一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺，无线充电用屏蔽片制备设备包括第一放卷轴、第一收卷轴、多个二次碎磁装置及多个压合组件，第一放卷轴用于放卷托底膜，第一收卷轴用于收卷托底膜，二次碎磁装置依次间隔设于托底膜的行进路径的上方，二次碎磁装置包括放卷辊、第二放卷轴、第二收卷轴、碎磁辊和支撑辊；压合组件与二次碎磁装置一一对应设置；碎磁辊上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区。无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺能够在经过整体碎磁后的纳米晶带材上进行二次碎磁，使得屏蔽片上能够形成磁导率与其他区域磁导率不同的环状区域，制得能够提高充电效率的无线充电用特殊结构屏蔽片。用特殊结构屏蔽片。用特殊结构屏蔽片。

【技术实现步骤摘要】
一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺


[0001]本专利技术涉及屏蔽片加工
，尤其涉及一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺。

技术介绍

[0002]随着无线充电在手机等电子消费领域的应用逐渐增多，对于手机充电效率的要求也越来越高，一般手机的无线充电的效率在60
‑
85％，尚有提高空间。
[0003]申请人发现了一种根据磁场分布，不同区域不同磁导率的特殊结构屏蔽片能够有效地提高无线充电模组的充电效率，其构造如图1和图2所示，纳米晶片包括由内向外依次设置的第一区域20、环状图案30及第二区域40，所述环状图案30环绕所述第一区域20设置，所述第二区域40围绕所述环状图案30设置，其中，第一区域20与第二区域40磁导率相同，环状图案30的磁导率高于或低于第一区域20的磁导率。由于这种特殊结构屏蔽片是新发现，所以，现有技术缺少能够适用于制备这种特殊结构屏蔽片的制备设备及制备工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种无线充电用屏蔽片制备设备，包括第一放卷轴、第一收卷轴、多个二次碎磁装置及多个压合组件，所述第一放卷轴用于放卷托底膜，所述第一收卷轴用于收卷托底膜，所述二次碎磁装置依次间隔设于所述托底膜的行进路径的上方，所述二次碎磁装置包括放卷辊、第二放卷轴、第二收卷轴、碎磁辊和支撑辊，所述放卷辊用于放卷整体碎磁后的纳米晶带材，所述第二放卷轴用于放卷支撑保护整体碎磁后的纳米晶带材的保护膜，所述碎磁辊对应于支撑辊设置，所述碎磁辊用于对整体碎磁后的纳米晶带材进行第二次碎磁，所述第二收卷轴用于收卷与经第二次碎磁后的纳米晶带材分离的所述保护膜；所述压合组件与所述二次碎磁装置一一对应设置，压合组件用于将经第二次碎磁后的纳米晶带材压合在托底膜或另一经第二次碎磁后的纳米晶带材上；所述碎磁辊上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区。
[0006]进一步的，还包括用于纠偏所述托底膜的自动纠偏装置。
[0007]进一步的，所述自动纠偏装置靠近所述第一放卷轴设置。
[0008]进一步的，靠近所述第一放卷轴的所述二次碎磁装置上还设有用于在所述托底膜上设置标记的打标组件，其余的所述二次碎磁装置上还设有识别所述标记的定位组件。
[0009]进一步的，所述二次碎磁装置还包括连接所述碎磁辊的压力调节组件。
[0010]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案二为：一种无线充电用屏蔽片制备工艺，包括如下步骤，
[0011]提供经过整体碎磁的多个纳米晶带材；
[0012]利用碎磁辊对所述纳米晶带材进行第二次碎磁，所述碎磁辊上设有能够在所述纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区；
[0013]将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连，得到叠构带材；
[0014]裁切所述叠构带材，得到无线充电用屏蔽片。
[0015]进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，相邻的两个纳米晶带材上的环状图案对齐。
[0016]进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，先在托底膜上层叠压合一层经过所述第二次碎磁的纳米晶带材，然后将另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在前一次已层叠压合在所述托底膜上的经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上。
[0017]进一步的，在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在所述托底膜上时，在所述托底膜上制造标记；在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上时，根据所述标记进行对位。
[0018]进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，所述托底膜处于行进状态。
[0019]本专利技术的有益效果在于：无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺能够在经过整体碎磁后的纳米晶带材上进行二次碎磁，使得屏蔽片上能够形成磁导率与其他区域磁导率不同的环状区域，从而制得能够提高充电效率的无线充电用特殊结构屏蔽片。
附图说明
[0020]图1为
技术介绍
中的特殊结构屏蔽片的正视图；
[0021]图2为
技术介绍
中的另一种结构的特殊结构屏蔽片的正视图；
[0022]图3为本专利技术实施例一的无线充电用屏蔽片制备设备的简化结构示意图。
[0023]标号说明：
[0024]1、第一放卷轴；
[0025]2、第一收卷轴；
[0026]3、二次碎磁装置；31、放卷辊；32、第二放卷轴；33、第二收卷轴；34、碎磁辊；35、支撑辊；
[0027]4、压合组件；
[0028]5、托底膜；
[0029]6、保护膜；
[0030]7、自动纠偏装置；
[0031]8、压力调节组件；
[0032]9、纳米晶带材；
[0033]20、第一区域；30、环状图案；40、第二区域。
具体实施方式
[0034]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0035]请参照图3，一种无线充电用屏蔽片制备设备，包括第一放卷轴1、第一收卷轴2、多个二次碎磁装置3及多个压合组件4，所述第一放卷轴1用于放卷托底膜5，所述第一收卷轴2用于收卷托底膜5，所述二次碎磁装置3依次间隔设于所述托底膜5的行进路径的上方，所述二次碎磁装置3包括放卷辊31、第二放卷轴32、第二收卷轴33、碎磁辊34和支撑辊35，所述放卷辊31用于放卷整体碎磁后的纳米晶带材9，所述第二放卷轴32用于放卷支撑保护整体碎磁后的纳米晶带材9的保护膜6，所述碎磁辊34对应于支撑辊35设置，所述碎磁辊34用于对整体碎磁后的纳米晶带材9进行第二次碎磁，所述第二收卷轴33用于收卷与经第二次碎磁后的纳米晶带材9分离的所述保护膜6；所述压合组件4与所述二次碎磁装置3一一对应设置，压合组件4用于将经第二次碎磁后的纳米晶带材9压合在托底膜5或另一经第二次碎磁后的纳米晶带材9上；所述碎磁辊34上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材9上形成环状图案30的碎磁区或非碎磁区。
[0036]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺能够在经过整体碎磁后的纳米晶带材9上进行二次碎磁，使得屏蔽片上能够形成磁导率与其他区域磁导率不同的环状区域，从而制得能够提高充电效率的无线充电用特殊结构屏蔽片。
[0037]进一步的，还包括用于纠偏所述托底膜5的自动纠偏装置7。
[0038]由上述描述可知，自动纠偏装置7能够对托底膜5进行纠偏，从而使得经过二次碎磁的纳米晶带材9能够精准地层叠压合在托底膜5上。
[0039]进一步的，所述自动纠偏装置7靠近所述第一放卷轴1设置。
[0040]由上述描述可知，自动纠偏装置7工作的时机在经过二次碎磁的纳米晶带材9层叠压合在托底膜5之前，利于进一步确保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无线充电用屏蔽片制备设备，其特征在于：包括第一放卷轴、第一收卷轴、多个二次碎磁装置及多个压合组件，所述第一放卷轴用于放卷托底膜，所述第一收卷轴用于收卷托底膜，所述二次碎磁装置依次间隔设于所述托底膜的行进路径的上方，所述二次碎磁装置包括放卷辊、第二放卷轴、第二收卷轴、碎磁辊和支撑辊，所述放卷辊用于放卷整体碎磁后的纳米晶带材，所述第二放卷轴用于放卷支撑保护整体碎磁后的纳米晶带材的保护膜，所述碎磁辊对应于支撑辊设置，所述碎磁辊用于对整体碎磁后的纳米晶带材进行第二次碎磁，所述第二收卷轴用于收卷与经第二次碎磁后的纳米晶带材分离的所述保护膜；所述压合组件与所述二次碎磁装置一一对应设置，压合组件用于将经第二次碎磁后的纳米晶带材压合在托底膜或另一经第二次碎磁后的纳米晶带材上；所述碎磁辊上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区。2.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽片制备设备，其特征在于：还包括用于纠偏所述托底膜的自动纠偏装置。3.根据权利要求2所述的无线充电用屏蔽片制备设备，其特征在于：所述自动纠偏装置靠近所述第一放卷轴设置。4.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽片制备设备，其特征在于：靠近所述第一放卷轴的所述二次碎磁装置上还设有用于在所述托底膜上设置标记的打标组件，其余的所述二次碎磁装置上还设有识别所述标记的定位组件。5.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽片制备设备，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜桂君，张继林，张学斌，唐啸，李晨，
申请(专利权)人：信维通信江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：