利技术的一个实施例的增强电压电路。图4是图3的电平检测器331的示意框图。图5是根据本专利技术的一个实施例的示范信号产生器333的示意图。图6说明对在要编程的DATA“0”的数量是32时的一个实例的检测器电路33的操作。图7说明对在要编程的DATA“0”的数量是24时的一个实例的检测器电路33的操作。图8说明对在要编程的DATA“0”的数量是16时的一个实例的检测器电路33的操本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于存储器件的电路，包括：电平检测器，其接收多个编程输入信号，检测哪些编程信号是激活的，并且输出依赖于激活的编程输入信号的数量而改变权重的各检测的信号；信号产生器，其从电平检测器接收所述检测的信号，并且输出产生的信号，该 产生的信号具有与检测的信号的变化权重成比例的变化电压电平；以及电压增强器，其基于产生的信号控制偏置源（ｂｉａｓｓｏｕｒｃｅ）的电压电平。

【技术特征摘要】
KR 2004-5-14 34286/04;US 2005-1-25 11/042,6081.一种用于存储器件的电路，包括电平检测器，其接收多个编程输入信号，检测哪些编程信号是激活的，并且输出依赖于激活的编程输入信号的数量而改变权重的各检测的信号；信号产生器，其从电平检测器接收所述检测的信号，并且输出产生的信号，该产生的信号具有与检测的信号的变化权重成比例的变化电压电平；以及电压增强器，其基于产生的信号控制偏置源(bias source)的电压电平。2.根据权利要求1所述的电路，其中电平检测器包括多个输入晶体管，其接收各自的多个编程输入信号，以及第一电阻器网络，其连接多个输入晶体管，以在多个网络结点的每一个输出依赖于激活的编程输入信号的数量的固定电压的一部分。3.根据权利要求2所述的电路，还包括比较器，其连接多个网络结点，该比较器比较在各网络结点的电压电平与参考电压，并且根据在各网络结点的电压电平输出变化权重的所述检测的信号。4.根据权利要求1所述的电路，其中信号产生器包括多个接收晶体管，其接收各自的检测的信号，所述多个接收晶体管连接由偏置源的偏置的第二电阻器网络，所述的第二电阻器网络具有输出产生的信号的结点。5.根据权利要求1所述的电路，其中电压增强器包括比较器，其比较产生的信号的电压电平与参考电压，以输出比较的信号，所述比较的信号在一个电平引起偏置源的电压增加而在另一个电平不增加偏置源的电压。6.根据权利要求1所述的电路，其中存储器是闪存。7.根据权利要求6所述的电路，其中闪存是分离栅极类型和堆叠栅极类型之一。8.根据权利要求6所述的电路，其中偏置源用于提供编程闪存的电流。9.根据权利要求1所述的电路，其中偏置源的电压电平随着激活的编程输入的数量增加而成比例增加。10.一种在存储器件中控制偏置源的方法，包括接收多个编程输入信号；产生依赖于激活的编程输入信号的数量而改变权重的各检测的信号，生成产生的信号，其具有与所述各检测的信号的变化权重成比例的变化电压电平；以及基于产生的信号控制偏置源的电压电平。11.根据权利要求10所述的方法，还包括在多个输入晶体管接收各自的多个编程输入信号，所述各输入晶体管连接电阻器网络，以在多个网络结...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明揆，李孝祥，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]