包含生物相容性聚合物纳米颗粒的存储装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及包含生物相容性聚合物纳米颗粒的存储装置以及其制造方法。本发明专利技术可以提供存储装置，当应用于生物相容性电子装置时，所述存储装置可以更有效地集成在有机半导体领域中，并且可以通过用硅烷偶联剂处理而具有优异的电容。此外，根据本发明专利技术的制造存储装置的方法使用溶液方法，使得可以通过非常简单的方法制造存储装置。法制造存储装置。法制造存储装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含生物相容性聚合物纳米颗粒的存储装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及包含生物可降解聚合物的纳米颗粒的存储装置以及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，已经进行了使用生物材料制造存储装置的方法的研究和开发，并且具体地，已经积极地研究了充电/放电层以增强存储装置的电容。
[0003]传统上，已经使用金属纳米颗粒研究了充电/放电电荷层，但对由生物相容性材料制成的存储装置缺乏研究。
[0004]此外，金属沉积工艺通过物理沉积(例如真空热沉积和溅射)、化学沉积进行，这是困难且复杂的并且需要额外的工艺，从而需要昂贵的设备。
[0005]因此，迫切需要研究和开发由生物相容性材料制成的存储装置，该存储装置通过解决上述问题并且增强电容而有效地适用于电子装置。
[0006][现有技术文献][0007](专利文献1)韩国专利公开第2013
‑
0104820号

技术实现思路

[0008][技术问题][0009]本专利技术涉及提供包含生物可降解聚合物纳米颗粒的存储装置，其适用于生物相容性电子装置。
[0010]本专利技术还涉及提供通过简单的溶液方法而不是常规的复杂方法来制造包含生物可降解聚合物纳米颗粒的存储装置的方法。
[0011][技术方案][0012]本专利技术的一个方面提供了存储装置，所述存储装置包括：包含二氧化硅(SiO2)的硅层；充电/放电层；有机半导体层；以及电极层，其中所述充电/放电层具有其中生物可降解聚合物纳米颗粒分散在硅烷基体中的结构。
[0013]本专利技术的另一方面提供了包括上述存储装置的生物相容性电子装置。
[0014]本专利技术的又一方面提供制造存储装置的方法，所述方法包括以下步骤：在包含二氧化硅(SiO2)的硅层上形成充电/放电层，在所述充电/放电层中生物可降解聚合物纳米颗粒分散在硅烷基体中；以及在所述充电/放电层上形成有机半导体层和电极层。
[0015][有益效果][0016]当应用于生物相容性电子装置时，根据本专利技术的存储装置可以更有效地集成在半导体领域中，并且可以通过包含通过用硅烷偶联剂处理而形成的硅烷基体而具有优异的电容。
[0017]此外，根据本专利技术的制造存储装置的方法使用溶液方法，使得可以通过非常简单的方法制造存储装置。
附图说明
[0018]图1是本专利技术的存储装置的图。
[0019]图2是作为构成本专利技术的存储装置的组件之一的包含二氧化硅的硅层的图。
[0020]图3是作为构成本专利技术的存储装置的组件之一的充电/放电层的图。
[0021]图4是根据本专利技术的实施方案的制造存储装置的方法的图。
[0022]图5例示出测量根据实施例的存储装置的电容
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电压(在下文，简称为“C
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V”)的结果。
[0023][参考数字列表][0024]100：存储装置
[0025]10：包含二氧化硅(SiO2)的硅层，11：硅衬底，12：二氧化硅层
[0026]20：充电/放电层，21：硅烷基体，22：生物可降解聚合物纳米颗粒
[0027]30：有机半导体层
[0028]40：电极层
具体实施方式
[0029]本专利技术可以进行多种改变和修改，并且具有若干形式。因此，应理解，本专利技术的具体实施方案在附图中例示并且在具体实施方式中详细地描述。
[0030]然而，应理解，本专利技术不旨在局限于本文阐述的具体形式，并且旨在涵盖包括在本专利技术的技术范围和主旨内的所有类型的修改、等同和替代。
[0031]还应理解，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(has)”和/或“具有(having)”，当在本文使用时指明规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多个其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或增添。
[0032]此外，本专利技术随附的附图应理解成为了便于描述而被放大或缩小。
[0033]在下文，将详细地描述本专利技术。
[0034]存储装置
[0035]图1是本专利技术的存储装置的图。参考图1，本专利技术的存储装置100包括包含二氧化硅(SiO2)的硅层10、充电/放电层20、有机半导体层30和电极层40。
[0036]图2是作为构成本专利技术的存储装置的组件之一的包含二氧化硅的硅层的图。参考图2，包含二氧化硅的硅层10包括硅衬底11和沉积在硅衬底11上的二氧化硅层12。
[0037]在这种情况下，尽管不特别限于此，但硅衬底11可以是p
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型硅衬底。
[0038]二氧化硅层12可以具有300nm或更小，具体地，5nm至300nm、10nm至100nm或10nm至30nm的平均厚度。
[0039]二氧化硅层12在硅衬底11上的沉积允许硅层10被羟基基团官能化，并且通过用UV
‑
臭氧或碱处理而被羟基基团官能化允许硅层10与硅烷偶联剂结合。
[0040]图3是作为构成本专利技术的存储装置的组件之一的充电/放电层的图。参考图3，充电/放电层20具有其中生物可降解聚合物纳米颗粒22分散在硅烷基体21中的结构。在本说明书中，术语“充电”意指通过允许电流从外部进入蓄电池或二次电池来增加所存储的电荷量；与充电相反，术语“放电”意指通过从蓄电池或二次电池排出电流来减少所存储的电荷
量；并且术语“充电/放电层”意指具有可以充电/放电电荷的层。
[0041]硅烷基体21可以具有5nm或更小，具体地，0.1nm至5nm的平均厚度。
[0042]硅烷基体21包含硅烷偶联剂。具体地，尽管不特别限于此，但硅烷偶联剂可以是(3
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缩水甘油基氧基丙基)三甲氧基硅烷(在下文，简称为“GPTMS”)。
[0043]当本专利技术的存储装置100包含硅烷基体21时，当施加较高的电压时可以增加存储效果，并且可以确保存储装置的稳定性。
[0044]在本说明书中，术语“生物可降解聚合物”意指通过包括至少一个分解过程的生物体的代谢而转化成低分子量化合物的聚合物，术语“纳米颗粒”意指至少一个维度是100nm(即，小于一千万分米)的颗粒，并且术语“生物可降解聚合物纳米颗粒”意指具有100nm或更小的直径并且由通过代谢转化成低分子量化合物的聚合物构成的颗粒。
[0045]具体地，将通过硅烷偶联剂的环氧基团与包含在生物可降解聚合物中的胺基团之间的反应形成的生物可降解聚合物纳米颗粒22分散在硅烷基体中，其中生物可降解聚合物纳米颗粒22可以具有50nm或更小，具体地，1nm至50nm的平均直径。生物可降解聚合物纳米颗粒22的平均直径可以通过已知为常规方法的激光衍射方法测量。
[0046]当本专利技术的存储装置100包含生物可降解聚合物纳米颗粒22时，存储装置100可以适用于生物相容性电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.存储装置，包括：包含二氧化硅(SiO2)的硅层；充电/放电层；有机半导体层；以及电极层，其中所述充电/放电层具有其中生物可降解聚合物的纳米颗粒分散在硅烷基体中的结构。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述硅烷基体具有5nm或更小的平均厚度。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述硅烷基体包含(3
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缩水甘油基氧基丙基)三甲氧基硅烷。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述生物可降解聚合物的纳米颗粒具有50nm或更小的平均直径。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述生物可降解聚合物是聚
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L
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精氨酸、聚组氨酸、聚色氨酸和聚
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L
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赖氨酸中的任一种。6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贤浩，姜元圭，丁献上，
申请(专利权)人：CJ第一制糖株式会社，
类型：发明
国别省市：