一种新型双管反激电源驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型双管反激电源驱动电路，其技术方案要点是：包括驱动变压器，所述驱动变压器的上部电性连接有上部MOS管驱动电阻，所述驱动变压器的下部电性连接有下部MOS管驱动电阻，所述上驱动电阻的一端电性连接有上部MOS管，所述下部MOS管驱动电阻的一端电性连接有下部MOS管，所述上部MOS管和所述下部MOS管之间电性连接有高频变压器，所述下部MOS管驱动电阻和所述下部MOS管之间通过MLCC电容与所述驱动变压器的下部电性连接；本实用新型专利技术在下部MOS管和驱动器之间增加MLCC电容,使上下MOS管DS电压相等，发热均匀，整机效率提高，并且能够实现提高制造效率，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种新型双管反激电源驱动电路


[0001]本技术涉及电源驱动领域，特别涉及一种新型双管反激电源驱动电路。

技术介绍

[0002]近年来，新能源应用场景中，高压输入DC/DC辅助供电电源大多采用单管或者双管反激电路。双管反激电路在使用中，由于上下两只开关管驱动脉宽的实际差异，将导致上下两只开关管的DS电压不一致。本技术在驱动部分额外增加MLCC电容使上下两只开关管的驱动脉宽一致，从而改善两只开关管的电压一致性。
[0003]参照现有公开号为CN206041791U的中国专利，其公开了一种双管串联反激式开关电源，包括：输入滤波电路，用于对直流母线的高电压进行滤波；双管串联反激电路，包括主变压器和两只串联的MOS管，从直流母线上取电，并受驱动变压器控制其两只MOS管的导通与关断以进行主变压器充电与反激式放电；输出滤波电路，用于对双管串联反激电路输出的电压进行滤波；回路控制电路，其输出端通过驱动变压器与双管串联反激电路的控制端连接，回路控制电路向驱动变压器发送PWM信号；驱动变压器，用于接收回路控制电路输出的PWM信号，并同时驱动双管反激电路中的两只MOS管。
[0004]上述的这种双管串联反激式开关电源在双管串联反激电路中串联两只MOS管，可以使整个回路承受的电压更大，电压输入范围更宽、可靠性更高、故障率更低。但是上述的这种双管串联反激式开关电源依旧存在着一些缺点，如：双管反激上下部MOS管DS电压不均，会造成上下MOS管发热不均，效率低。

技术实现思路

[0005]针对
技术介绍
中提到的问题，本技术的目的是提供一种新型双管反激电源驱动电路，以解决
技术介绍
中提到的问题。
[0006]本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
[0007]一种新型双管反激电源驱动电路，包括驱动变压器，所述驱动变压器的上部电性连接有上部MOS管驱动电阻，所述驱动变压器的下部电性连接有下部MOS管驱动电阻，所述上部MOS管驱动电阻的一端电性连接有上部MOS管，所述下部MOS管驱动电阻的一端电性连接有下部MOS管，所述上部MOS管和所述下部MOS管之间电性连接有高频变压器，所述高频变压器的一端与所述驱动变压器的上部电性连接，所述驱动变压器的下部与所述下部MOS管之间电性连接，所述下部MOS管驱动电阻和所述下部MOS管之间通过MLCC电容与所述驱动变压器的下部电性连接。
[0008]通过采用上述技术方案，在驱动部分额外增加MLCC电容使上下两只开关管的驱动脉宽一致，从而改善两只开关管的电压一致性，进而使得上管和下管的DS电压能够保持在相同的大小，能够使得上管和下管的开关损耗相等，发热均匀，整机效率提高。
[0009]较佳的，所述上部MOS管和所述下部MOS管采用的均是N
‑
MOS。
[0010]通过采用上述技术方案，可以实现对电源驱动脉宽进行有效的控制调节，以及对
上部MOS管和下部MOS管的开关损耗进行均衡。
[0011]较佳的，所述上部MOS管的漏极上电性连接有电压输入端，所述下部MOS管的源极电性接地。
[0012]通过采用上述技术方案，可以实现对电路进行驱动控制，以及对电路进行安全防护。
[0013]较佳的，所述上部MOS管的栅极与所述上部MOS管驱动电阻的一端电性连接，所述下部MOS管的栅极与所述下部MOS管驱动电阻的一端电性连接。
[0014]通过采用上述技术方案，通过上部MOS管驱动电阻和下部MOS管驱动电阻实现对驱动变压器进行控制调节驱动。
[0015]较佳的，所述上部MOS管的源极与所述高频变压器的一端电性连接，所述下部MOS管的漏极与所述高频变压器的另一端电性连接。
[0016]通过采用上述技术方案，通过高频变压器实现对系统电路进行供电运行。
[0017]较佳的，所述高频变压器的次级侧电性连接有副边的整流电路和滤波电容。
[0018]通过采用上述技术方案，通过副边的整流电路和滤波电容实现对系统电路进行供电。
[0019]较佳的，所述驱动电路在上管或者下管栅源极之间额外增加MLCC电容。
[0020]通过采用上述技术方案，使上下MOS管DS电压相等，发热均匀，整机效率提高，可靠性提高。
[0021]综上所述，本技术主要具有以下有益效果：
[0022]本技术在上管或者下管的栅源极之间增加MLCC电容,使上下MOS管DS电压相等，发热均匀，整机效率提高，可靠性提高。
附图说明
[0023]图1是本技术的电路结构示意图；
[0024]图2是本技术的双管反激电源的双管DS脚上的电压示意图。
[0025]附图标记：1、驱动变压器；2、上部MOS管驱动电阻；3、下部MOS管驱动电阻；4、上部MOS管；5、下部MOS管；6、高频变压器；7、MLCC电容。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]实施例1
[0028]参考图1
‑
2，一种新型双管反激电源驱动电路，包括驱动变压器1，所述驱动变压器1的上部电性连接有上部MOS管驱动电阻2，所述驱动变压器1的下部电性连接有下部MOS管驱动电阻3，所述上部MOS管驱动电阻2的一端电性连接有上部MOS管4，所述下部MOS管驱动电阻3的一端电性连接有下部MOS管5，所述上部MOS管4和所述下部MOS管5之间电性连接有高频变压器6，所述高频变压器6的一端与所述驱动变压器1的上部电性连接，所述驱动变压
器1的下部与所述下部MOS管5之间电性连接，所述下部MOS管驱动电阻3和所述下部MOS管5之间通过MLCC电容7与所述驱动变压器1的下部电性连接。
[0029]如果双管反激电路在使用中，由于上下两只开关管驱动脉宽的实际差异，将导致上下两只开关管的DS电压不一致。通过采用上述技术方案，在驱动部分额外增加MLCC电容使上下两只开关管的驱动脉宽一致，从而改善两只开关管的电压一致性，进而使得上管和下管的DS电压能够保持在相同的大小，能够使得上管和下管的开关损耗相等，发热均匀，整机效率提高。
[0030]较佳的，所述上部MOS管4和所述下部MOS管5采用的均是N
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MOS。效果为，可以实现对电源驱动脉宽进行有效的控制调节，以及对上部MOS管4和下部MOS管5的开关损耗进行均衡。
[0031]较佳的，所述上部MOS管4的漏极上电性连接有电压输入端，所述下部MOS管5的源极电性接地。效果为，可以实现对电路进行驱动控制，以及对电路进行安全防护。
[0032]较佳的，所述上部MOS管4的栅极与所述上部MOS管驱动电阻2的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型双管反激电源驱动电路，包括驱动变压器（1），其特征在于：所述驱动变压器（1）的上部电性连接有上部MOS管驱动电阻（2），所述驱动变压器（1）的下部电性连接有下部MOS管驱动电阻（3），所述上部MOS管驱动电阻（2）的一端电性连接有上部MOS管（4），所述下部MOS管驱动电阻（3）的一端电性连接有下部MOS管（5），所述上部MOS管（4）和所述下部MOS管（5）之间电性连接有高频变压器（6），所述高频变压器（6）的一端与所述驱动变压器（1）的上部电性连接，所述驱动变压器（1）的下部与所述下部MOS管（5）之间电性连接，所述下部MOS管驱动电阻（3）和所述下部MOS管（5）之间通过MLCC电容（7）与所述驱动变压器（1）的下部电性连接。2.根据权利要求1所述的一种新型双管反激电源驱动电路，其特征在于：所述上部MOS管（4）和所述下部MOS管（5）采用的均是N
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MOS。3.根据权利要求2所述的一种新型双管反激电源驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳圣玮，
申请(专利权)人：上海麟荣电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：