一种振荡器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种振荡器电路，涉及集成电路设计领域，该振荡器电路包括：漏电补偿模块，用于与参考电流产生模块耦合，对参考电流产生模块中成比例的漏电流进行补偿；参考电流产生模块，用于产生和温度成反比的电流，加强高温下电路精度；与现有技术相比，本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术提出自偏置技术，避免了额外电流源输入的需求，不仅降低了功耗，还节省了面积与成本；把器件漏电流注入到参考电流产生电路中，通过调节延时单元偏置电流，使延时单元延时与漏电流相关，进而解决了振荡器时钟频率在高温偏移的问题；把两级差分电路组成的延时单元耦合到参考电流产生电路中，不仅节约了功耗，还改善了输出时钟占空比。还改善了输出时钟占空比。还改善了输出时钟占空比。

【技术实现步骤摘要】
一种振荡器电路


[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域，具体是一种振荡器电路。

技术介绍

[0002]振荡电流是一种大小和方向都随周期发生变化的电流，能产生振荡电流的电路就叫做振荡电路。振荡器电路作为芯片时钟源，为芯片部分或者全局数字、模拟电路提供参考时钟，振荡器本身输出时钟占空比、频率精度以及自身功耗是重要指标。
[0003]目前振荡器电路技术具有以下缺点：（1）：受器件漏电流影响，高温下频率偏移较多，精度不理想；（2）：需要偏置电流或者额外独立的偏置电流产生电路，很难做到低功耗；（3）：采用单端输入、输出环形振荡器，输出时钟占空比不理想，需要改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种振荡器电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种振荡器电路，包括：漏电补偿模块，用于与参考电流产生模块耦合，对参考电流产生模块中成比例的漏电流进行补偿；参考电流产生模块，用于产生和温度成反比的电流，加强高温下电路精度；第一延时模块，用于与参考电流产生模块耦合，形成电流复用，差分输入电压信号，延时后差分输出；第二延时模块，用于与参考电流产生模块耦合，形成电流复用，差分输入电压信号，延时后差分输出；第一延时模块和第二延时模块共同构成延时单元，延时单元至少含有两个延时模块，共同构成环形振荡器；漏电补偿模块连接参考电流产生模块，参考电流产生模块连接延时单元。
[0006]作为本专利技术再进一步的方案：漏电补偿模块包括MOS管PM5B、MOS管PM5A、MOS管PM6B、MOS管PM6A、MOS管PM1C、MOS管NM4B、MOS管NM4A，MOS管PM5B的S极连接MOS管PM5A的S极、MOS管PM1C的S极、MOS管PM1C的G极、电压VDD，MOS管PM5B的G极连接MOS管PM5B的D极、MOS管PM6B的S极，MOS管PM5A的D极连接MOS管PM6A的S极，MOS管PM6A的G极连接MOS管PM6B的G极、MOS管PM6B的D极、MOS管NM4B的D极，MOS管NM4B的G极连接MOS管NM4A的G极、MOS管NM4A的D极、MOS管PM1C的D极。
[0007]作为本专利技术再进一步的方案：参考电流产生模块包括MOS管PM1A、MOS管PM1B、MOS管NM1A、MOS管PM0、电阻R0、MOS管NM1B，MOS管PM1A的S极连接MOS管PM1B的S极、电压VDD，MOS管PM1A的G极连接MOS管PM1B的G极、MOS管PM1C的G极、MOS管PM1B的D极、MOS管NM1B的D极，MOS管PM1A的D极连接MOS管NM1A的D极、MOS管NM1A的G极、MOS管PM6A的D极、MOS管NM1B的G极，MOS管NM1A的S极连接MOS管PMD的S极，MOS管NM1B的S极连接电阻R0，电阻R0的另一端接
地。
[0008]作为本专利技术再进一步的方案：第一延时模块包括放大器U1、MOS管NM2A、MOS管NM2B，放大器U1的第四端连接MOS管NM2A的D极，放大器U1的第三端连接MOS管NM2B的D极，MOS管NM2A的S极连接MOS管NM2B的S极，MOS管NM2A的G极连接MOS管NM2B的G极。
[0009]作为本专利技术再进一步的方案：第二延时模块包括放大器U2、MOS管NM3A、MOS管NM3B，放大器U2的第四端连接MOS管NM3A的D极、放大器U1的第一端，放大器U2的第三端连接MOS管NM3B的D极、放大器U1的第二端，MOS管NM3A的S极连接MOS管NM3B的S极，MOS管NM3A的G极连接MOS管NM3B的G极，放大器U2的第一端连接放大器U1的第三端，放大器U2的第二端连接放大器U1的第四端。
[0010]作为本专利技术再进一步的方案：放大器U1内部包括MOS管PM3A、MOS管PM3B、MOS管PM3D、MOS管PM4C、MOS管PM4B、MOS管PM4A、MOS管PM3C、MOS管PM4D，MOS管PM3A的S极连接MOS管PM3B的S极、MOS管PM3D的S极、MOS管PM4C的S极、MOS管PM4B的S极、MOS管PM4A的S极、电压VDD，MOS管PM3A的D极连接MOS管PM3B的G极、MOS管PM3C的D极、MOS管PM3D的D极、MOS管PM4C的G极，MOS管PM3B的D极连接MOS管PM3C的S极，MOS管PM3D的G极连接MOS管PM4C的D极、MOS管PM4D的D极、MOS管PM4D的G极、MOS管PM4B的G极、MOS管PM4A的D极，MOS管PM4D的S极连接MOS管PM4B的D极。
[0011]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提出自偏置技术，避免了额外电流源输入的需求，不仅降低了功耗，还节省了面积与成本；把器件漏电流注入到参考电流产生电路中，通过调节延时单元偏置电流，使延时单元延时与漏电流相关，进而解决了振荡器时钟频率在高温偏移的问题；把两级差分电路组成的延时单元耦合到参考电流产生电路中，不仅节约了功耗，还改善了输出时钟占空比。
附图说明
[0012]图1为一种振荡器电路的电路图。
[0013]图2为第一延时模块的内部电路图。
[0014]图3为振荡器电路内部工作波形图。
具体实施方式
[0015]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]实施例1：请参阅图1，一种振荡器电路，包括：漏电补偿模块，用于与参考电流产生模块耦合，对参考电流产生模块中成比例的漏电流进行补偿；参考电流产生模块，用于产生和温度成反比的电流，加强高温下电路精度；第一延时模块，用于与参考电流产生模块耦合，形成电流复用，差分输入电压信号，延时后差分输出；第二延时模块，用于与参考电流产生模块耦合，形成电流复用，差分输入电压信
号，延时后差分输出；第一延时模块和第二延时模块共同构成延时单元，延时单元至少含有两个延时模块，延时模块互相连接，构成环形振荡器；漏电补偿模块连接参考电流产生模块，参考电流产生模块连接延时单元。
[0017]在具体实施例中：参考电流产生模块在电阻R0上形成与温度成反比的偏置电流，偏置电流大小为vgs_mir/R0，vgs_mir为MOS管NM1B的S极输出电压；因为MOS管PM1A、PM1B尺寸相等（或者成比例）,MOS管NM1A、NM1B尺寸相等（或者成比例），vgs_mir=vgs_src，vgs_src为MOS管NM1A的S极输出电压，因此电路上流过的电流为vgs_mir/R0=vgs_src/R0；因为MOS管NM1A、NM1B、NM2A、NM2B、NM3A、NM3B尺寸相等（或者成比例，此处假设相等），而流经电阻电流vgs_src/R0为MOS管NM1B、NM2A本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种振荡器电路，其特征在于：该振荡器电路包括：漏电补偿模块，用于与参考电流产生模块耦合，对参考电流产生模块中成比例的漏电流进行补偿；参考电流产生模块，用于产生和温度成反比的电流，加强高温下电路精度；第一延时模块，用于与参考电流产生模块耦合，形成电流复用，差分输入电压信号，延时后差分输出；第二延时模块，用于与参考电流产生模块耦合，形成电流复用，差分输入电压信号，延时后差分输出；第一延时模块和第二延时模块共同构成延时单元，延时单元至少含有两个延时模块，共同构成环形振荡器；漏电补偿模块连接参考电流产生模块，参考电流产生模块连接延时单元。2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，漏电补偿模块包括MOS管PM5B、MOS管PM5A、MOS管PM6B、MOS管PM6A、MOS管PM1C、MOS管NM4B、MOS管NM4A，MOS管PM5B的S极连接MOS管PM5A的S极、MOS管PM1C的S极、MOS管PM1C的G极、电压VDD，MOS管PM5B的G极连接MOS管PM5B的D极、MOS管PM6B的S极，MOS管PM5A的D极连接MOS管PM6A的S极，MOS管PM6A的G极连接MOS管PM6B的G极、MOS管PM6B的D极、MOS管NM4B的D极，MOS管NM4B的G极连接MOS管NM4A的G极、MOS管NM4A的D极、MOS管PM1C的D极。3.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，参考电流产生模块包括MOS管PM1A、MOS管PM1B、MOS管NM1A、MOS管PM0、电阻R0、MOS管NM1B，MOS管PM1A的S极连接MOS管PM1B的S极、电压VDD，MOS管PM1A的G极连接MOS管PM1B的G极、MOS管PM1C的G极、MOS管PM1B的D极、MOS管NM1B的D极，MOS管PM1A的D极连接MOS管NM1A的D极、MOS管NM1A的G极、MOS管PM6A的D极、M...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝报田，
申请(专利权)人：郝报田，
类型：发明
国别省市：