【技术实现步骤摘要】
所属领域本专利技术涉及一种用于半导体存储器的感测放大器(sense amplifier),更确切地说,涉及一种。为增加感测放大器的稳定性,一传统技术是对感测节点VZ额外充电,如图4中所示,此感测放大器24被加入一电流装置,其时序图在图5中,晶体管MP2被提供一偏压BIAS而产生一漏电流(1eakage current)Ileakage供应给感测节点VZ,因而获得较佳的稳定性。如图6中所示,另一传统技术在感测放大器26中增加一放电电流装置MN3经一开关MN2连接数据节点VD,其时序图在图7中,感测放大器26在预充电期间先行对数据节点VD放电,以加速传输晶体管MN1被开启。Smarandoiu等人在美国专利第5390147号中的改进感测放大器增加一润滑电流镜连接数据节点及参考节点,并利用参考电流镜的反馈,以改善感测放大器的速度。然而,如此的安排使得润滑电流及参考电流经过反馈路径影响感测电流,当非理想的状况出现时,例如制造过程的差异造成参考电流的变动,将导致感测电流变化,因而发生感测速度变慢,甚至发生感测结果错误。因此,对感测放大器需要进行更进一步的改进。本专利技术的电路是这样实现的一种增进感测放大器速度及稳定性的电路,该感测放大器含有一传输晶体管具有一输入端及一输出端,该输出端耦合一感测节点,该输入端耦合一数据节点以连接一数据线,感测一存储单元的存储状态,而从该感测节点经一输出级送出一数据信号,其特征在于该电路包括第一电流镜,含有第一及第二分支,以从该第一分支镜射一中介电流在该第二分支,该第一分支与该数据节点之间插入一补偿电流装置,受控于第一控制信号而导通一补偿 ...
【技术保护点】
一种增进感测放大器速度及稳定性的电路,该感测放大器含有一传输晶体管具有一输入端及一输出端,该输出端耦合一感测节点,该输入端耦合一数据节点以连接一数据线,感测一存储单元的存储状态,而从该感测节点经一输出级送出一数据信号,其特征在于:该电路包括:第一电流镜,含有第一及第二分支,以从该第一分支镜射一中介电流在该第二分支,该第一分支与该数据节点之间插入一补偿电流装置,受控于第一控制信号而导通一补偿电流;第二电流镜,含有第三及第四分支,该第四分支耦合该感测节点,该第三分支适应该中介电流而镜射一漏电流在该第四分支;以及一充电电流装置耦合该感测节点,并受控于第二控制信号的反相输入而导通一充电电流。
【技术特征摘要】
1.一种增进感测放大器速度及稳定性的电路,该感测放大器含有一传输晶体管具有一输入端及一输出端,该输出端耦合一感测节点,该输入端耦合一数据节点以连接一数据线,感测一存储单元的存储状态,而从该感测节点经一输出级送出一数据信号,其特征在于该电路包括第一电流镜,含有第一及第二分支,以从该第一分支镜射一中介电流在该第二分支,该第一分支与该数据节点之间插入一补偿电流装置,受控于第一控制信号而导通一补偿电流;第二电流镜,含有第三及第四分支,该第四分支耦合该感测节点,该第三分支适应该中介电流而镜射一漏电流在该第四分支;以及一充电电流装置耦合该感测节点,并受控于第二控制信号的反相输入而导通一充电电流。2.根据权利要求1所述的增进感测放大器速度及稳定性的电路,其特征在于其中该第一控制信号是电源电压。3.根据权利要求1所述的增进感测放大器速度及稳定性的电路,其特征在于其中该第一电流镜具有一镜射比为1比1至3比4。4.根据权利要求1所述的增进感测放大器速度及稳定性的电路,其特征在于其中该第二电流镜具有一镜射比为1比1。5.根据权利要求1所述的增进感测放大器速度及稳定性的电路,其特征在于其中该补偿电流对该漏电流比为1比1至3比4。6.根据权利要求1所述的增进感测放大器速度及稳定性的电路,其特征在于更包括一放电电流装置插入该数据节点与该第一电流镜的第一分支之间,并受控于第三控制信号而导通一放电电流。7.根据权利要求6所述的增进感测放大器速度及稳定性的电路,其特征在于其中该第三控制信号为该第二控制信号的互补。8.根据权利要求6所述的增进感测放大器速度及稳定性的电路,其特征在于其中该充电电流对该放电电流比为5比1至10比1。9.根据权利要求1所述的增进感测放大器速度及稳定性的电路,其特征在于更包括一中介晶体管与该传输晶体管共栅极,且其源极与漏极分别连接该第一电流镜的第二分支与该第二电流镜的第三分支。10.一种增进感测放大器速度及稳定性的电路,该感测放大器含有一传输晶体管具有一源极与一漏极,该漏极作为一感测节点,该源极作为一数据节点以连接一数据线,感测一存储单元的存储状态,而从该感测节点经一输出级送出一存储信号,其特征在于该电路包括第一晶体管,具有一源极、一漏极与一栅极,该漏极连接该数据节点,该栅极连接一偏压信号;第二及第三晶体管组成的第一电流镜,该第二及第三晶体管各具有一源极、一漏极与一栅极,该两个源极接地,该两个栅极彼此连接,该第二晶体管的漏极连接其栅极以及该第一晶体管的源极;第四晶体管,具有一源极、一漏极与一栅极,该源极连接该第三晶体管的漏极,该栅极连接该传输晶体管的栅极;第五及第六晶体管组成的第二电流...
【专利技术属性】
技术研发人员:李祥邦,施义德,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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