本申请涉及一种用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置，其电容模块包括多个并联的充电电容器，充电电容器的第一电极连接有同一个第一母排，充电电容器的第二电极连接有同一个第二母排；同轴电阻模块包括同轴电阻器以及连接件，同轴电阻器的第一电极与第一母排电连接，同轴电阻器的第二电极与连接器件模块电连接；连接器件模块包括第一连接排、测试器件以及第二连接排，第一连接排与同轴电阻器的第二电极电连接，第二连接排与第二母排电连接；第一连接排与第二连接排将第一母排与第二母排夹在中间；本申请具有电路杂感低的效果。本申请具有电路杂感低的效果。本申请具有电路杂感低的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置
[0001]本申请涉及碳化硅测试的领域，尤其是涉及一种用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置。
技术介绍
[0002]碳化硅晶片制成的功率器件具有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等优点，具有广阔的市场前景。
[0003]基于碳化硅晶片的功率器件制成后需要对其性能进行测试，目前使用碳化硅测试平台对碳化硅进行测试，碳化硅测试平台的测试主回路杂感是衡量测试性能的重要指标。由于碳化硅器件在开关时，电流的上升和下降速度十分快，测试的设备应有足够的带宽、足够短的上升时间才能准确再现开关瞬态，测试的设备中常使用电感极低的同轴电阻器，同轴电阻器具有很高的带宽，但在应用同轴电阻器的过程中，需要将同轴电阻器串联至测试主回路中，增加了主回路的杂感，降低了测试台的性能。
[0004]专利技术人认为现有结构中，同轴电阻器串联在测试主回路中，增加了测试主回路的杂感，降低了测试效果。
技术实现思路
[0005]为了降低碳化硅测试平台测试主回路的杂感，提高测试效果，本申请提供一种用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置。
[0006]本申请提供的一种用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置采用如下的技术方案：
[0007]一种用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置，包括电容模块、同轴电阻模块以及连接器件模块；
[0008]所述电容模块包括多个并联连接且充有电能的充电电容器，多个所述充电电容器的第一电极连接有同一个第一母排，多个所述充电电容器的第二电极连接有同一个第二母排；
[0009]所述同轴电阻模块包括同轴电阻器以及连接件，所述同轴电阻器的第一电极与所述第一母排电连接，所述同轴电阻器的第二电极与所述连接器件模块电连接；
[0010]所述连接器件模块包括依次电连接的第一连接排、测试器件以及第二连接排，所述第一连接排与所述同轴电阻器的第二电极电连接，所述第二连接排与所述第二母排电连接；
[0011]所述第一连接排与所述第二连接排将所述第一母排与所述第二母排夹在中间。
[0012]通过采用上述技术方案，使用多个并联的充电电容器，大幅度降低了电容模块自身的杂感，使用同轴电阻器的两个电极作为连接点，把安装同轴电阻器所产生的额外路径降至最低，利于降低电路中的杂感，将第一连接排与第二连接排层叠在第一母排与第二母排的两侧并进行互感，能够利于降低主回路中的杂感。
[0013]优选的，所述电阻模块位于所述电容模块的一侧，所述第二连接排位于所述电容模块的另一侧，所述第二连接排与所述同轴电阻器的第二电极层叠且互感设置。
[0014]通过采用上述技术方案，第二连接排与同轴电阻器的第二电极层叠互感后，利于降低第二连接排与同轴电阻器的第二电极之间的杂感。
[0015]优选的，所述第一母排与所述第二母排层叠且互感设置，所述第一母排与所述第二连接排层叠且互感设置。
[0016]通过采用上述技术方案，降低了第一母排与第二母排之间的杂感，也降低了第一母排与之间的杂感。
[0017]优选的，所述第一母排与所述第二母排之间设有绝缘板，和/或，所述第一母排与所述第二连接排之间设有绝缘板，和/或，所述第二母排与所述第一连接排之间设有绝缘板。
[0018]通过采用上述技术方案，绝缘板利于降低第一母排与第二母排之间的距离、绝缘板利于降低第一母排与第二连接排之间的距离、和/或绝缘板利于降低第二母排与第一连接排之间的距离。
[0019]优选的，所述第二母排电连接有与所述第一连接排电连接的导电环，所述同轴电阻器的第一电极朝向所述导电环的环内。
[0020]通过采用上述技术方案，导电环能够提高第二母排与第一连接排之间电连接的稳定性。
[0021]优选的，所述第二母排设有绝缘环，所述绝缘环位于所述第一连接排与所述同轴电阻器的第一电极之间。
[0022]通过采用上述技术方案，绝缘环能够降低第一连接排与所同轴电阻器的第一电极之间发生的电气干扰，不利于发生漏电或击穿，利于降低第一连接排与同轴电阻器的第一电极之间的距离。
[0023]优选的，所述绝缘环包围所述同轴电阻器的第一电极。
[0024]通过采用上述技术方案，进一步利于降低第一连接排与同轴电阻器的第一电极之间的距离，不利于发生漏电或击穿。
[0025]优选的，所述绝缘环位于所述导电环内，且所述绝缘环轴向上的长度尺寸大于所述导电环轴向上的长度尺寸。
[0026]通过采用上述技术方案，增加了击穿所经过的爬电路径，进一步利于降低第一连接排与同轴电阻器的第一电极之间的距离。
[0027]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
[0028]1.使用多个并联的充电电容器，大幅度降低了电容模块自身的杂感；
[0029]2.使用同轴电阻器的两个电极作为连接点，把安装同轴电阻器所产生的额外路径降至最低，利于降低电路中的杂感；
[0030]4.连接排、电极以及母排之间层叠且互感的设置方式，进一步降低了电路的杂感。
附图说明
[0031]图1是本申请实施例的整体结构示意图；
[0032]图2是本申请实施例展示层叠结构的竖直截面示意图。
[0033]附图标记：100、电容模块；110、充电电容器；120、第一母排； 130、第二母排； 140、绝缘板；150、导电环；160、绝缘环；200、同轴电阻模块；210、同轴电阻器； 300、连接器件模块；310、第一连接排；320、测试器件；330、第二连接排。
具体实施方式
[0034]以下结合附图1
‑
2对本申请作进一步详细说明。
[0035]本申请实施例公开一种用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置。
[0036]参照图1与图2，用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置包括电容模块100、同轴电阻模块200以及连接器件模块300。
[0037]电容模块100包括多个并联连接且充有电能的充电电容器110，充电电容器110具有第一电极与第二电极，多个充电电容器110的第一电极连接有同一个第一母排120，多个充电电容器110的第二电极连接有同一个第二母排130，第一母排120与第二母排130均为水平放置且导电的平板，两者层叠设置呈互感状态，且中间夹设有绝缘材料制成的绝缘板140。
[0038]同轴电阻模块200包括同轴电阻器210以及将同轴电阻器210进行固定的连接件，同轴电阻器210的第一电极通过连接件与第一母排120固定并电连接，同轴电阻器210的第二电极设为平板状并且也可通过连接件与连接器件模块300固定并电连接。
[0039]连接器件模块300包括依次电连接的第一连接排310、测试器件320以及第二连接排330，第一连接排310与同轴电阻器210的第二电极电连接，第二连接排330与第二母排130电连接。第一连接排310延伸至第一母排120的上方，两者层叠设置呈互感状态，并且两本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置，其特征在于：包括电容模块（100）、同轴电阻模块（200）以及连接器件模块（300）；所述电容模块（100）包括多个并联连接且充有电能的充电电容器（110），多个所述充电电容器（110）的第一电极连接有同一个第一母排（120），多个所述充电电容器（110）的第二电极连接有同一个第二母排（130）；所述同轴电阻模块（200）包括同轴电阻器（210）以及连接件（220），所述同轴电阻器（210）的第一电极与所述第一母排（120）电连接，所述同轴电阻器（210）的第二电极与所述连接器件模块（300）电连接；所述连接器件模块（300）包括依次电连接的第一连接排（310）、测试器件（320）以及第二连接排（330），所述第一连接排（310）与所述同轴电阻器（210）的第二电极电连接，所述第二连接排（330）与所述第二母排（130）电连接；所述第一连接排（310）与所述第二连接排（330）将所述第一母排（120）与所述第二母排（130）夹在中间。2.根据权利要求1所述的用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置，其特征在于：所述电阻模块位于所述电容模块（100）的一侧，所述第二连接排（330）位于所述电容模块（100）的另一侧，所述第二连接排（330）与所述同轴电阻器（210）的第二电极层叠且互感设置。3.根据权利要求1所述的用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊，陈翰森，陆熙，
申请(专利权)人：忱芯科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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