一种MBUS主站电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MBUS主站电路，包括DCDC升压芯片，DCDC升压芯片上的FB脚电性连接有电阻二和电阻一，电阻一的一侧并联连接有电容二，电容二的一侧并联连接有电容一，DCDC升压芯片上的SW脚电性连接有线圈和稳压二极管，DCDC升压芯片上的VIN脚电性连接有电容三和电容四，DCDC升压芯片上的EN脚电性连接有开关，三级管电性连接有MOS管，MOS管电性连接有普通二极管，比较器上的引脚5电性连接有电容五，电容五电性连接有电阻四，电阻四电性连接有MBUS+端口二和MBUS

【技术实现步骤摘要】
一种MBUS主站电路


[0001]本技术涉及主站电路
，具体涉及一种MBUS主站电路。

技术介绍

[0002]MBUS是国内使用较多的一种二总线通信方式，他通过电流和电压的调制，使得去到仪表的线束数量降低到两根。且仍能保持4800bps的波特率和近千米的通信距离，这使得MBUS总线在水表、热表等行业大受欢迎。TI和国内不少厂家推出了针对MBUS的从站芯片大大提升了MBUS的普及度。
[0003]但是现在仍然没有针对MBUS的主站的芯片，从而不可以兼容多个厂商的芯片，无法实现无极性传输，且带载能力低，为此，我们提出一种MBUS主站电路。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术中存在的上述问题，提供一种MBUS主站电路，可以兼容多个厂商的芯片，实现无极性传输，带载能力可以达到300个。
[0005]为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术是通过以下技术方案实现：
[0006]一种MBUS主站电路，包括DCDC升压芯片、线圈、稳压二极管、电容一、电容二、电阻二、电阻一、电容三、电容四、开关、三级管、MOS管、普通二极管、比较器、电容五和电阻三，DCDC升压芯片上的FB脚电性连接有电阻二和电阻一，且电阻二和电阻一相串联，电阻一的一侧并联连接有电容二，电容二的一侧并联连接有电容一，DCDC升压芯片上的SW脚电性连接有线圈和稳压二极管，线圈和稳压二极管相串联，且稳压二极管与电容一、电容二和电阻二电性连接，DCDC升压芯片上的VIN脚电性连接有电容三和电容四，电容三和电容四并联连接后与线圈相串联，DCDC升压芯片上的EN脚电性连接有开关，DCDC升压芯片上的GND脚与电容一、电容二、电阻一、电容三、电容四和开关一起电性连接；
[0007]三级管电性连接有MOS管，MOS管电性连接有普通二极管，所述MOS管和普通二极管之间电性连接有MBUS+端口一，所述三级管上的2脚电性连接有MBUS
‑
端口一，且三级管上的2脚和MBUS
‑
端口一共同接地；
[0008]比较器上的引脚5电性连接有电容五，电容五电性连接有电阻四，电阻四电性连接有MBUS+端口二和MBUS
‑
端口二，比较器上的引脚6电性连接有电阻三，电阻三并联连接有电阻五。
[0009]优选地，上述用于MBUS主站电路中，DCDC升压芯片的型号为XL6019。
[0010]优选地，上述用于MBUS主站电路中，电容二、电容四和电容五均为无极性电容。
[0011]优选地，上述用于MBUS主站电路中，电容一和电容三均为有极性电容。
[0012]优选地，上述用于MBUS主站电路中，电阻五的阻值为3.3K欧姆，电阻三的阻值为10欧姆，电阻四的阻值为2欧姆。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0014]本技术结构设计合理，通过电压调制和电容充放电来解析总线上的电流变
化，实现与MBUS从站设备之间的数据交换和控制，从而可以兼容多个厂商的芯片，实现无极性传输，带载能力可以达到300个。
[0015]当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上的所有优点。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术的MBUS主站电路一；
[0018]图2为本技术的MBUS主站电路二；
[0019]图3为本技术的MBUS主站电路三；
[0020]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0021]1‑
DCDC升压芯片，2
‑
线圈，3
‑
稳压二极管，4
‑
电容一，5
‑
电容二，6
‑
电阻二，7
‑
电阻一，8
‑
电容三，9
‑
电容四，10
‑
开关，11
‑
三级管，12
‑
MOS管，13
‑
二极管，14
‑
比较器，15
‑
电容五，16
‑
电阻三。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]本技术提供一种技术方案：一种MBUS主站电路，包括DCDC升压芯片1、线圈2、稳压二极管3、电容一4、电容二5、电阻二6、电阻一7、电容三8、电容四9、开关10、三级管11、MOS管12、普通二极管13、比较器14、电容五15和电阻三16，DCDC升压芯片DCDC升压芯片1的型号为XL6019,DCDC升压芯片1上的FB脚电性连接有电阻二6和电阻一7，且电阻二6和电阻一7相串联，电阻一7的一侧并联连接有电容二5，电容二5的一侧并联连接有电容一4，DCDC升压芯片1上的SW脚电性连接有线圈2和稳压二极管3，线圈2和稳压二极管3相串联，且稳压二极管3与电容一4、电容二5和电阻二6电性连接，DCDC升压芯片1上的VIN脚电性连接有电容三8和电容四9，电容一4和电容三8均为有极性电容,电容三8和电容四9并联连接后与线圈2相串联，DCDC升压芯片1上的EN脚电性连接有开关10，DCDC升压芯片1上的GND脚与电容一4、电容二5、电阻一7、电容三8、电容四9和开关10一起电性连接（参看说明书附图中图1）；
[0024]三级管11电性连接有MOS管12，MOS管12电性连接有普通二极管13，所述MOS管12和普通二极管13之间电性连接有MBUS+端口一，所述三级管11上的2脚电性连接有MBUS
‑
端口一，且三级管11上的2脚和MBUS
‑
端口一共同接地（参看说明书附图中图2）；
[0025]比较器14上的引脚5电性连接有电容五15，电容二5、电容四9和电容五15均为无极性电容，电容五15电性连接有电阻四，电阻四电性连接有MBUS+端口二和MBUS
‑
端口二，比较器14上的引脚6电性连接有电阻三16，电阻三16并联连接有电阻五电阻五的阻值为3.3K欧姆，电阻三16的阻值为10欧姆，电阻四的阻值为2欧姆（参看说明书附图中图3）。
[0026]本实施例的一个具体应用为：本技术结构设计合理，第一步：首先利用DCDC升压芯片1，将电压从12V供电系统升压到36V（参看说明书附图中图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MBUS主站电路，包括DCDC升压芯片（1）、线圈（2）、稳压二极管（3）、电容一（4）、电容二（5）、电阻二（6）、电阻一（7）、电容三（8）、电容四（9）、开关（10）、三级管（11）、MOS管（12）、普通二极管（13）、比较器（14）、电容五（15）和电阻三（16），其特征在于：DCDC升压芯片（1）上的FB脚电性连接有电阻二（6）和电阻一（7），且电阻二（6）和电阻一（7）相串联，电阻一（7）的一侧并联连接有电容二（5），电容二（5）的一侧并联连接有电容一（4），DCDC升压芯片（1）上的SW脚电性连接有线圈（2）和稳压二极管（3），线圈（2）和稳压二极管（3）相串联，且稳压二极管（3）与电容一（4）、电容二（5）和电阻二（6）电性连接，DCDC升压芯片（1）上的VIN脚电性连接有电容三（8）和电容四（9），电容三（8）和电容四（9）并联连接后与线圈（2）相串联，DCDC升压芯片（1）上的EN脚电性连接有开关（10），DCDC升压芯片（1）上的GND脚与电容一（4）、电容二（5）、电阻一（7）、电容三（8）、电容四（9）和开关（10）一起电性连接；三级管（11）电性连接有MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：征林，
申请(专利权)人：苏州瑞谋信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：