存储器的自动循序烧录判别装置与方法制造方法及图纸

本发明专利技术是关于一种存储器的自动循序烧录判别装置与方法，所述的装置包括一电流感测器以及一烧录控制器，该电流感测器耦接至一烧录电源与存储单元，其检测该烧录电源至该存储单元之间是否有烧录电流的变化，并据此产生一控制信号，该烧录控制器耦接至该电流感测器，接收该控制信号并产生一烧录状态信号。本发明专利技术提供的存储器的自动循序烧录判别装置可节省下许多芯片面积与成本，并可增加存储器的运作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于存储器，特别是有关于存储器的自动循序烧录判别装置 与方法。
技术介绍
融丝存储单元电路为典型的一次性烧录式存储器(OTP memory)之一，一 般而言，传统的融丝存储单元电路的烧录需要多个烧录焊垫，这些焊垫占据 了大量芯片面积，也因此使得芯片成本提高，为了减少烧录焊垫所占据的面 积，便需将烧录焊垫的数量降至最低，因此以单一烧录焊垫来进行循序的存 储器烧录变成为电路设计者的目标之一 。再者，如果能使得存储器可以自动地循序进行烧录的动作，则在存储器 的烧录过程当中，存储器内部份闲置的资源便可以被用来进行其它用途，如 此便可提升存储器的操作效率。
技术实现思路
依据本专利技术的一实施例的一种存储器的自动循序烧录判别装置包括一电 流感测器以及一烧录控制器，该电流感测器耦接至一烧录电源与存储单元 (memory cell),其检测该烧录电源至该存储单元之间是否有烧录电流的变化， 并据此产生一控制信号，该烧录控制器耦接至该电流感测器，接收该控制信 号并产生一烧录状态信号。依据本专利技术的一实施例的一种存储器的自动循序烧录判别装置包括一电 压感测器以及一烧录控制器，该电压感测器透过存储单元耦接至一烧录电源， 其检测该存储单元的输出电压，并据此产生一控制信号，该烧录控制器耦接 至该电流感测器，接收该控制信号并产生一烧录状态信号。4依据本专利技术的一实施例的一自动循序烧录判别方法包括检测一烧录电源 至存储单元之间是否有烧录电流的变化，并据此产生一控制信号以及依据该 控制信号产生一烧录状态信号。依据本专利技术的一实施例的一自动循序烧录判别方法包括检测存储单元的 输出电压,并据此产生一控制信号以及依据该控制信号产生一烧录状态信号。本专利技术提供一存储器的自动循序烧录判别装置，其利用一电流或电压感 测器检测一存储单元的烧录状态，并据此决定是否进行下一存储单元的烧录 动作，此循序烧录方式仅需要一个烧录焊垫，因此相较于一般需要多个烧录 焊垫的存储器，可节省下许多芯片面积与成本，此外，于存储器的自动循序 烧录过程中，其部份资源(闲置的数据传输线…等)可用于其它处理工作，如 此可増加存储器的运作效率。附图说明图1A为依据本专利技术一实施例的自动循序烧录判别装置的示意图。 图1B为图1A的自动循序烧录判别装置的电流感测器的示意图。 图2A为依据本专利技术另一实施例的自动循序烧录判别装置的示意图。 图2B为图2A的自动循序烧录判别装置的电压感测器的示意图。 图3为依据本专利技术一实施例的自动循序烧录判别方法的示意图。 图4为依据本专利技术另一实施例的自动循序烧录判别方法的示意图。 附图标号-VPP 烧录焊垫；110、 210 暂存器；120、 220 数据控制器；130 电流感测器；230 电压感测器；140、 240 烧录控制器； 150、 250 存储单元；133 分压器； 135 比较器；VREF 参考电压231 第一反相器；233 第二反相器；TP P型金属氧化物半导体晶体管；TN N型金属氧化物半导体晶体管；310 检测一烧录电源至一存储单元之间是否有烧录电流的变化，并据此 产生一控制信号；320 依据该控制信号产生一烧录状态信号；330 依据该烧录状态信号控制是否进行下一个存储单元的烧录动作； 410 检测一存储单元的输出电压，并据此产生一控制信号； 420 依据该控制信号产生一烧录状态信号；430 依据该烧录状态信号控制是否进行下一个存储单元的烧录动作。 具体实施例方式为让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举 出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下图1A为依据本专利技术一实施例的自动循序烧录判别装置的示意图，其包 括一暂存器110、 一数据控制器120、 一电流感测器130以及一烧录控制器 140，该电流感测器130耦接至一烧录电源与存储单元150，其检测该烧录电 源至该存储单元150之间是否有烧录电流的变化，并据此产生一控制信号， 较佳而言，该存储单元150为融丝(Fuse)存储单元且该烧录电源为一烧录焊 垫VPP，该烧录控制器140耦接至该电流感测器130，接收该控制信号并产 生一烧录状态信号，该数据控制器120耦接至该烧录控制器140，并接收该 烧录状态信号，以控制是否进行下一个存储单元的烧录动作，该暂存器110 耦接于该数据控制器120与所述的这些存储单元150之间，较佳而言，该暂存器110为一移位暂存器(shift register),其可平行或序列地接收数据。于存 储器的自动循序烧录过程中，其部份资源(闲置的数据传输线...等)可甩于其 它处理工作，如此便可增加存储器的运作效率。于图1A中，数据以序列或平行的方式输入暂存器110并储存于其中， 当暂存器110将第一笔数据写入存储单元150时，烧录电源(或烧录焊垫VPP) 会提供大量电流，以进行存储单元的烧录，而当该电流感测器130检测到电 流变化，便产生一控制信号给烧录控制器140，烧录控制器140再产生一烧 录状态信号纟f数据控制器120，以进行下一个存储单元150的烧录动作，如 此反复进行直到存储器烧录完毕。图1B为图1A的自动循序烧录判别装置的电流感测器的示意图，该电流 感测器130包括一电阻R1、 一比较器135以及一耦接于该电阻R1与该比较 器135之间的分压器133，其中，该电阻R1位于该烧录电流的路径上，当进 行存储单元150的烧录时，烧录电源(或烧录焊垫VPP)提供大量电流II，当 电流II流经该电阻Rl会产生压降，而产生一电压VI，电压VI经过电阻 R2与R3所构成的分压器135分压后，再与一参考电压VREF —同输入一比 较器135，比较器135将分压的电压与参考电压VREF作比较后，并依据比 较的结果产生一控制信号给烧录控制器。图2A为依据本专利技术另一实施例的自动循序烧录判别装置的示意图，其 包括一暂存器210、 一数据控制器220、 一电压感测器230以及一烧录控制器 240，该电压感测器230透过存储单元250耦接至一烧录电源，其检测该存储 单元250的输出电压，并据此产生一控制信号，较佳而言，该存储单元250 为融丝(Fuse)存储单元且该烧录电源为一烧录焊垫VPP，该烧录控制器240 耦接至该电压感测器230，接收该控制信号并产生一烧录状态信号，该数据 控制器220耦接至该烧录控制器240，并接收该烧录状态信号，以控制是否 进行下一个存储单元的烧录动作，该暂存器250耦接于该数据控制器220与 所述的这些存储单元250之间，较佳而言，该暂存器250为一移位暂存器(shiftregister),其可平行或序列地接收数据。于存储器的自动循序烧录过程中，其 部份资源(闲置的数据传输线...等)可用于其它处理工作，如此便可增加存储 器的运作效率。于图2A中，数据以序列或平行的方式输入暂存器210并储存于其中， 当暂存器210将第一笔数据写入存储单元250时，烧录电源(或烧录焊垫VPP) 会提供大量电流，以进行存储单元的烧录，烧录成功时，该存储单元250会 产生输出电压信号给该电压感测器230，电压感测器230便依据检测到的电 压变化产生一控制信号给烧录控制器240，烧录控制器240再产生一烧录状 态信号给数据控制器220，以进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的自动循序烧录判别装置，其特征在于，所述的装置包括：　一电流感测器，耦接至一烧录电源与存储单元，其检测所述的烧录电源至所述的存储单元之间是否有烧录电流的变化，并据此产生一控制信号；　一烧录控制器，耦接至所述的电流感测器 ，接收所述的控制信号并产生一烧录状态信号。

【技术特征摘要】
1. 一种存储器的自动循序烧录判别装置，其特征在于，所述的装置包括一电流感测器，耦接至一烧录电源与存储单元，其检测所述的烧录电源至所述的存储单元之间是否有烧录电流的变化，并据此产生一控制信号；一烧录控制器，耦接至所述的电流感测器，接收所述的控制信号并产生一烧录状态信号。2. 如权利要求l所述的存储器的自动循序烧录判别装置，其特征在于， 所述的装置更包括一数据控制器，耦接至所述的烧录控制器，并接收所述的 烧录状态信号，以控制是否进行下一个存储单元的烧录动作。3. 如权利要求2所述的存储器的自动循序烧录判别装置，其特征在于， 所述的装置更包括一暂存器，耦接于所述的数据控制器与所述的这些存储单 元之间。4. 如权利要求l所述的存储器的自动循序烧录判别装置，其特征在于， 所述的电流感测器包括一电阻、 一比较器与一耦接于所述的电阻与所述的比 较器之间的分压器，其中，所述的电阻位于所述的烧录电流的路径上。5. —种存储器的自动循序烧录判别装置，其特征在于，所述的装置包括 一电压感测器，透过存储单元耦接至一烧录电源，其检测所述的存储单元的输出电压，并据此产生一控制信号；一烧录控制器，耦接至所述的电压感测器，接收所述的控制信号并产生 一烧录状态信号。6. 如权利要求5所述的存储器的自动循序烧录判别装置，其特征在于， 所述的装置更包括一数据控制器，耦接至所述的烧录控制器，并接收所述的 烧录状态信号，以控制是否进行下一个存储单元的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家铨，陈瑞隆，钟毅勋，陈伟松，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]