一种可程序化存储器及其存取方法技术

一种可程序化存储器及其存取方法。该可程序化存储器包括Ｎ列的单次可程序化存储器元件列，且每列具有多个单次可程序化存储器元件；一输出模块，接收单次可程序化存储器元件阵列的所有位输出，并产生输出数据；一判断模块，接收输出模块的输出数据与一写入数据，并根据输出数据与写入数据的个别位值产生一写入控制数据，当输出数据与写入数据的相对应位的数据不同时，写入控制数据的所述位被致能；一写入模块，在写入控制数据的位被致能时，将所对应的一单次可程序化存储器元件列中未被程序化的一单次可程序化存储器元件写入数据。由于可程序化存储器会先对每一位来判断是否要重新写入数据，因此可以提供更多次的写入机会。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可程序化存储器及其存取方法，特别涉及以N列单次可程序化存储器元件列来实施多次可程序化功能的可程序化存储器及其存取方法。
技术介绍
以晶片、超扭曲型液晶显示器(STN-LCD)、薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)制造为例，产出的成品中片与片之间的电性或光学特性通常都存在差异。目前提高良率常用的补救方法是以测量产出成品的参数后，与目标值比较并施以重新设定的作为来校正特定参数。重新设定的方法需具备容易执行，且能够永久保存的特性。常用的方法包含以保险丝(Fuse)烧断与否来记录，或以非挥发性存储器(Non-Volatile Memory)储存校正值。保险丝烧断的方法可依制造的方法的不同，由激光(Laser)或提供高电压/大电流的方式来达到；而非挥发性存储器则可由其架构差异而区分为单次可程序化存储器(One-Time Programmable Memory，OTP Memory)、多次可程序化存储器(Multi-Time Programmable Memory，MTP Memory)。这些设定作业，可依执行上的困难度，选择直接施作在上述成品上，或是先施作在其它存储元件上再通过加工方式，将额外的存储元件固定在成品上。不论是以保险丝还是非挥发性存储器设定方式，若能保有多次的重复设定的功能，就能对工厂在进行产品产出后的补救措施时提供更多的弹性。一但规格有所变更时，还可以重新设定新的校正数值。相较于单次可程序化存储器元件(如保险丝或OTP Memory)而言，采用多次可程序化存储器，如可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)或闪存(FLASH Memory)等方法需要额外的电路或较多的工序步骤才可达到，工序成本较高，且与半导体厂工序关联性高，不易分散产能风险。因此，若采用单次可程序化存储器元件(如保险丝或OTP Memory)来达到多次可程序化记录功能，则可以降低工序步骤及成本，且保有多次设定的弹性。相关文献详见下述专利US6728137B1、TW1229871以及TW1227501等专利。如图1所示，为美国专利号第6,728,137专利的可程序化存储器架构。如图1所示，该可程序化存储器10是利用多组的单次可程序化存储器区块15来达到多次可程序化记录功能。可程序化存储器10利用控制电路11通过列解码器12与行解码器13来写入与读取数据。且该可程序化存储器10必须额外利用记录元件14来记录哪个单次可程序化存储器区块15已被程序化。图2显示台湾省专利号第93110325号「使用一次可程序化元件达到多次程序化的装置与方法」申请案。该多次程序化的装置20与上述美国专利号第6,728,137的专利相同，均使用多组调整用OTP元件22来达到多次可程序化记录功能。而该多次程序化的装置20的写入装置21在将新数据写入其中一个单次可程序化存储器区块22时，会同时设定所对应的选择用OTP元件24。即利用选择用OTP元件24来代替记录元件14。而该多次程序化的装置20还利用多个选择装置23来输出最新的数据。图3显示台湾省第93113594号「使用一次可程序化元件达到多次程序化的装置与方法」申请案。该多次程序化的装置30与上述台湾省第93110325号专利相同，均使用多组调整用OTP元件22来达到多次可程序化记录功能。而该多次程序化的装置30的不同点是利用多个判断装置34来取代选择用OTP元件24。所以，该多次程序化的装置30不需额外记录哪些调整用OTP元件22。使用单次可程序化存储器元件的保险丝结构因属破坏性结构，常利用激光，或提供高电压/大电流烧断保险丝方式达到，为避免对周遭电路的影响，需区隔出较大的面积供保险丝制作使用；若使用一般工序储存电荷架构的单次可程序化存储器，在较恶劣的操作环境下，如高温，强电磁场或强光照射下，可能造成数据遗失，造成设定的校正值无法长时间保存问题，需特别利用电路设计，如增加稳压电容数量、电源限压/限流、或IC绘图的特别处理，如以金属层特别进行遮蔽等方法。因为上述原因，使单次可程序化存储器的每个位面积都较传统的多次可程序化存储器每位面积大数倍，且进行程序化的位数越多，程序化失败的机率则会越高。例如属破坏性的保险丝架构，若使用的电压/电流不足，将面临无法烧断保险丝的机率，而使用更高电压/更大电流进行烧断作业，其烧断作业次数越多，对集成电路焠炼(Stress)越严苛，越可能造成集成电路的损毁。但是，上述三种架构的共同点都是每次重新写入数据时，不管数据变化多大，都会写入新的一组的单次可程序化存储器元件中。例如，即使只有一个位数据要改变，现有方式都会使用新一组的单次可程序化存储器元件。另外，上述三种架构中每一组单次可程序化存储器元件的存储器元件数均相同，且输出时均指选择一组数据输出。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于，提出一种可减少非必要的程序化次数的可程序化存储器及其存取方法。因此，能以最少单次可程序化存储器位数来储存产出成品的校正参数，并减少非必要的程序化次数来大幅提高校正参数的设定良率。本专利技术的另一目的在于，提出一种以每个位数据来个别判断是否需要对该位数据进行修改的可程序化存储器及其存取方法。为达到上述目的，本专利技术提供一种可程序化存储器，包括N列的单次可程序化存储器元件列，且每列具有多个单次可程序化存储器元件，其中所述N为大于1的整数；一输出模块，接收单次可程序化存储器元件阵列的所有位输出，并产生输出数据，其中该输出数据的每个位是由所对应的一列单次可程序化存储器元件列的所有位数据运算而产生；一判断模块，接收输出模块的输出数据与一写入数据，并根据该输出数据与写入数据的个别位值产生一写入控制数据，当所述输出数据与写入数据的相对应位的数据不同时，将所述写入控制数据的该位被致能；以及一写入模块，接收所述写入控制数据，在写入控制数据的位被致能时，将所对应的一单次可程序化存储器元件列中未被程序化的一单次可程序化存储器元件写入数据。所述N列的单次可程序化存储器元件列的单次可程序化存储器元件数量不相同。所述N列的单次可程序化存储器元件列的单次可程序化存储器元件数量均相同。所述可程序化存储器可记录N位数据。所述输出模块具有N个运算单元，每个运算单元分别接收所对应的单次可程序化存储器元件列的所有输出，并产生所述输出数据的一位数据。所述运算单元为一互斥或门。所述输出模块包括一第一多工器，接收所述单次可程序化存储器元件阵列的输出信号，并根据一位选择信号选择其中一单次可程序化存储器元件列的输出信号作为一运算数据；一运算单元，接收所述第一多工器所输出的运算数据，并产一运算位数据；以及一缓存单元，由所述位选择信号控制，将所述运算单元输出的运算位数据储存在相对应的位置，并将所储存的数据输出为所述输出数据。所述运算单元为一互斥或门。所述判断模块包括一第二多工器，接收一输入数据，并根据一位选择信号选择其中一位作为一输入位数据；以及一判断单元，接收所述第二多工器的输入位数据与所述运算位数据，且当所述输入位数据与运算位数据不同时，将所述写入控制数据致能。所述写入模块包括一第三多工器，接收所述N列的单次可程序化存储器元件列的输出信号，并根据所述位选择信号选择其中一单次可程序化存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可程序化存储器，其特征在于，包括：Ｎ列单次可程序化存储器元件列，且每列具有多个单次可程序化存储器元件，其中所述Ｎ为大于１的整数；一输出模块，接收所述Ｎ列单次可程序化存储器元件列的所有数据，并产生一输出数据，其中该输出数据 的每个位是由所对应的一单次可程序化存储器元件列的所有数据运算而产生；一判断模块，接收所述输出数据与一写入数据，并根据该输出数据与写入数据产生一写入控制数据，当所述输出数据的第Ｘ位与写入数据的第Ｘ位数据不同时，将所述写入控制数据的第Ｘ 位致能，否则将第Ｘ位禁能，其中Ｘ为１至Ｎ的整数；以及一写入模块，接收所述写入控制数据，并将一预设数据写入有被致能的位所对应的单次可程序化存储器元件列中未被程序化的单次可程序化存储器元件。

【技术特征摘要】
1.一种可程序化存储器，其特征在于，包括N列单次可程序化存储器元件列，且每列具有多个单次可程序化存储器元件，其中所述N为大于1的整数；一输出模块，接收所述N列单次可程序化存储器元件列的所有数据，并产生一输出数据，其中该输出数据的每个位是由所对应的一单次可程序化存储器元件列的所有数据运算而产生；一判断模块，接收所述输出数据与一写入数据，并根据该输出数据与写入数据产生一写入控制数据，当所述输出数据的第X位与写入数据的第X位数据不同时，将所述写入控制数据的第X位致能，否则将第X位禁能，其中X为1至N的整数；以及一写入模块，接收所述写入控制数据，并将一预设数据写入有被致能的位所对应的单次可程序化存储器元件列中未被程序化的单次可程序化存储器元件。2.如权利要求1所述的可程序化存储器，其特征在于，所述N列的单次可程序化存储器元件列的单次可程序化存储器元件数量不相同。3.如权利要求1所述的可程序化存储器，其特征在于，所述N列的单次可程序化存储器元件列的单次可程序化存储器元件数量均相同。4.如权利要求1所述的可程序化存储器，其特征在于，所述可程序化存储器可记录N位数据。5.如权利要求1所述的可程序化存储器，其特征在于，所述输出模块具有N个运算单元，每个运算单元分别接收所对应的单次可程序化存储器元件列的所有输出，并产生所述输出数据的一位数据。6.如权利要求5所述的可程序化存储器，其特征在于，所述运算单元为一互斥或门。7.如权利要求1所述的可程序化存储器，其特征在于，所述输出模块包括一第一多工器，接收所述单次可程序化存储器元件阵列的输出信号，并根据一位选择信号选择其中一单次可程序化存储器元件列的输出信号作为一运算数据；一运算单元，接收所述第一多工器所输出的运算数据，并产一运算位数据；以及一缓存单元，由所述位选择信号控制，将所述运算单元输出的运算位数据储存在相对应的位置，并将所储存的数据输出为所述输出数据。8.如权利要求7所述的可程序化存储器，其特征在于，所述运算单元为一互斥或门。9.如权利要求7所述的可程序化存储器，其特征在于，所述判断模块包括一第二多工器，接收一输入数据，并根据一位选择信号选择其中一位作为一输入位数据；以及一判断单元，接收所述第二多工器的输入位数据与所述运算位数据，且当所述输入位数据与运算位数据不同时，将所述写入控制数据致能。10.如权利要求9所述的可程序化存储器，其特征在于，所述写入模块包括一第三多工器，接收所述N列的单次可程序化存储器元件列的输出信号，并根据所述位选择信号选择其中一单次可程序化存储器元件列的输出信号作为一已程序化数据；一写入单元，接收所述写入控制数据与第三多工器的已程序化数据，并在所述写入控制数据被致能时，产生一写入数据；以及一解多工器，接收所述写入单元的写入数据并由所述位选择信号控制，以将所述写入数据写入所对应的单次可程序化存储器元件列中未被程序化的一单次可程序化存储器元件。11.如权利要求5所述的可程序化存储器，其特征在于，所述判断模块具有N个判断单元，每个判断单元分别接收所对应的一输入位与所述输出数据的相对应输出位，且在所述输入位与输出位的数据不同时，将所述写入控制数据所对应位致能。12.如权利要求11所述的可程序化存储器，其特征在于，所述写入模块具有N个写入单元，每个写入单元分别接收所对应的单次可程序化存储器元件列的数据，并在所述写入控制数据所对应位被致能时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐瑞成，陈林谦，
申请(专利权)人：凌阳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]