LCOS中的单边结构静态存储器制造技术

本发明专利技术涉及ＬＣＯＳ中的单边结构静态存储器，第五ＣＭＯＳ管（Ｔ５）的漏极与Ｄ线相连，栅极与字线Ｗ相连，源极与第三ＣＭＯＳ管（Ｔ３）的源极和第一ＣＭＯＳ管（Ｔ１）的源极相连并与第四ＣＭＯＳ管（Ｔ４）的栅极和第二ＣＭＯＳ管（Ｔ２）的栅极连接；第三ＣＭＯＳ管（Ｔ３）的栅极和第一ＣＭＯＳ管（Ｔ１）的栅极相连并与第四ＣＭＯＳ管（Ｔ４）的源极和第二ＣＭＯＳ管（Ｔ２）的漏极连接，作为输出与象素电极连接，用于显示；第一ＣＭＯＳ管（Ｔ１）的源极和第二ＣＭＯＳ管（Ｔ２）的源极连接并与地连接；第三ＣＭＯＳ管（Ｔ３）的漏极与ＶＣＣ连接；第四ＣＭＯＳ管（Ｔ４）的漏极与ＶＣＣ连接；数据的写入由一根数据线决定，单个ＳＲＡＭ存像素器的面积可减小１５％以上，对于ＨＤＴＶ解象度的显示芯片，相应减少了ＳＲＡＭ组成的像素阵列及液晶盒面积。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静态存储器，尤其涉及一种应用于LCOS中用于象素阵列的静态存储器。
技术介绍
半导体存储器是各种电子计算机的主要存储部件，并广泛用于其它电子设备中。对半导体存储器的基本要求是高精度，大容量，低功耗。半导体存储器可以分为静态存储器和动态存储器。静态存储器依靠双稳态触发器保存信息，每个双稳态电路可存储一位二进制代码0或1，一块存储芯片上包含了许多个这样的双稳态电路。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作。只要电源正常，就能长期保存信息，所以称为静态存储器。动态存储器依靠电容上的存储电荷暂存信息。存储单元的基本工作方式是通过MOS管向电容充电或放电，充有电荷的状态为1，放电后的状态为0，虽然力求电容上电荷的泄漏很小，但工艺上仍然无法完全避免泄漏，时间一长电荷会漏掉，因而需要定时刷新内容，即对存1的电容补充电荷，由于需要动态刷新，因此称为动态存储器。LCOS数字电视显示芯片是目前国际上最新的大屏幕高清晰度数字显示技术—LCOS(Liquid Crystal On Silicon即基于大规模集成电路上的反射液晶投影技术)的核心技术，LCOS是国际上一致看好的，最有可能以其高质量的技术指标和低价位的制造成本能进入普通百姓家庭的HDTV的产品技术，具有十分广阔的市场前景。LCOS数字电视专用芯片采用国际先进的0.35μm和0.25μm的CMOS工艺技术，是一个高性能，低价位的芯片组，芯片组用于三色光学驱动引擎，可产生XGA到UXGA/HDTV解像度的高对比，高亮度，24位彩色影像。LCOS技术采用在大规模集成电路芯片上制造SRAM静态存储器阵列，每个SRAM存储器组成一个象素。并将液晶盒封装在大规模集成电路芯片上组成反射式液晶光阀。对于HDTV解象度的LCOS显示芯片需要制造1920*1080个SRAM静态存储器组成的阵列。LCOS技术对液晶盒及SRAM组成的像素阵列的面积有一定的限制，面积过大将增大产品成本及大大降低产品合格率，当图像分辨率高时，减少SRAM存储器面积就成为重要因素。由图1可见这是一个目前采用的静态存储器(SRAM)结构图，它是一个CMOS型6管存储单元，T1、T3和T2、T4作为两个反向器存储数据，T5和T6作为控制门，在字线W电压的控制下，把1和0信号送往存储器；保存信息时，字线W上的电压为低，T5和T6均关闭，设A点为高电平，B点为低电平，(存1状态)，则A点高电平能够可靠的打开T2，关闭T4，使B点与地连通，而此状态下B点能够可靠的打开T3，关闭T1，D线与A和DB线与B之间分别被T5、T6所隔离，D和DB均为低电平。读出时，字线W的电压上升为高电平，T5和T6的源和漏接通，所以A点电平可以准确地反映到D线上，B点电平反映到DB线上，如触发器存1，D线上有读出信号；如存0，则DB线上有读出信号，这样存储在SRAM内的信息就读了出来。写入时，字线W的电压同样的上升为高电平，如写1，则D线电压上跳到VCC(电源电压，即高电平)，DB为低电平；如写0，则DB线电压上跳到VCC，D为低电平。用写1为例，说明写的过程。字线W的电压上跳变使T5、T6接通，D线上VCC电压通过T5接到A点，DB线的低电平通过T6接到B点，如果A点原来就是高电平(存1)，则A点电压不变，T3仍维持其导通，T1关闭，B点电平也不变。如果A点原来是低电平(存0)，则A点电压受外部驱动上升到VCC，打开T2，关闭T4。而B点与外部低电平连通，因而迫使B点下降为低电平，使T3导通，T1关闭，这样A点的电平就稳定在高电平，保存了1的信息。从上述说明可以看出，数据的写入由D和DB一同控制，这样就多出了一个管子和一条控制线。如何将数据的写入由一根数据线控制是摆在科技技术人员面前的一个问题。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供了一种LCOS中用于象素阵列的单边结构静态存储器，旨在解决上述的缺陷。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的本专利技术包括第一CMOS管，第二CMOS管，第三CMOS管，第四CMOS管，第五CMOS管；所述第五CMOS管的漏极与D线相连，栅极与字线W相连，源极与第三CMOS管的源极和第一CMOS管的漏极相连并与第四CMOS管的栅极和第二CMOS管的栅极连接；所述第三CMOS管的栅极和第一CMOS管的栅极相连并与第四CMOS管的源极和第二CMOS管的漏极连接，作为输出与象素电极连接，用于显示；所述第一CMOS管的源极和第二CMOS管的源极连接并与地连接；所述的第三CMOS管的漏极与VCC连接；所述第四CMOS管的漏极与VCC连接。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是数据的写入由一根数据线决定，这样就节省了面积，也简化了控制线路；单个SRAM存像素器的面积可减小15％以上，有利于提高产品合格率，并大大的降低了单个芯片的成本；对于HDTV解象度的显示芯片，整个芯片由1920*1080个这样的单元构成，采用本专利技术后，明显减小了SRAM存像素器的面积，相应减少了SRAM组成的像素阵列及液晶盒面积。附图说明图1是现有技术的静态存储器(SRAM)结构图；图2是本专利技术的结构图；具体实施方式下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述由图2可见本专利技术包括第一CMOS管T1，第二CMOS管T2，第三CMOS管T3，第四CMOS管T4，第五CMOS管T5；所述第五CMOS管T5的漏极与D线相连，栅极与字线W相连，源极与第三CMOS管T3的源极和第一CMOS管T1漏极相连并与第四CMOS管T4的栅极和第二CMOS管T2的栅极连接；所述第三CMOS管T3的栅极和第一CMOS管T1的栅极相连并与第四CMOS管T4的源极和第二CMOS管T2的漏极连接，作为输出与象素电极连接，用于显示；所述第一CMOS管T1的源极和第二CMOS管T2的源极连接并与地连接；所述的第三CMOS管T3漏极与VCC连接；所述第四CMOS管T4的漏极与VCC连接；本专利技术是一个CMOS型5管存储单元，T1、T3和T2、T4作为两个反向器存储数据，T5单独做控制门，在字线W电压的控制下，把1或0信号送往存储器。存储器的输出OUT连到象素电极用于显示。保存信息时，字线W上的电压为低，T5关闭，设A点为高电平，B点为低电平，(存1状态)，则A点电平能够可靠的打开T2，关闭T4，使B点与地连通，而B点能够可靠的打开T3，关闭T1，D线与A之间被T5所隔离，此时D为低电位。读出时，字线W的电压上升为高电平，T5的源和漏接通，所以A点电压可以反映到D线上，采用单边读出方式后，D上有信号为读1，无信号为读0。写入时，字线W的电压同样的上升为高电平，如写1，则D线电压上跳到VCC；如写0，则D线电压为低电平；在写1的时候，字线W的电压上跳变使T5接通，D线上VCC电压通过T5接到A点，如果A点原来就是高电平(存1)，则A点电压不变，T3仍维持其导通，T1关闭，B点电压不变。如果A点是低电平(存0)，则A点电压受外部驱动上升到VCC，使T2导通，T4关闭，迫使B点为低电平，由于反馈作用使T3导通，T1关闭，这样A点的电平就稳定在高电平，保存了1的信息。而在写0时，字线W的电压同样上跳变使T5接通，D线上低电平通过T5接到A点，如果A点原来就本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＣＯＳ中的单边结构静态存储器，其特征在于：包括第一ＣＭＯＳ管（Ｔ１），第二ＣＭＯＳ管（Ｔ２），第三ＣＭＯＳ管（Ｔ３），第四ＣＭＯＳ管（Ｔ４），第五ＣＭＯＳ管（Ｔ５）；所述第五ＣＭＯＳ管（Ｔ５）的漏极与Ｄ线相连，栅极与字线Ｗ相连，源极与第三ＣＭＯＳ管（Ｔ３）的源极和第一ＣＭＯＳ管（Ｔ１）漏极相连并与第四ＣＭＯＳ管（Ｔ４）的栅极和第二ＣＭＯＳ管（Ｔ２）的栅极连接；所述第三ＣＭＯＳ管（Ｔ３）的栅极和第一ＣＭＯＳ管（Ｔ１）的栅极相连并与第四ＣＭＯＳ管（Ｔ４）的源极和第二ＣＭＯＳ管（Ｔ２）的漏极连接，作为输出与象素电极连接，用于显示；所述第一ＣＭＯＳ管（Ｔ１）的源极和第二ＣＭＯＳ管（Ｔ２）的源极连接并与地连接；所述的第三ＣＭＯＳ管（Ｔ３）漏极与ＶＣＣ连接；所述第四ＣＭＯＳ管（Ｔ４）的漏极与ＶＣＣ连接。

【技术特征摘要】
1.一种LCOS中的单边结构静态存储器，其特征在于包括第一CMOS管(T1)，第二CMOS管(T2)，第三CMOS管(T3)，第四CMOS管(T4)，第五CMOS管(T5)；所述第五CMOS管(T5)的漏极与D线相连，栅极与字线W相连，源极与第三CMOS管(T3)的源极和第一CMOS管(T1)漏极相连并与第四CMOS管(T4)的栅极和第二CMOS管(T2)的栅极连接；所述第三CMOS管(T3)的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈欣，尚为兵，印义中，印义言，
申请(专利权)人：上海华园微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]