具有随机存取存储器区和只读存储器区的半导体存储器件制造技术

在一个芯片上具有两个不同存储区的半导体存储器件包括：具有被控制成能够以至少第一和第二操作模式访问的第一可变存储区和被控制成不能以第一和第二操作模式之一访问的第二可变存储区的存储器单元阵列；以及用于存储在第一存储区和第二存储区之间进行鉴别的区信息和产生用于控制对第一存储区和第二存储区进行访问的存储器控制信号的存储器控制单元。一个存储器可以代替包括在一个芯片上的ＲＯＭ和ＲＡＭ的存储器组合。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，包括被控制成能够以至少第一和第二操作模式访问的第一可变存储区、和被控制成不能以第一和第二操作模式之一访问的第二可变存储区；和存储器控制单元，用于存储在第一存储区和第二存储区之间进行鉴 别的区信息，并产生用于控制对第一存储区和第二存储区访问的存储器控制信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：闵丙俊，李康云，李汉柱，田炳吉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]