【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体存储装置，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线、多个位线对、多个位于所述字线和所述位线的交叉位置处的存储单元、以及多个连接到所述位线对的用于放大位线对的电位差的读出放大器；位线传输控制电路，用于控制将所述位线对连接到相应的读出放大器的位线传输门；以及字线选择电路，用于选择字线，其中，在测试模式中，所述字线选择电路选择与被连接到测试目标读出放大器的第一位线的第一存储单元相对应的第一字线，所述读出放大器被激活，并且所述第一位线被放大至第一或第二电位，然后在所述位线传输控制电路将所述第一位线从所述读出放大器断开的状态下，所述字线选择电路多次选择在所述第一位线上并且与所述第一存储单元相反的数据被存储在其中的第二存储单元的第二字线，以将所述第一位线的电位设置为中间电位，并且将所述第一字线返回至非选择状态，以将所述中间电位写入所述第一存储单元，然后在执行预充电之后，所述第一存储单元中的数据被读取。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：富田浩由，
申请(专利权)人：富士通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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