用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路及升压方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路及升压方法，升压电路提供在可抹除可编程唯读存储器装置内的存储元件所需的高准位电压，升压电路包括利用一电源电压准位检测电路接收检测一电源电压准位，以得到一检测结果，并有一振荡电路输出一振幅与电源电压准位相等的周期性信号，另有一驱动电路根据检测结果及周期性信号产生一驱动信号至一电荷移转电路，使得电荷移转电路通过由周期性信号及驱动信号将电源电压准位提高，并输出至一变压器调变提升后，即可输出高于电源电压准位的高准位电压。本发明专利技术可在一２．５Ｖ～３．６Ｖ或３．６Ｖ～５．０Ｖ的宽幅工作电压范围内将电源电压准位升高，并可简化变压器设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种升压电路及其升压方法，特别是关于一种应。
技术介绍
可抹除可编程唯读存储器属于一种非挥发性存储器，其无需电源持续供应也能保有存储内容的优点，加上低耗电、高写入/抹除效率、可重复写入及高密度等优点，使得其应用范围相当广泛，例如于行动电话、个人数位助理(PDA)及各式消费性电子产品中，可抹除可编程唯读存储器已成为必要元件。半导体产业分成专业半导体制造公司及无晶圆厂的IC设计公司，专业半导体制造公司主要以提供标准CMOS制程为主，如果需其它特殊制程，则需较昂贵制造费用，而利用CMOS逻辑制程制造的可抹除可编程唯读存储器不需要特殊制程，因此逐渐地被当成嵌入式存储元件使用。可抹除可编程唯读存储器操作于编程程序或抹除程序时，是透过存储元件在高电场强度下所产生的热电子效应或电子隧道迁移效应来达成，而为达到此热电子效应或电子隧道迁移效应，此存储元件的源极与汲极间或源极与闸极间的偏压需高达8V以上，对应用于宽幅工作电压范围的可抹除可编程唯读存储器而言，如何控制升压电路的输出准位是一大挑战。有鉴于此，本专利技术是针对上述的困扰，提出一种应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路及其升压方法，以改善上述的缺失。
技术实现思路
本专利技术的主要目的，是在提供一种应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其在一宽幅工作电压范围内，将电源电压准位升高，以提供可抹除可编程唯读存储器装置的存储元件所需的高准位电压。本专利技术的另一目的，是在提供一种应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，使得电源电压准位的提升位在一较小的变化幅度内，以简化变压器设计。为达到上述的目的，本专利技术提出一种应用于可抹除可编程唯读存储体装置的升压电路，包括一电源电压准位检测电路，其在接收并检测一电源电压准位后得到一检测结果，且有一振荡电路输出一输出振幅与电源电压准位相等的周期性信号，再利用一驱动电路根据检测结果及周期性信号产生一驱动信号，并通过由一电荷移转电路根据周期性信号及驱动信号来提升电源电压准位，另有一变压器接收并调变电荷移转电路提升后的电源电压准位，以输出一高于电源电压准位的高准位电压。本专利技术另外提出一种应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压方法，其步骤包括首先提供一电源电压准位，并检测电源电压准位以得到一检测结果，且再提供一周期性信号而产生额外的电荷，并根据检测结果提供一驱动信号，以根据驱动信号利用额外的电荷将电源电压准位提高，最后调变电源电压准位并输出一高于电源电压准位的高准位电压。以下通过由具体实施例配合所附的图式详加说明，当更容易了解本专利技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所达成的功效。附图说明图1为本专利技术的升压电路的内部电路方块图；图2为本专利技术的升压电路内的电源电压准位检测电路的内部电路方块图；图3为本专利技术的电源电压准位检测电路内部的参考电压产生器的电路图；图4为本专利技术的升压电路内的驱动电路的内部电路方块图；图5为本专利技术的升压电路内的电荷移转电路的电路示意图；图6为本专利技术的用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压方法的步骤流程图；图7为可抹除可编程唯读存储器装置的电路方块图；图8为可抹除可编程唯读存储胞阵列的电路示意图；图9为可抹除可编程唯读存储胞阵列内的每一存储元件的电路示意图；图10为现有的电荷移转电路在宽幅工作电压范围所得到的高准位输出图；图11为本专利技术的电号移转电路在宽幅工作电压范围所得到的高准位输出图。具体实施例方式本专利技术提出一种应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其是提供一可抹除可编程唯读存储器装置所需的高准位电压，可抹除可编程唯读存储器装置包括m列n行的存储元件，而本专利技术利用升压电路提高一电源电压准位，以提供存储元件所需的高准位电压。首先，本专利技术提出一种应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，图1所示为升压电路的内部电路方块图，升压电路包括一电源电压准位检测电路202，将工作电压范围为2.5V～3.6V或3.6V～5V的电源电压准位输入至电源电压准位检测电路202，电源电压准位检测电路202检测电源电压准位以得到一检测结果，并有一振荡电路204输出一频率为5MHz～200MHz的周期性信号，此周期性信号为方波，且周期性信号的输出振幅等于电源电压准位，且有一驱动电路206连接振荡电路204及电源电压准位检测电路202，并根据检测结果及周期性信号产生一驱动信号，及一电荷移转电路208利用周期性信号产生的额外电荷及根据驱动信号来提升电源电压准位，另有一变压器(regulator)210连接电荷移转电路208及电源电压准位检测电路202，以接收并调变电荷移转电路208提升后的电源电压准位，以输出高于电源电压准位的高准位电压，此高准位电压可大于10V以上。其中，当电源电压准位介于2.5V～3.6V间时，电源电压准位检测电路202检测该电源电压准位是否大于3.0V，当电源电压准位大于3.0V，驱动电路206便输出为低驱动能力的驱动信号，小于3.0V则输出高驱动能力的驱动信号；而若电源电压准位在3.6V～5V间时，电源电压准位检测电路202便以4.5V为基准，以检测该电源电压准位是否大于4.5V，若电源电压准位大于4.5V，则驱动电路206便会输出为低驱动能力的驱动信号，小于4.5V则输出高驱动能力的驱动信号。图2所示为电源电压准位检测电路的内部电路方块图，电源电压准位检测电路202包括一线性电压分压器212及一参考电压产生器214，并分别连接至一比较器216，电源电压准位输入至线性电压分压器212，再通过由参考电压产生器214产生一为3.0或4.5V的参考电压准位，而参考电压产生器214的电路图如图3所示，使比较器216可以根据3.0V或4.5V的参考电压以比较电源电压准位而提供检测结果，并由图中所示的输出端S输出至驱动电路。图4所示为驱动电路的内部电路方块图，驱动电路206包括一相位振幅调变电路218，其连接电源电压准位检测电路202的输出端S，相位振幅调变电路218输出一电压准位至一相连接的相位驱动电路220，相位驱动电路220接收振荡电路产生的周期性信号及相位振幅调变电路218输出的电压准位，以输出一适当相位振幅的信号至电荷移转电路；至于电荷移转电路208的电路示意图如图5所示，振荡电路所提供的周期性信号会经由驱动电路至电荷移转电路，并且注入多余的电荷至电荷移转电路208，电荷移转电路208便通过由振荡电路提供的周期性信号及驱动电路产生的驱动信号，而利用多余的电荷以提升电源电压准位。本专利技术还提出一种应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压方法，图6所示为升压方法的步骤流程图，包括下列步骤，首先，如步骤S10，提供一电源电压准位，接着如步骤S12，以3.0V或4.5V为基准以检测电源电压准位并且提供一检测结果，当以3.0V为基准时，大于3.0V时驱动信号为低驱动能力，反之为高驱动能力，而以4.5V为基准时，大于4.5V时驱动信号为低驱动能力，反之为高驱动能力，再来如步骤S14，提供一周期性信号以产生额外的电荷，并根据检测结果提供一驱动信号，接着如步骤S16，根据驱动信号以利用额外的电荷提升电源电压准位，最后如步骤S18，将电源电压准位调变后，输出一高于电源电压准位的高准位电压。本专利技术的升压电路是用来提升可抹除可编程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其是提供一可抹除可编程唯读存储器装置所需的高准位电压，该可抹除可编程唯读存储器装置包括ｍ列ｎ行的存储元件，而该升压电路提供该存储元件所需的该高准位电压，其特征在于，该升压电路包括：一电源 电压准位检测电路，其是接收检测一电源电压准位，以提供一检测结果；一振荡电路，其是提供输出一周期性信号，且该周期性信号的输出振幅等于该电源电压准位；一驱动电路，其是连接该振荡电路及该电源电压准位检测电路，并根据该检测结 果及该周期性信号产生一驱动信号；一电荷移转电路，其是通过由该周期性信号及该驱动信号以提升该电源电压准位；以及一变压器，其是连接该电荷移转电路及该电源电压准位检测电路，以接收并调变该电荷移转电路提升后的该电源电压准位，以输出高 于该电源电压准位的该高准位电压。

【技术特征摘要】
1.一种用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其是提供一可抹除可编程唯读存储器装置所需的高准位电压，该可抹除可编程唯读存储器装置包括m列n行的存储元件，而该升压电路提供该存储元件所需的该高准位电压，其特征在于，该升压电路包括一电源电压准位检测电路，其是接收检测一电源电压准位，以提供一检测结果；一振荡电路，其是提供输出一周期性信号，且该周期性信号的输出振幅等于该电源电压准位；一驱动电路，其是连接该振荡电路及该电源电压准位检测电路，并根据该检测结果及该周期性信号产生一驱动信号；一电荷移转电路，其是通过由该周期性信号及该驱动信号以提升该电源电压准位以及一变压器，其是连接该电荷移转电路及该电源电压准位检测电路，以接收并调变该电荷移转电路提升后的该电源电压准位，以输出高于该电源电压准位的该高准位电压。2.如权利要求1所述的应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其特征在于，所述该电源电压准位是为2.5V～3.6V间。3.如权利要求2所述的应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其特征在于，当该电源电压准位大于3.OV时，该驱动信号为低驱动能力，反之该驱动信号为高驱动能力。4.如权利要求1所述的应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其特征在于，所述该电源电压准位是为3.6V～5V间。5.如权利要求4所述的应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其特征在于，当该电源电压准位大于4.5V时，该驱动信号为低驱动能力，反之该驱动信号为高驱动能力。6.如权利要求1所述的应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其特征在于，所述该电源电压准位检测电路包括一线性电压分压器及一参考电压产生器，并分别连接至一比较器，该线性电压分压器用以输入该电源电压准位，而该参考电压产生器用以产生一参考电压准位，以使该比较器根据该参考电压以比较该电源电压准位而提供该检测结果。7.如权利要求1所述的应用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路，其特征在于，所述该参考电压是为3.0V及4.5V其中之一。8.如权利要求1所述的应用于可抹除...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信章，黄文谦，张浩诚，
申请(专利权)人：亿而得微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]