本实用新型专利技术涉及一种机械化学研磨中研磨头进气构件，为空心圆结构，下表面设置有圆形凹槽，圆形凹槽内设置有第一凸部，上表面设置有第二凸部，围绕所述第二凸部设置有至少6个沿径向分布的凹槽；第二凸部上设置有第三凸部；第一凸部、第二凸部和第三凸部的中心线和所述空心圆结构的中心线相重合；第二凸部的表面围绕第三凸部设置有通孔；第三凸部的表面设置有通孔和至少6个气孔；气孔和所述凹槽通过通道进行连通；所述通道中的第一通道的直径＜第二通道的直径。通过对进气构件的气道进行重新设计，增加新的孔道和通道，解决了现有技术中晶圆研磨不均匀的问题，保证了晶圆研磨后可以实现完全的平坦化，提高了生产效率。提高了生产效率。提高了生产效率。
【技术实现步骤摘要】
一种机械化学研磨中研磨头进气构件
[0001]本技术涉及机械化学研磨领域，具体涉及一种机械化学研磨中研磨头进气构件。
技术介绍
[0002]目前，机械化学研磨作为晶圆制造中常用的研磨工艺，具有操作简单，生产效率高等优点。
[0003]如CN101879700A公开了一种化学机械研磨元件、晶圆的研磨方法及晶圆研磨系统，其中一种处理晶圆的化学机械研磨(CMP)元件，包含一板，以面朝上方向支撑欲进行处理的晶圆；一研磨头，面对此板，其中研磨头包含可旋转的研磨垫，当研磨垫旋转时，研磨垫可操作来接触晶圆；以及一研磨浆涂布系统，提供研磨浆给研磨垫来研磨晶圆。该元件可进行面朝上的晶圆的化学机械研磨工艺；因此可降低晶圆弯折，而可产生较佳的全域平坦度，进而可节省扫描机工艺窗时间，并且可缩减化学反应时间，而可缩减微影处理的碟状化或侵蚀。
[0004]CN112440203A公开了一种晶圆研磨系统和晶圆研磨方法，用于解决现有的研磨设备只能进行全局平整研磨，无法实现局部研磨的问题。晶圆研磨系统包括：操作平台、表面轮廓采集装置、控制单元和至少一个机械手臂；表面轮廓采集装置对晶圆的待研磨侧进行三维轮廓数据采集；至少一个机械手臂上安装有可旋转的研磨头，至少一个机械手臂上的研磨头的移动范围覆盖待研磨侧的任意位置；控制单元接受表面轮廓采集装置所采集到的轮廓数据，并通过表面形貌分析生成待研磨侧的轮廓地图模型，并将轮廓地图模型上各研磨单元的坐标与晶圆目标轮廓中的预设坐标进行对比，计算得出相应研磨单元在各个坐标方向上的研磨量，并向机械手臂输出相应的研磨指令。
[0005]然而现有技术中，在进行研磨时，晶圆表面会存在研磨不均匀的问题，即研磨完成后晶圆表面没有实现完全的平坦化，平面度较差。
技术实现思路
[0006]鉴于现有技术中存在的问题，本技术的目的在于提供一种机械化学研磨中研磨头进气构件，通过对进气构件的气道进行重新设计，增加新的孔道和通道，解决了现有技术中晶圆研磨不均匀的问题，保证了晶圆研磨后可以实现完全的平坦化，具有良好的平面度，避免了晶圆的多次加工，提高了生产效率。
[0007]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0008]本技术提供了本技术的目的在于提供一种机械化学研磨中研磨头进气构件，所述机械化学研磨中研磨头进气构件为空心圆结构；所述空心圆结构空心的侧面设置有环形凹槽；
[0009]所述空心圆结构的下表面设置有圆形凹槽，所述圆形凹槽内设置有第一凸部；
[0010]围绕所述第一凸部设置有对称的半圆键槽和至少8个凹孔；
[0011]所述空心圆结构的上表面设置有第二凸部，围绕所述第二凸部设置有至少6个沿径向分布的凹槽；
[0012]所述第二凸部上设置有第三凸部；
[0013]所述第一凸部、第二凸部和第三凸部的中心线和所述空心圆结构的中心线相重合；
[0014]所述第二凸部的表面围绕所述第三凸部设置有通孔；
[0015]所述第三凸部的表面设置有通孔和至少6个气孔；
[0016]所述气孔和所述凹槽通过通道进行连通；
[0017]所述通道包括第一通道和第二通道，所述气孔和所述第一通道连接；
[0018]所述第一通道的直径＜所述第二通道的直径。
[0019]本技术提供的通气构件，通过对进气构件的气道进行重新设计，增加新的孔道和通道，解决了现有技术中晶圆研磨不均匀的问题，保证了晶圆研磨后可以实现完全的平坦化，具有良好的平面度，避免了晶圆的多次加工，提高了生产效率。
[0020]本技术中，气孔连通第一通道、第一通道和第二通道连通，然后第二通道和凹槽连通。
[0021]本技术中，第三凸部还设置有配合设备的安装的凹槽。
[0022]作为本技术优选的技术方案，所述凹孔围绕所述空心圆结构的中心线均匀分布。
[0023]所述凹孔的直径为10
‑
12mm，例如可以是10mm、10.1mm、10.2mm、10.3mm、10.4mm、10.5mm、10.6mm、10.7mm、10.8mm、10.9mm、11mm、11.1mm、11.2mm、11.3mm、11.4mm、11.5mm、11.6mm、11.7mm、11.8mm、11.9mm或12mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0024]所述凹孔的深度为0.3
‑
0.5mm，例如可以是0.3mm、0.32mm、0.34mm、0.36mm、0.38mm、0.4mm、0.42mm、0.44mm、0.46mm、0.48mm或0.5mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0025]所述半圆键槽分布于所述凹孔之间，与相邻的所述凹孔等距。即半圆键槽距离两侧的凹孔的弧长或弦长相等。
[0026]作为本技术优选的技术方案，所述凹槽之间的夹角为30
‑
45
°
，例如可以是30
°
、31
°
、32
°
、33
°
、34
°
、35
°
、36
°
、37
°
、38
°
、39
°
、40
°
、41
°
、42
°
、43
°
、44
°
或45
°
等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0027]作为本技术优选的技术方案，所述凹槽为半圆凹槽。
[0028]作为本技术优选的技术方案，所述气孔的直径为10
‑
11mm，例如可以是10mm、10.1mm、10.2mm、10.3mm、10.4mm、10.5mm、10.6mm、10.7mm、10.8mm、10.9mm或11mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0029]所述气孔的深度为0.3
‑
0.4mm，例如可以是0.3mm、0.31mm、0.32mm、0.33mm、0.34mm、0.35mm、0.36mm、0.37mm、0.38mm、0.39mm或0.4mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0030]作为本技术优选的技术方案，所述第一通道的直径为5
‑
5.5mm，例如可以是5mm、5.1mm、5.2mm、5.3mm、5.4mm或5.5mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举
的数值同样适用。
[0031]作为本技术优选的技术方案，所述第二通道的直径为8
‑
9mm，例如可以是8mm、8.1mm、8.2mm、8.3mm、8.4mm、8.5mm、8.6mm、8.7mm、8.8mm、8.9本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种机械化学研磨中研磨头进气构件，其特征在于，所述机械化学研磨中研磨头进气构件为空心圆结构；所述空心圆结构空心的侧面设置有环形凹槽；所述空心圆结构的下表面设置有圆形凹槽，所述圆形凹槽内设置有第一凸部；围绕所述第一凸部设置有对称的半圆键槽和至少8个凹孔；所述空心圆结构的上表面设置有第二凸部，围绕所述第二凸部设置有至少6个沿径向分布的凹槽；所述第二凸部上设置有第三凸部；所述第一凸部、第二凸部和第三凸部的中心线和所述空心圆结构的中心线相重合；所述第二凸部的表面围绕所述第三凸部设置有通孔；所述第三凸部的表面设置有通孔和至少6个气孔；所述气孔和所述凹槽通过通道进行连通；所述通道包括第一通道和第二通道，所述气孔与所述第一通道连接；所述第一通道的直径＜所述第二通道的直径。2.如权利要求1所述的机械化学研磨中研磨头进气构件，其特征在于，所述凹孔围绕所述空心圆结构的中心线均匀分布；所述凹孔的直径为10
‑
12mm；所述凹孔的深度为0.3
‑
0.5mm；所述半圆键槽分布于所述凹孔之间，与相邻的所述凹孔等距。3.如权利要求1所述的机械化学研磨中研磨头进气构件，其特征在于，所述凹槽之间的夹角为30
‑
45
°
。4.如权利要求1所述的机械化学研磨中研磨头...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，惠宏业，王学泽，宋召东，
申请(专利权)人：上海江丰平芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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