显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括:基板、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、钝化层以及像素电极。本发明专利技术通过将第二源漏电极层以及第一源漏电极层共用一层金属膜层，并去掉传统的栅极顶部ILD层，可以减少膜层及掩膜板使用数量。该结构有利于降低掩膜板数量、缩小薄膜晶体管尺寸以及稳定器件特性优点。本发明专利技术的制备方法只需要6道光罩掩膜板工序，大大的减小制备成本。小制备成本。小制备成本。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示
，特别是一种显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]如图1所示，OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机电发光显示)/MicroLED作为电流驱动器件，其需要较大的电流通过能力、较好的器件稳定性、面内 Vth均匀性及低漏电流等特性。顶栅自对准氧化物半导体薄膜晶体管(Top GateIGZO TFT)具有较高的迁移率、较小寄生电容和低漏电流的特性，比较适合作为电流驱动显示电路。对于底发射类显示基板而言，驱动薄膜晶体管的底部最好带有光阻挡层，光阻挡层可以阻挡环境光对薄膜晶体管的特性影响，金属类的遮光层连接到源极之后对驱动薄膜晶体管的输出特性曲线有稳定作用。如图1以及图2所示，现有的技术中，带有遮光层的TG IGZO TFT最少需要8道Mask，制程顺序依次是遮光层(Line Shied Layer，LS)、缓冲层(Buffer)、半导体层(IndiumGallium Zinc Oxide，IGZO)、栅极绝缘层(Gate Insulator，GI)以及栅极(GateElectrode，GE)、绝缘层(Interlayer Dielectric，ILD)、源漏极金属电极(SE， DE)、钝化层(Passivation layer，PV1)以及像素电极(Pixel electrode，PE)该制程需要8张掩膜板，制程较为复杂，成本较高。同时，随着显示器的发展，越来越多的顶部出光的自发光类显示成为主流，对于TFT的遮光也有新的要求。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种显示面板，通过将第一源漏电极层与第二源漏电极层共用一层金属膜层，去掉传统的栅极顶部ILD层，可以优化膜层结构，减少膜层及掩膜板使用数量。
[0004]本专利技术提供一种显示面板，包括:基板；第一金属层，设于所述基板上，所述第一金属层包括：第一源漏电极层以及第二源漏电极层，所述第一源漏电极层与所述第二源漏电极层具有一间隙；第一绝缘层，设于所述第一金属层以及所述基板上；半导体层，设于所述第一绝缘层以及所述第一金属层上，所述半导体层包括第一半导体层以及第二半导体层，所述第一半导体层连接所述第一源漏电极层，所述第二半导体层连接所述第二源漏电极层；第二绝缘层，设于所述第一金属层以及所述半导体层上；第二金属层，设于所述第二绝缘层上，所述第二金属层包括第一栅极层以及第二栅极层；钝化层，设于所述第二金属层、所述半导体层以及所述基板上；以及像素电极，设于所述钝化层上，所述像素电极连接所述第一源漏电极层。
[0005]进一步地，所述第一源漏电极层与所述第二源漏电极层由同一金属层图案化得到。
[0006]进一步地，所述第一半导体层与所述第二半导体层由同一有源层图案化得到。
[0007]进一步地，所述第一栅极层与所述第二栅极层由同一金属层图案化得到。
[0008]进一步地，所述第一源漏电极层包括：第一源极以及第一漏极，所述第一源极与所述第一漏极之间具有第一间隙；所述第二源漏电极层包括第二源极以及第二漏级；所述第
二源极与所述第二漏级之间具有一第二间隙，所述第二源极设于所述第二漏级与所述第一源极之间，所述第二源极与所述第一源极之间具有一第三间隙；所述第一半导体层包括第一沟道区、第一源极连接区以及第一漏级连接区，所述第一源极连接区的一端连接所述第一沟道区的一端，所述第一漏级连接区的一端连接所述第一沟道区的另一端，所述第一源极连接区的另一端连接所述第一源极，所述第一漏级连接区的另一端连接所述第一漏极；所述第二半导体层包括第二沟道区、第二源极连接区以及第二漏级连接区，所述第二源极连接区的一端连接所述第二沟道区的一端，所述第二漏级连接区的一端连接所述第二沟道区的另一端，所述第二源极连接区的另一端连接所述第二源极，所述第二漏级连接区的另一端连接所述第二漏极。
[0009]进一步地，所述第一绝缘层包括：第一子绝缘层，设于部分所述第一源极上延伸并覆盖所述第一间隙以及部分所述第一漏级；第二子绝缘层，设于所述第二间隙所对应的基板上，所述第二子绝缘层的一端与所述第二源极具有第一间隔，所述第二子绝缘层的另一端与所述第二漏极具有第二间隔；以及第三子绝缘层，设于所述第三间隙中并覆盖部分所述第一源漏电极层以及部分所述第二源极；所述第一沟道区设于所述第一子绝缘层上，所述第一源极连接区通过所述第一子绝缘层的左侧延伸连接至所述第一源极上，所述第一漏级连接区通过所述第一子绝缘层的右侧延伸至所述第一漏极上；所述第二沟道区设于所述第二子绝缘层上，所述第二源极连接区通过所述第二子绝缘层的左侧以及所述第一间隔延伸至所述第二源极上；所述第二漏级连接通过所述第二子绝缘层的右侧以及所述第二间隔延伸至所述第二漏极上。
[0010]进一步地，所述第二绝缘层包括：第一栅极绝缘层，设于所述第一半导体层上；第二栅极绝缘层，设于所述第二半导体层上；以及第三栅极绝缘层，设于所述第一源极上；所述第二金属层还包括：电极层；所述第一栅极层设于所述第一栅极绝缘层上；所述第二栅极层设于所述第二栅极绝缘层上；以及所述电极层设于所述第三栅极绝缘层上，所述电极层、所述第三栅极绝缘层以及所述第一源极形成一存储电容。
[0011]进一步地，所述的显示面板还包括：第一金属线；第二金属线，所述第一金属线以及所述第二金属线分别设于所述钝化层上，所述第一金属线、所述第二金属线与所述像素电极同层设置；以及VDD电源走线，设于所述第一金属层中；其中，所述第一金属线的一端贯穿所述钝化层连接所述第一栅极层，所述第一金属线的另一端连接所述第二源漏极层；所述第二金属线的一端贯穿所述钝化层连接所述第一半导体层，所述第二金属线的另一端连接所述VDD电源走线。
[0012]本专利技术另一目的提供一种显示面板的制备方法，包括：提供一基板；形成一第一金属层于所述基板上，所述第一金属层包括：第一源漏电极层以及第二源漏电极层，所述第一源漏电极层与所述第二源漏电极层设有一间隙；形成一第一绝缘层于所述第一金属层以及所述基板上；形成一半导体层于所述第一绝缘层以及所述第一金属层上，所述半导体层包括第一半导体层以及第二半导体层，所述第一半导体层的连接所述第一源漏电极层，所述第二半导体层连接所述第二源漏电极层；形成一第二绝缘层于所述第一金属层以及所述半导体层上；形成一第二金属层于所述第二绝缘层上，所述第二金属层包括第一栅极层以及第二栅极层，所述第一栅极层连接所述第二栅极层；形成一钝化层于所述第二金属层、所述半导体层以及所述基板上；以及形成一像素电极于所述钝化层上，所述像素电极连接所述
第一源漏电极层。
[0013]进一步地，在所述形成一第一金属层于所述基板上的步骤中，具体包括如下步骤：沉积第一金属材料于所述基板上，以及通过同一光罩图案化得到所述第一源漏电极层以及所述第二源漏电极层；在所述形成一半导体层于所述第一绝缘层以及所述第一金属层上的步骤中，具体包括如下步骤：沉积一有源层材料于所述第一绝缘层以及所述第一金属层上；通过同一光罩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括:基板；第一金属层，设于所述基板上，所述第一金属层包括：第一源漏电极层以及第二源漏电极层，所述第一源漏电极层与所述第二源漏电极层具有一间隙；第一绝缘层，设于所述第一金属层以及所述基板上；半导体层，设于所述第一绝缘层以及所述第一金属层上，所述半导体层包括第一半导体层以及第二半导体层，所述第一半导体层连接所述第一源漏电极层，所述第二半导体层连接所述第二源漏电极层；第二绝缘层，设于所述第一金属层以及所述半导体层上；第二金属层，设于所述第二绝缘层上，所述第二金属层包括第一栅极层以及第二栅极层；钝化层，设于所述第二金属层、所述半导体层以及所述基板上；以及像素电极，设于所述钝化层上，所述像素电极连接所述第一源漏电极层。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏电极层与所述第二源漏电极层由同一金属层图案化得到。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体层与所述第二半导体层由同一有源层图案化得到。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极层与所述第二栅极层由同一金属层图案化得到。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏电极层包括：第一源极以及第一漏极，所述第一源极与所述第一漏极之间具有第一间隙；所述第二源漏电极层包括第二源极以及第二漏级；所述第二源极与所述第二漏级之间具有一第二间隙，所述第二源极设于所述第二漏级与所述第一源极之间，所述第二源极与所述第一源极之间具有一第三间隙；所述第一半导体层包括第一沟道区、第一源极连接区以及第一漏级连接区，所述第一源极连接区的一端连接所述第一沟道区的一端，所述第一漏级连接区的一端连接所述第一沟道区的另一端，所述第一源极连接区的另一端连接所述第一源极，所述第一漏级连接区的另一端连接所述第一漏极；所述第二半导体层包括第二沟道区、第二源极连接区以及第二漏级连接区，所述第二源极连接区的一端连接所述第二沟道区的一端，所述第二漏级连接区的一端连接所述第二沟道区的另一端，所述第二源极连接区的另一端连接所述第二源极，所述第二漏级连接区的另一端连接所述第二漏极。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层包括：第一子绝缘层，设于部分所述第一源极上延伸并覆盖所述第一间隙以及部分所述第一漏级；第二子绝缘层，设于所述第二间隙所对应的基板上，所述第二子绝缘层的一端与所述第二源极具有第一间隔，所述第二子绝缘层的另一端与所述第二漏极具有第二间隔；以及第三子绝缘层，设于所述第三间隙中并覆盖部分所述第一源漏电极层以及部分所述第二源
极；所述第一沟道区设于所述第一子绝缘层上，所述第一源极连接区通过所述第一子绝缘层的左侧延伸连...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢马才，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：