一种零功耗电源切换电路及电子设备制造技术

技术编号:30850379 阅读:18 留言:0更新日期:2021-11-18 14:55
本实用新型专利技术涉及一种零功耗电源切换电路及电子设备,包括:电源输出端、主输入通路和第一至第N辅输入通路N个辅输入通路,N大于或等于1;主输入通路包括主电源输入端、第一和第二开关单元;第一开关单元的第一端接地、第二端连接电源输出端、第三端连接主电源输入端,第二开关单元的第一端连接主电源输入端、第二端连接电源输出端、第三端连接第一开关单元的第二端;每一辅输入通路均包括一辅电源输入端和一第三开关单元,在任意第n辅输入通路中,其中n小于或等于N,第三开关单元的第一端连接辅电源输入端、第二端连接电源输出端、第三端连接主输入通路,N大于1时,第一至第N

【技术实现步骤摘要】
一种零功耗电源切换电路及电子设备


[0001]本技术涉及电子
,更具体地说,涉及一种零功耗电源切换电路及电子设备。

技术介绍

[0002]当前电子产品,尤其是小家电领域,其对成本的要求越来越高。尤其在供电电路中,其设计多输入供电方式供电时,当前的切换方式通常要采用控制芯片进行对应的连接识别,以进行对应的电源切换,其电路成本较高。同时,其切换控制电路需要供电工作,其会产生能耗,消耗内部电路的电能,增大电池的能耗必然相应的会降低电池的寿命。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述部分技术缺陷,提供一种零功耗电源切换电路及电子设备。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种零功耗电源切换电路,包括:电源输出端、主输入通路和包含第一辅输入通路至第N辅输入通路的N个辅输入通路,其中N大于或等于1;
[0005]所述主输入通路包括主电源输入端、第一开关单元和第二开关单元;所述第一开关单元的第一端接地,所述第一开关单元的第二端连接所述电源输出端,所述第一开关单元的第三端连接所述主电源输入端、用于在所述主电源输入端有输入电压时驱动所述第一开关单元导通,所述第二开关单元的第一端连接所述主电源输入端,所述第二开关单元的第二端连接所述电源输出端,所述第二开关单元的第三端连接所述第一开关单元的第二端;
[0006]每一所述辅输入通路均包括一辅电源输入端和一第三开关单元,在任意第n辅输入通路中,其中n小于或等于N,所述第三开关单元的第一端连接该辅输入通路对应的辅电源输入端,所述第三开关单元的第二端连接所述电源输出端,所述第三开关单元的第三端分别连接所述主输入通路,并在N大于1时,所述第一至第N

1辅输入通路中还包括第四开关单元,所述第四开关单元的第二端接地,所述第四开关单元的第一端连接所述第三开关单元的第三端,所述第四开关单元的第三端连接该辅输入通路的辅电源输入端,并在n大于1时,所述第n辅输入通路中的第三开关单元的第三端还分别连接第n+1至第N辅输入通路的辅电源输入端和第一至第n

1辅输入通路。
[0007]优选地,所述第一开关单元包括第一MOS管,所述第一MOS管的栅极连接所述主电源输入端,所述第一MOS管的源极接地,所述第一MOS管的漏极连接所述第二开关单元的第三端。
[0008]优选地,所述第一MOS管为NMOS管。
[0009]优选地,所述第二开关单元包括第二MOS管和第一电阻,所述第二MOS管的源极连接所述电源输出端,所述第二MOS管的漏极连接所述主电源输入端,所述第二MOS管的栅极
连接所述第一开关单元的第二端,且所述第二MOS管的栅极连接所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接所述第二MOS管的源极。
[0010]优选地,所述第二MOS管为PMOS管。
[0011]优选地,在任意第n辅输入通路中,所述第三开关单元包括第三MOS管和第二电阻;所述第三MOS管的漏极连接该辅输入通路的辅电源输入端,所述第三MOS管的源极连接所述电源输出端,并在N为1时,所述第三MOS管的栅极连接所述主电源输入端和所述第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端接地。
[0012]优选地,在N大于1时,
[0013]在任意第m辅输入通路中,其中m小于N,所述第四开关单元包括第四MOS管,所述第四MOS管的栅极连接该辅输入通路的辅电源输入端,所述第四MOS管的源极接地,所述第四MOS管的漏极连接所述第二电阻的第二端;
[0014]所述主输入通路包括第一隔离单元,所述第一隔离单元的第一端连接所述主电源输入端,所述第一隔离单元的第二端分别连接第一至第N辅输入通路中的所述第三MOS管的栅极。
[0015]优选地,
[0016]所述第一至第N

1辅输入通路还分别包括第二隔离单元和第三隔离单元;在任意第m辅输入通路中,所述第二隔离单元的第一端分别连接该输入通路的辅电源输入端,所述第二隔离单元的第二端分别连接第m+1至第N辅输入通路的所述第三MOS管的栅极,所述第三隔离单元的第一端分别连接该辅输入通路的第二电阻的第二端,所述第三隔离单元的第二端分别连接第m+1至第N辅输入通路的辅电源输入端。
[0017]优选地,
[0018]所述第一隔离单元包括N组第一二极管;所述N组第一二极管的阳极均连接所述主电源输入端,所述N组第一二极管的阴极分别对应连接第一至第N辅输入通路的第三MOS管的栅极。
[0019]优选地,
[0020]在所述第m辅输入通路,所述第二隔离单元包括N

m组第二二极管,所述N

m组第二二极管的阳极均连接该辅输入通路的辅电源输入端,所述N

m组第二二极管的阴极分别对应连接第m+1至第N辅输入通路的第三MOS管的栅极;和/或
[0021]所述第三隔离单元包括N

m组第三二极管和限流电阻,所述N

m组第三二极管的阴极均经所述限流电阻连接该辅输入通路的第二电阻的第二端,所述N

m组第三二极管的阳极分别连接第m+1至第N辅输入通路的辅电源输入端。
[0022]本技术还构造一种电子设备,包括如上面任意一项所述的零功耗电源切换电路。
[0023]实施本技术的一种零功耗电源切换电路及电子设备,具有以下有益效果:电路简单且功耗低。
附图说明
[0024]下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明,附图中:
[0025]图1是本技术一种零功耗电源切换电路一实施例的逻辑框图;
[0026]图2是本技术一种零功耗电源切换电路一实施例的电路原理图;
[0027]图3是本技术一种零功耗电源切换电路另一实施例的电路原理图;
[0028]图4是本技术一种零功耗电源切换电路另一实施例的电路原理图。
具体实施方式
[0029]为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图详细说明本技术的具体实施方式。
[0030]如图1所示,在本技术的一种零功耗电源切换电路第一实施例中,包括:电源输出端110、主输入通路120和包含第一辅输入通路至第N辅输入通路的N个辅输入通路130,其中N大于或等于1;主输入通路120包括主电源输入端123、第一开关单元121和第二开关单元122;第一开关单元121的第一端接地,第一开关单元121的第二端连接电源输出端110,第一开关单元121的第三端连接主电源输入端123、用于在主电源输入端123有输入电压时驱动第一开关单元121导通,第二开关单元122的第一端连接主电源输入端123,第二开关单元122的第二端连接电源输出端110,第二开关单元122的第三端连接第一开关单元121的第二端;每一辅输入通路130均包括一辅电源输入端132和一第本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种零功耗电源切换电路,其特征在于,包括:电源输出端、主输入通路和包含第一辅输入通路至第N辅输入通路的N个辅输入通路,其中N大于或等于1;所述主输入通路包括主电源输入端、第一开关单元和第二开关单元;所述第一开关单元的第一端接地,所述第一开关单元的第二端连接所述电源输出端,所述第一开关单元的第三端连接所述主电源输入端、用于在所述主电源输入端有输入电压时驱动所述第一开关单元导通,所述第二开关单元的第一端连接所述主电源输入端,所述第二开关单元的第二端连接所述电源输出端,所述第二开关单元的第三端连接所述第一开关单元的第二端;每一所述辅输入通路均包括一辅电源输入端和一第三开关单元,在任意第n辅输入通路中,其中n小于或等于N,所述第三开关单元的第一端连接该辅输入通路对应的辅电源输入端,所述第三开关单元的第二端连接所述电源输出端,所述第三开关单元的第三端分别连接所述主输入通路;并在N大于1时,所述第一至第N

1辅输入通路中还包括第四开关单元,所述第四开关单元的第一端连接所述第三开关单元的第三端,所述第四开关单元的第二端接地,所述第四开关单元的第三端连接该辅输入通路的辅电源输入端;并在n大于1时,所述第n辅输入通路中的第三开关单元的第三端还分别连接第一至第n

1辅输入通路和第n+1至第N辅输入通路的辅电源输入端。2.根据权利要求1所述的零功耗电源切换电路,其特征在于,所述第一开关单元包括第一MOS管,所述第一MOS管的栅极连接所述主电源输入端,所述第一MOS管的源极接地,所述第一MOS管的漏极连接所述第二开关单元的第三端。3.根据权利要求2所述的零功耗电源切换电路,其特征在于,所述第一MOS管为NMOS管。4.根据权利要求1所述的零功耗电源切换电路,其特征在于,所述第二开关单元包括第二MOS管和第一电阻,所述第二MOS管的源极连接所述电源输出端,所述第二MOS管的漏极连接所述主电源输入端,所述第二MOS管的栅极连接所述第一开关单元的第二端,且所述第二MOS管的栅极连接所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接所述第二MOS管的源极。5.根据权利要求4所述的零功耗电源切换电路,其特征在于,所述第二MOS管为PMOS管。6.根据权利要求1所述的零功耗电源切换电路,其特征在于,在任意第n辅输入通路中,所述第三开关单元包括第三MOS管和第二电阻;所述第三MOS管的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖成
申请(专利权)人:深圳拓邦股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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