多芯片闪存器件及其复录方法技术

一种在具有第一存储芯片和第二存储芯片的多芯片闪存器件中复录数据的方法和设备。该方法可包括从存储芯片之一的第一源区域读取第一源数据；将第一源数据编程到在存储芯片之一中包括的目标区域中以及从不同于包括所述目标区域的存储芯片的其他存储芯片的第二源区域读取第二源数据。当编程第一源数据时可执行读取第二源数据。

【技术实现步骤摘要】

这里公开的示例实施例涉及存储器件(例如闪存器件)，以及例如涉及多芯 片闪存器件及其复录(copy back)方法。
技术介绍
近年，易失性和非易失性存储器的应用正越来越多地用于移动装置(例如 MP3播放器、个人多媒体播放器(PMP)、移动电话、笔记本电脑、个人数字 助理(PDA)等等)。这样的移动装置可能需要具有较大存储容量的存储单元以 便提供各种功能(例如，播放运动图像)。为了满足该需求，存在其中在单个封 装中构建多个存储设备的多位封装的方案。多芯片可封装通过堆叠相同种类 的存储芯片有助于将封装尺寸减少常规封装类型的一半。多芯片闪存器件可 由两个或更多个使用互相不同的各自的芯片选择信号的芯片组成。多芯片闪 存器件也可以由共享同 一芯片选择信号的多个芯片构建。图1是示意性地示出在常规双芯片闪存器件中用于复录的示例结构的框 图。参考图1,两个存储芯片10和20中的每个可以包括由页形成的单元阵 列，每个单元阵列可以是编程和读取的单元。每个存储芯片可以包括在编程 操作期间作为写驱动器或在读取操作期间作为感测放大器的页緩沖器PB1和 PB2。存储芯片10和20可以共享芯片选择信号CS、读使能信号nRE和/或 写使能信号nWE。存储芯片10和20也可以共享输入/输出(I/O)总线30。图2是示意性示出在图1所示的常规闪存器件中的芯片内复录操作的时序 图。复录操作的序列对应图1的附图标记①⑧。参考图2，页緩冲器PB1 可从源页页1读取源数据以用于复录操作(①)。可通过由芯片共享的输入/输 出总线30向存储控制器40提供读取的源数据(②)。用于复录的读取的源数据可被存储在包括在存储控制器40中的SRAM中。可通过使用纠错码(ECC) 的算法纠正存储在SRAM中的源数据。存储控制器40可将读取的源数据再 输入到第一存储芯片10中并加载到页緩冲器PB1中(③)以便将读取的源数据 编程到目标页页2中。加载到页緩冲器PB1中的所加载的源数据可被编程到 目标页页2中(④)。通过存储控制器40进行的状态检测操作来检测编程操作 的完成。在第一存储芯片10内执行的芯片内的页间复录操作也可以应用于第 二芯片20(⑤。⑧)。图3和4是用于解释在常规双芯片闪存器件中的芯片间复录操作的框图和 时序图。图3示出具有与图1相同的结构和功能的双芯片闪存器件，其中执 行复录操作以便源页被分配到第一存储芯片10中，而目标页被分配到第二存 储芯片20中。通过①。⑧的过程可以读出、传送和/或编程复录的源数据。 将参考图4所示的时序图描述图3的操作。对于从源页页1到目标页页3的 复录操作，页緩冲器PB1可从源页页1读取源数据(①)。可通过由芯片共享 的输入/输出总线30将读取的源数据传送到存储控制器40(②)。由存储控制器 40使用纠错处理的源数据可借助输入/输出总线20和第二存储芯片的输入/输 出线1/0_2而输入到页緩冲器PB2中(③)。页緩沖器PB2可将源数据编程到 目标页页3中( )。可通过与①。④的过程相同的过程⑤。⑧执行从源页页2 到目标页页4的复录操作。根据芯片的页之间和芯片之间的这种复录操作，顺序执行从源页读取源数 据的操作和将数据写入目标页的操作。在芯片共享输入/输出总线30时，顺 序地读取和编程操作能在输入/输出源数据时避免数据冲突。
技术实现思路
示例实施例可提供一种用于提高多芯片存储器件(例如多芯片闪存器件)的 操作速度的复录方法。示例实施例可提供一种能通过共享输入/输出总线和/或控制引脚进行较高 频率的复录操作的多芯片闪存器件。示例实施例可提供一种在具有第一存储芯片和第二存储芯片的多芯片闪 存器件中复录数据的方法，所述方法包括从存储芯片之一的第一源区域读 取第 一源数据，将所述第 一源数据编程到包括在存储芯片之一 中的目标区域取第二源数据。可在编程第 一源数据时执行读取第二源数据的操作。在示例实施例中，当第一源区域和目标区域包括在第一存储芯片中时，第二源区域可包括在第二存储芯片中。在示例实施例中，准备第 一源数据可包括检测第 一源数据是否已经被编程到目标区域中。在示例实施例中，当第 一 源区域包括在第 一存储芯片中以及目标区域包括 在第二存储芯片中时，第二源区域可包括在第 一存储芯片中。在示例实施例中，编程第一源数据可包括检测第一源数据是否已经被编程 到目标区域中。在示例实施例中，第 一源区域和第二源区域以及目标区域每个对应数据存 储区域，所述数据存储区域的每个为页单元。在示例实施例中，该方法可进一步包括纠正读出的第一源数据和第二源数 据的错误。在示例实施例中，第一存储芯片和第二存储芯片可以是NAND闪存器件。 示例实施例可提供一种多芯片闪存器件，包括第一存储芯片、第二存储芯 片、以及存储控制器，用于在复录操作期间使用从第一存储芯片读出的第一 源数据编程第一存储芯片和第二存储芯片之一的目标区域，并在编程期间调 节第一存储芯片和第二存储芯片以从不同于包括目标区域的存储芯片的其他存储芯片的第二源区域读取第二源数据。在示例实施例中，第 一存储芯片和第二存储芯片可共享芯片选4奪信号。 在示例实施例中，可根据芯片选择信号的电平交替地选择第 一存储芯片和第二存储芯片。在示例实施例中，存储控制器可为第一源数据和第二源数据执行纠错操作。示例实施例可提供一种多芯片闪存器件，所述多芯片闪存器件可包括输入 /输出总线；第一存储芯片，在编程期间，提供状态数据，其响应于状态检测 命令和读使能信号而报告编程的完成；第二存储芯片，在编程期间，在输出状态数据前，响应于读取命令而进行读取以向输入/输出总线输出读取数据， 并在输出状态数据时中断到输入/输出总线的数据输出；以及存储控制器，借 助输入/输出总线为第一存储芯片和第二存储芯片提供状态检测命令、读取命 令和地址并根据编程和读取进行复录操作。 在示例实施例中，第 一存储芯片和第二存储芯片可共享从存储控制器提供 的芯片选择信号、写使能信号和读使能信号。在示例实施例中，可根据芯片选择信号的电平交替选择第 一存储芯片和第 二存储芯片。在示例实施例中，第一存储芯片可包括第一单元阵列；存储状态数据的 第一输入/输出緩冲器；以及第一控制逻辑块，响应于地址、写使能信号和/ 或读使能信号对第一单元阵列进行编程，并响应于状态检测命令而对状态数 据的输出进行调节。在示例实施例中，第一控制逻辑块可包括响应于状态检测命令和地址而激 活第 一输入/输出緩沖器的输出的第 一緩沖控制器。在示例实施例中，第二存储芯片可包括第二单元阵列；存储读取数据的第 二输入/输出緩沖器；以及第二控制逻辑块，响应于地址、写使能信号和/或读 使能信号对第二单元阵列进行读取并响应状态检测命令而对第二输入/输出 緩冲器的输出进行调节。在示例实施例中，第二控制逻辑块可包括响应于状态检测命令而中断第二 输入/输出緩冲器的输出的第二緩沖控制器。根据示例实施例，可在一个芯片执行用于复录的读取操作，而在另一芯片 中执行编程操作。因此，可以提高复录操作的速度。通过参考本说明书的其余部分和相应附图可得到对这里的示例实施例的 特点和优点的进一步理解。附图说明将参照下面的附图描述非限制性和非穷举性的示例实施例，其中，除非特 别说明，在各个图中相同的附图标记表示相同的部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在具有第一存储芯片和第二存储芯片的多芯片闪存器件中复录数据的方法，包括：　　　　从所述存储芯片之一的第一源区域读取第一源数据；　　　　将所述第一源数据编程到包括在所述存储芯片之一中的目标区域中；　　　　从不同于包括所述目标区域的存储芯片的其他存储芯片的第二源区域读取第二源数据，　　　　其中，当编程所述第一源数据时执行读取第二源数据。

【技术特征摘要】
KR 2006-10-3 97467/061.一种在具有第一存储芯片和第二存储芯片的多芯片闪存器件中复录数据的方法，包括从所述存储芯片之一的第一源区域读取第一源数据；将所述第一源数据编程到包括在所述存储芯片之一中的目标区域中；从不同于包括所述目标区域的存储芯片的其他存储芯片的第二源区域读取第二源数据，其中，当编程所述第一源数据时执行读取第二源数据。2、 根据权利要求1所述的方法，其中，当所述第一源区域和所述目标区 域包括在所述第一存储芯片中时，所述第二源区域包括在所述第二存储芯片 中。3、 根据权利要求2所述的方法，其中，读取所述第二源数据包括检测所 述第一源数据是否已经被编程到所述目标区域中。4、 根据权利要求1所述的方法，其中，当所述第一源区域包括在所述第 一存储芯片中以及所述目标区域包括在所述第二存储芯片中时，所述第二源 区域包括在所述第一存储芯片中。5、 根据权利要求4所述的方法，其中，读取所述第二源数据包括检测所 述第一源数据是否已经被编程到所述目标区域中。6、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一源区域和所述第二源区 域以及所述目标区域每个都对应于数据存储区域，所述数据存储区域的每一 个为页单元。7、 根据权利要求1所述的方法，进一步包括 纠正读出的第 一 源数据和第二源数据的错误。8、 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一存储芯片和所述第二存 储芯片是NAND闪存器件。9、 一种多芯片闪存器件，包括 第一存储芯片； 第二存卡者芯片；以及存储控制器，在复录操作期间使用从所述第一存储芯片读出的第一源数据 编程所述第 一存储芯片和所述第二存储芯片之一的目标区域，并在编程期间调节所述第 一存储芯片和所述第二存储芯片以从不同于包括所述目标区域的 存储芯片的其他存储芯片的第二源区域读取第二源数据。10、 根据权利要求9所述的多芯片闪存器件，其中所述第一存储芯片和所 述第二存储芯片共享芯片选择信号。11、 根据权利要求IO所述的多芯片闪存器件，其中，根据所述芯片选择 信号的电平交替...

【专利技术属性】
技术研发人员：金仁永，崔永准，金钟和，金栒永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]