可移动式的记录载体(40)具有构成比特位置阵列(11)的在基片上的电磁材料层的信息面。材料的磁状态表示每个比特位置的数值。存储设备(35)具有与信息面配合的交界面(32)。交界面具有对电磁材料的所述磁状态敏感的电磁单元阵列(31)。记录载体和设备具有对准单元(38,41),用于当记录载体被安装在该设备时把比特位置定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括记录载体和存储设备的存储系统,该记录载体具有信息面,该信息面配备有构成比特位置阵列的电磁材料,在比特位置处所述材料的磁状态代表它的数值。本专利技术还涉及一种记录载体,它包括在配备有构成比特位置阵列的电磁材料层的基片上的信息面,在比特位置处所述材料的磁状态代表它的数值。本专利技术还涉及一种存储设备。用于存储信息的存储系统、记录载体、和设备是从专利US5,956,216中获知的。使用在盘型记录载体上的磁材料的数据存储系统是熟知的,例如像软盘那样的可移动式磁记录载体。该文献描述图案型的磁记录载体。记录载体具有信息面,该信息面配备有可被来自写磁头的适当的磁场磁化的磁层。具体地,信息面配备有非磁性基片和可以具有两个磁化值的磁域单元。磁域单元构成用于存储数据的单个比特的比特位置。该设备具有磁头和写入单元,用于把信息记录在记录载体上的由比特位置构成的磁道上。比特位置的数值必须通过对与该比特位置相对的读/写磁头进行定位而被设置或检索,所述定位是例如通过扫描该磁道而实现的。已知的磁存储系统的问题在于,该扫描不允许立即随机访问任何比特位置。经过跳跃把磁头定位到磁道上所需要的部分的过程是费时的。因此,本专利技术的目的是提供一种允许快速访问比特位置的、包括用于存储信息的记录载体和设备的系统。按照本专利技术的第一方面,所述目的是用在开头段落中规定的存储系统完成的,该存储设备具有用于与信息面配合工作的交界面,所述交界面配备有对电磁材料的所述磁状态敏感的电磁单元阵列,所述记录载体可被耦合到存储设备并可以从存储设备上拆下,以及所述系统具有对准装置,用于在所述耦合期间把比特位置定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。按照本专利技术的第二方面,所述目的是用在开头段落中规定的记录载体完成的,其特征在于,记录载体包括对准装置,用于在所述耦合期间把比特位置定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。按照本专利技术的第三方面,所述目的是用在开头段落中规定的设备完成的,其特征在于,该设备包括与信息面配合工作的交界面,所述交界面配备有对电磁材料的所述磁状态敏感的电磁单元阵列;以及对准装置,用于在所述耦合期间把电磁单元定位到靠近在电磁单元与相应的比特位置之间的近场工作距离内的比特位置。由与信息面配合工作的电磁单元组成的阵列的效果是来自大量比特位置的数据可以经由电磁交互作用同时被检索。这具有可以高速存取数据的优点。特别是,该对准与一个扫描系统的不同之处在于该阵列与平行于信息面的比特位置对准,另外还在于相对于信息面的高度。与扫描硬磁盘系统相比较,其优点在于不需要在磁头与盘之间的高扫描速度,这可防止毁灭性的磁头-磁盘的交互作用,如磁头碰撞。本专利技术是基于以下的认识。硬磁盘存储系统提供非可移动式记录载体,它可以通过在用户设备的层或图案中的磁化材料被记录。然而,像软盘那样的可拆卸磁盘是慢的和大的,并且需要对于机械撞击敏感的扫描机构。本专利技术者已看到,在记录载体上的数据可以通过把信息面的表面紧密靠近电磁单元阵列而被快速和可靠地存取。这些单元可以检测实际上与比特位置的最小尺度处在同一个数量级的预定的近场工作距离内的磁状态。为了使得这些单元与近场工作距离内的比特位置相对和靠近,需要对准。通过使用例如从生产MRAM的磁存储设备获知的固态生产方法,可以生产适当的读/写单元。在记录载体的实施例中,基片由柔性的材料制成,以便允许把比特位置定位到靠近到比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。刚性的基片需要高级别的面。柔性的材料具有的优点是通过在柔性的材料上施加压力,可以容易达到在比特位置与电磁单元之间的紧密接触。按照本专利技术的记录载体和存储设备的另外的优选实施例在另外的权利要求中给出。通过参照在以下的说明中作为例子描述的实施例和参照附图,将明白和进一步阐述本专利技术的这些和其它方面,其中附图说明图1示出信息载体部分(顶视图),图2示出信息载体部分和电磁单元,图3示出读出部分,图4a示出存储设备(项视图)和记录载体,图4b示出存储设备(侧视图)和记录载体,图4c示出在盒式磁盘中的记录载体,图5示出电磁单元阵列,图6示出读模式下的传感器单元,以及图7示出写模式下的读/写单元。在图中,对应于已描述的单元的单元具有相同的参考编号。图1示出信息载体部分(顶视图)。信息载体部分10具有信息面,该信息面配备有构成比特位置的阵列11的磁性材料12。在信息面上材料12的磁状态提供用于表示比特位置的数值的物理参数。应当注意,信息面位于信息载体部分10的顶面13上。信息载体部分的顶面13用来耦合到读出部分的交界面。信息面被认为是存在于离物理上的顶层的有效距离处,例如,用于保护信息面的薄的覆盖层可以构成信息载体部分的外层。而且,应当注意,远离顶面13和处在预期的读出部分的近场工作距离以外的材料不被看作为信息面的一部分。在所述读出部分中的电磁单元被放置在信息面附近,但像污染物那样的某些居间材料可能存在于该信息面与电磁单元之间。因此,有效距离由任何居间材料确定。预期的读出单元具有从交界面向外向信息面延伸的近场工作距离。下面参照图2说明用于读信息的、在信息面处的材料的磁状态的物理影响。图2示出信息载体部分和电磁单元。信息载体部分由基片21构成。信息面在基片21的顶面上由磁性材料层22构成,信息层的区域构成比特位置阵列23。在第一电磁单元24对面的第一比特位置中,材料具有例如表示逻辑值1的磁状态;在第二电磁单元25对面的第二比特位置中,材料具有表示逻辑值0的磁状态;以及在第三电磁单元26对面的第三比特位置中,材料具有表示逻辑值1的磁状态。电磁单元24、25、26具有用于检测磁状态的多层堆叠,如图6详细地示出的。多层堆叠的顶层受比特位置的磁状态影响。磁性材料层23可以通过熟知的用于磁介质的制造方法被应用,以及在生产期间可以应用编程,用于预先设置比特位置的磁状态。适当的制造方法是使用掩模的溅射或模压。图3示出读出部分。读出部分30用来与上述的信息载体部分配合工作。此外,读出部分具有交界面32。交界面32配备有电磁单元阵列31。该阵列是对近场工作距离上的材料的磁状态敏感的电磁传感器单元的二维布局。该阵列类似于下面参照图5描述的比特单元的固态MRAM阵列。应当注意,可以选择电磁材料与传感器单元的其它组合。在另一个实施例中,传感器单元被安排来发射作为用于影响材料(例如从CD-RW获知的相变材料)的状态的电磁场的光以及检测材料对于离光源的近场工作距离的影响。下面描述的另外的实施例是基于磁性材料的使用。适用的材料是硬磁材料以及适用的电磁单元是基于磁阻效应。下面参照图6和7描述一个例子。图4a示出存储设备(顶视图)和记录载体。存储设备具有外壳35和开口36,用于容纳记录载体40。记录载体40包括信息载体部分10,该信息载体部分10具有信息面,该信息面具有如上参照图1和2描述的比特位置阵列11。而且,记录载体具有对准单元41,以便与在设备上的互补对准单元38配合,用于在所述耦合期间把比特位置定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。记录载体的读出是通过如下所述的在将介质插入到读出设备期间提供适当的对准和对正(registra本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种存储系统,其包括记录载体和存储设备,-该记录载体具有一个配备有构成比特位置阵列的电磁材料的信息面,在一个比特位置处,所述材料的磁状态表示该比特位置的数值,以及-该存储设备具有与信息面配合工作的交界面,所述交界面配备有对电磁材料的所述磁状态敏感的电磁单元阵列,所述记录载体可被耦合到存储设备和从存储设备拆下,以及-该系统具有对准装置,用于在所述耦合期间把比特位置定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。
【技术特征摘要】
EP 2002-10-3 02079079.61.一种存储系统,其包括记录载体和存储设备,-该记录载体具有一个配备有构成比特位置阵列的电磁材料的信息面,在一个比特位置处,所述材料的磁状态表示该比特位置的数值,以及-该存储设备具有与信息面配合工作的交界面,所述交界面配备有对电磁材料的所述磁状态敏感的电磁单元阵列,所述记录载体可被耦合到存储设备和从存储设备拆下,以及-该系统具有对准装置,用于在所述耦合期间把比特位置定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。2.在如权利要求1中所述的系统中使用的记录载体,该记录载体包括在配备有一个构成比特位置的阵列的电磁材料层的基片上的信息面,在一个比特位置处,所述材料的磁状态表示比特位置的数值,其特征在于,该记录载体包括对准装置,用于在所述耦合期间把比特位置(23)定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。3.如权利要求2所述的记录载体,其中所述基片由柔性的材料制成,以允许把比特位置定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。4.如权利要求2所述的记录载体,其中该记录载体包括一个具有开口和盖子的盒式磁盘,该开口用于当被耦合到设备时暴露信息面;该...
【专利技术属性】
技术研发人员:KMH伦斯森,H范豪坦,
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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