本实用新型专利技术公开一种用于液晶显示器驱动电路的动态移位寄存器，该动态移位寄存器包括第一单元和第二单元，该第一单元包括一逻辑信号输入端和一外部可控制的第一传输门，该第二单元包括一外部可控制的第二传输门和一逻辑信号输出端，该逻辑信号输入端和该第一传输门的输入端相连接，该第二传输门的输入端连接到该第一传输门的输出端，该第二传输门的输出端连接到该逻辑信号输出端，该第一单元进一步包括一第一保持电路，该第一保持电路连接到第一传输门的输出端，该第二单元进一步包括一第二保持电路，该第二保持电路连接到第二传输门的输出端。本实用新型专利技术的动态移位寄存器中的数据保持较稳定。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术是关于一种移位寄存器，特别是一种动态移位寄存器。
技术介绍
目前薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD(Thin Film TransistorsLiquid Crystal Displays)已逐渐成为各种数字产品的标准输出设备，其需要设计适当的驱动电路以保证其稳定工作。通常，液晶显示器驱动电路可以被分为两部分，即源极驱动电路和栅极驱动电路。源极驱动电路用于控制TFT-LCD每一像素单元的灰阶，栅极驱动电路则用于控制每一像素单元的扫描。两种驱动电路都应用移位寄存器作为核心电路。移位寄存器是能够延时数据信号并保存二进制数据信号的电路，其一般由依次连接的多级电路构成。在移位寄存器工作期间，任意时刻，移位寄存器的每一级电路皆可保存二进制的一比特资料，该一比特数据分别对应每一级电路中输出节点的高电压或低电压，而且其保存时间是时钟脉冲信号的一周期。该时钟脉冲信号同时驱动每一级电路，使每一级电路的输出端周期性地在每一时钟周期结束时输出该一比特资料到相连的下一级电路。在时钟脉冲信号连续驱动下，该一比特资料依次通过移位寄存器的每一级电路，即从第一级电路的输入端到最后一级电路的输出端。每一时钟周期内，每一级电路的输入端接收到一新的比特资料，同时该级电路的输出端移位并输出其本身保存的一比特资料到下一级电路。移位寄存器通常可分为静态移位寄存器和动态移位寄存器两种，静态移位寄存器通常允许在任意时间施加逻辑信号，并且立即产生资料输出结果。动态移位寄存器通常允许施加和时钟信号同步的逻辑信号，并且输出和时钟信号同步的逻辑信号，虽然静态移位寄存器在保存资料方面有更多的优势，但是实现静态移位寄存器所需的晶体管比实现动态移位寄存器所需的晶体管多。参考图1，是一种典型的动态移位寄存器，该动态移位寄存器100包括第一单元11和第二单元12，第一单元11包括一逻辑信号输入端101、第一传输门111和第一反相器121，第二单元12包括第二传输门112、第二反相器122和逻辑信号输出端105。该第一传输门111包括一输入端、一输出端、第一P型隔离栅场效应晶体管(P-type Insulated Gate Field Effect Transistor)181和第一N型隔离栅场效应晶体管(N-type Insulated Gate Field Effect Transistor)171，第二传输门112包括一输入端、一输出端、第二P型隔离栅场效应晶体管182和第二N型隔离栅场效应晶体管172。该逻辑信号输入端101连接到该第一传输门111的输入端，该第一传输门111的输出端连接到该第一反相器121的输入端，该第一反相器121的输出端连接到该第二传输门112的输入端，该第二传输门112的输出端连接到该第二反相器122的输入端，该第二反相器122的输出端连接到逻辑信号输出端105。该第一传输门111中，该P型隔离栅场效应晶体管181的源极和该N型隔离栅场效应晶体管171的漏极都连接到该第一传输门111的输入端，该P型隔离栅场效应晶体管181的漏极和该N型隔离栅场效应晶体管171的源极都连接到该第一传输门111的输出端，该第二传输门112中，该P型隔离栅场效应晶体管182的源极和该N型隔离栅场效应晶体管172的漏极都接到该第二传输门112的输入端，该P型隔离栅场效应晶体管182的漏极和该N型隔离栅场效应晶体管172的源极都接到该第二传输门112的输出端。提供时钟信号CLK和它的互补时钟信号XCLK到该第一传输门111的栅极和该第二传输门112的栅极后，该P型隔离栅场效应晶体管181和该N型隔离栅场效应晶体管171允许该逻辑信号输入端101的逻辑信号从该第一传输门111的输入端传输到该第一传输门111的输出端，然后该逻辑信号通过第一反相器121后出现在第二传输门112的输入端，同时，该P型隔离栅场效应晶体管182和该N型隔离栅场效应晶体管172允许该逻辑信号从第二传输门112的输入端传输到第二传输门112的输出端，然后通过该第二反相器122到该逻辑信号输出端105。每一周期内时钟信号CLK和它的互补时钟信号XCLK停止后，第一传输门111关闭，第一传输门111的输出端的电压为浮动态，该电压仅靠该第一反相器121和该第一传输门111内的该P型隔离栅场效应晶体管181和该N型隔离栅场效应晶体管171的高阻抗在维持，因此该电压容易受到其它寄生效应的影响。同样，每一周期内时钟停止后，该第二传输门112关闭，该第二传输门112的输出端的电压为浮动态，该电压也容易受到其它寄生效应的影响。为了TFT-LCD驱动电路中驱动信号保存较稳定，需要提供一种每一周期时钟停止后逻辑信号保存较稳定的动态移位寄存器。
技术实现思路
为解决现有技术动态移位寄存器数据保存不稳定的缺点，本技术提供一种数据保存较稳定的动态移位寄存器。本技术解决技术问题的技术方案是一种动态移位寄存器，包括第一单元和第二单元，第一单元包括一逻辑信号输入端和外部可控制的第一传输门，该第一传输门包括一输入端和一输出端，第二单元包括外部可控制的第二传输门和逻辑信号输出端，该第二传输门包括一输入端和一输出端，该逻辑信号输入端连接到第一传输门的输入端，该第一传输门的输出端和该第二传输门的输入端相连接，该第二传输门的输出端连接到该逻辑信号输出端，该第一单元进一步包括一第一保持电路，该第一保持电路连接到第一传输门的输出端，该第二单元进一步包括一第二保持电路，该第二保持电路连接到第二传输门的输出端。相较于现有技术，本技术的动态移位寄存器在采用保持单元后，每一周期内时钟停止后，该动态移位寄存器中的逻辑信号都能够被该保持电路持续保持，因此本技术的动态移位寄存器实现每一周期内时钟停止后，数据保存稳定的目的。另外，在第一保持单元和第二保持单元中串联一传输门可减少该动态移位寄存器保持逻辑信号的功耗。附图说明图1是现有技术动态移位寄存器的电路图。图2是本技术动态移位寄存器的第一实施方式电路图。图3A、图3B和图3C是图2所示动态移位寄存器的工作时序图。图4是本技术动态移位寄存器的第二实施方式电路图。图5A、图5B和图5C是图4所示动态移位寄存器的工作时序图。具体实施方式请参照图2，是本技术动态移位寄存器第一实施方式的电路图，该动态移位寄存器200包括第一单元21和第二单元22，第一单元21包括一逻辑信号输入端201、外部可控制的第一传输门211和第一保持电路231，第二单元22包括一外部可控制的第二传输门212、第二保持电路232和一逻辑信号输出端205。该第一传输门211包括一输入端、一输出端、第一P型隔离栅场效应晶体管281和第一N型隔离栅场效应晶体管N型隔离栅场效应晶体管271，该第二传输门212包括一输入端、一输出端、第二P型隔离栅场效应晶体管282和第二N型隔离栅场效应晶体管272，该第一保持电路231包括第一反相器221和第二反相器222，该第二保持电路232包括第三反相器223和第四反相器224。该逻辑信号输入端201连接到该第一传输门211的输入端，该第一传输门211的输出端连接到该第二传输门212的输入端，该第二传输门212的输出端连接到该逻辑信号输入端205，该第一保持本文档来自技高网...
【技术保护点】
一动态移位寄存器，包括： 第一单元，该第一单元包括一逻辑信号输入端和一外部可控制的第一传输门，该第一传输门包括一输入端和一输出端，该逻辑信号输入端和该第一传输门输入端相连接； 第二单元，该第二单元包括一外部可控制的第二传输门和一逻辑信号输出端，该第二传输门包括一输入端和一输出端，该第二传输门的输入端连接到该第一传输门的输出端，该第二传输门的输出端连接到该逻辑信号输出端； 其特征在于：该第一单元进一步包括一第一保持电路，该第一保持电路连接到第一传输门的输出端，该第二单元进一步包括一第二保持电路，该第二保持电路连接到第二传输门的输出端。
【技术特征摘要】
1.一动态移位寄存器，包括第一单元，该第一单元包括一逻辑信号输入端和一外部可控制的第一传输门，该第一传输门包括一输入端和一输出端，该逻辑信号输入端和该第一传输门输入端相连接；第二单元，该第二单元包括一外部可控制的第二传输门和一逻辑信号输出端，该第二传输门包括一输入端和一输出端，该第二传输门的输入端连接到该第一传输门的输出端，该第二传输门的输出端连接到该逻辑信号输出端；其特征在于该第一单元进一步包括一第一保持电路，该第一保持电路连接到第一传输门的输出端，该第二单元进一步包括一第二保持电路，该第二保持电路连接到第二传输门的输出端。2.如权利要求1所述的动态移位寄存器，其特征在于该第一保持电路包括第一反相器和第二反相器，该第二反相器的输入端连接到该第一反相器的输出端，该第一反相器的输入端和该第二反相器的输出端都连接到该第一单元的输出端；该第二保持电路包括第三反相器和第四反相器，该第四反相器的输入端连接到该第三反相器的输出端，该第三反相器的输入端和该第四反相器的输出端都连接到该第二单元的输出端。3.如权利要求1所述的动态移位寄存器，其特征在于该第一传输...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴宏基，彭家鹏，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。