一种存储器检测方法技术

本发明专利技术公开一种存储器检测方法，其主要包括三个检测阶段，分别为读写检测、数据线检测及地址线检测，此三阶段通过逐步排除的方法查找存储器存在的故障，使检测结果更为准确，另外，本发明专利技术只需利用首地址与末地址，就可全面检测出数据线是否存在问题，对地址线的检测，也只需利用非常少的地址单元，就可进行全面检测；另外，通过对测试数据、测试数据组和测试地址组的特殊设置，可准确地指出具体是哪根数据线和地址线存在故障，并及时地报告错误，从而大大提高了检测效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测存储器外围电路及存储器品质的
，尤其是涉及一种对存储器 线路短路和断路及单元的检测方法。
技术介绍
存储器已广泛地应用于计算机、电子、通信行业的各种产品中，而且，存储器对生产 工艺(例如贴装工艺)的要求较高，在现有生产工艺不高的情况下，同时，又存在人为因 素(例如焊接错误，造成虛焊、粘连等问题)的情况，存储器常常产生短路或断路的问题， 从而对产品造成很大影响，往往使产品不能正常运行。然而，这类问题通常靠技术人员肉 眼很难判断并且因此类硬件问题引起的软件问题不易定位并且问题重现困难。于2006年1月26日公开的中国专利CN200410069098.2 —种闪存存储器的检测方 法提出了 一种对FLASH进行断路和短路检测的技术方案，该方案通过对FLASH每个地 址单元进行读写操作来判断其地址单元是否存在问题，由于FLASH写操作所要花费的时 间较长，这样对所有地址单元都进行写操作，使检测时间大大增加；另外，在该方案的对 数据线进行断路及短路的才企测过程非常繁瑣且检测结果也不准确，因为读出的结果与写入 的结果不一致，并不一定是数据线的问题，也有可能是地址线或者是存储单元的问题。同 样，该方案的对地址线进行开路及短路的检测过程也很复杂且检测结果不准确。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供，其可更准确、更快速地检测 出存储器的哪根数据线、地址线、存储单元存在的故障，并及时报告。 为解决本专利技术的技术问题，本专利技术公开，包括 第一阶段、对存储器进行读、写检测1.1设存储器内要进行检测的某一段地址空间的首地址为HDDR，末地址为EDDR, 测试数据1为TD1,测试数据2为TD2，两者的比特位宽度等于所要检测的数据线宽度， 且TD2为TD1的按位取反数据；1.2向HDDR写入TD1，再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存储器存在读写问题，停止检测并报告问题；1.3向EDDR写入TD2，再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存储器存在 读写问题，停止检测并报告问题；1.4当HDDR和EDDR都分别写入完TD1和TD2后，且都经回读比较，如果没有发 现问题，则进入第二阶段检测；第二阶段、对存储器的数据线进行检测2.1设置测试数据组1为TDG1，其所包含的数据个数等于所要检测的数据线宽度， 每一数据互不相同，且每一数据与步骤1.2中的写入HDDR的TD1相比只有一个比特位不 同；2.2将TDG1的每个数据依次向HDDR写入，每次写完一个数据后，再回读比较，若 回读结果相等，则继续写入下一个数据；若回读结果不相等，进入步骤2.3;2.3根据回读结果，判断出该写入HDDR的数据与TD1相比比特位不同的那根数据 线存在故障，并记录该故障，继续写入下一个数据，直至所有数据线都检测完毕，再停止 检测并报告所发现的错误；2.4设置测试数据组2为TDG2,其所包含的数据个数等于所要检测的数据线宽度， 每一数据互不相同，且每一数据都为TDG1中相应数据的按位取反；2.5向EDDR依次写入TDG2，每次写完一个数据后，再回读比较，若回读结果相等， 则继续写入下一个数据；若回读结果不相等，进入步骤2.6;2.6根据回读结果，判断出该写入EDDR的数据与TD2相比比特位不同的那根数据线 存在故障，并记录该故障，继续写入下一个数据，直至所有数据线都检测完毕，再停止检 测并报告所发现的错误；2.7在2.1至2.6步骤中，若未发现数据线存在问题，且TDG1和TDG2内的数据都写 入及回读完毕，则进入第三阶段检测；第三阶段、对存储器地址线进行检测3.1将TD1写入HDDR;3.2设置测试地址组1，其包含多个测试地址，且每一测试地址与HDDR相比只有一 个比特位不同，且各测试地址之间互不相同；3.3将TDG1所含数据依次地写入测试地址组1所含的测试地址内，每向一个测试地 址写完一个数据，再回读HDDR内的数据，若回读结果为TDl,则继续向下一个测试地址 写入下一个数据，直至所有测试地址都写入完毕；若回读结果不是TDl,则进行步骤3.4;3.4根据回读结果，判断出该测试地址与HDDR相比比特位不同的那根地址线存在故 障，并记录该故障，继续向下一个测试地址单元写入下一个数据，直至所有测试地址单元 都写入完毕，停止检测并报告所发现的错误；3.5将TD2写入EDDR;3.6设置测试地址组2，其包含多个测试地址，且每一测试地址是测试地址组1所含 测试地址的按位取反；3.7将TDG2所含数据依次写入测试地址组2所含的测试地址内，每次写完一次，再 回读EDDR内的数据，若回读结果为TD2，则继续向下一个测试地址写入下一个数据；若 回读结果不是TD2，则进行步骤3.8;3.8根据回读结果，判断出该测试地址与EDDR相比比特位不同的那根地址线存在故 障，并记录该故障，继续向下一个测试地址写入下一个数据，直至所有测试地址都写入完 毕，停止检测并报告所发现的错误。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果本专利技术通过三个检测阶段，分级、分步 骤地进行逐步分析，逐步排除，使检测结果更准确；并且本专利技术的检测方法只需利用首地 址与末地址，就可全面检测出数据线是否存在问题，对地址线的检测，同样也只需利用非 常少的地址单元，就可进行全面检测；另外，通过对测试数据、测试数据组和测试地址组 的特殊设置，可准确地指出具体是哪根数据线和地址线存在故障，并及时地报告错误，从 而大大提高了检测效率。附图说明图1是本专利技术的存储器检测方法的主流程图2是本专利技术的存储器第一阶段检测的流程图3是本专利技术的存储器第二阶^a检测的流程图4是本专利技术的存储器第三阶段检测的流程图5是本专利技术的另一实施例的存储器第二阶段检测的流程图6是本专利技术的另 一实施例的存储器第三阶段检测的流程图。具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本专利技术作进一步详细说明。如图l所示，本专利技术的存储器检测方法主要分为三个检测阶段第一阶段是对存储器作基本的读、写检测；第二阶段是对存储器的数据线进行检测；第三阶段是对存储器的地 址线进行检测。在本专利技术中，存储器是指所有跟CPU之间存在地址线和数据线^i接特征的可读写存 储器，包括FLASH、 RAM、 SDRAM等。对存储器的检测总是从第一阶段开始，在这三个阶段的检测过程中，若其中某一阶段 检测出了故障，则不再进入后续的检测，直接报告该故障并停止检测；若没有检测出故障， 则再进行后续的检测。即启动后一阶段检测的条件是在前一阶段的检测过程中未发现问 题，只有这样才能保证后一阶段检测所得出的故障结论是准确的。如图2所示，第一阶段的检测步骤包括1.1设存储器内要进行检测的某一段地址空间的首地址为HDDR，末地址为EDDR， 测试数据1为TD1，测试数据2为TD2，两者的比特位宽度等于所要检测的数据线宽度， 且TD2为TD1的按位取反数据；1.2向HDDR写入TDl,再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存储器存在 读写问题，停止检测并报告问题；1.3向EDDR写入TD2，再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存储器存在 读写问题，停止检测并报告问题；1.4当HDDR和EDDR都分别写入完TD1和TD2后，如果没有发现问题，则进入第 二阶段检测。HDDR和EDDR可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器检测方法，其特征在于，包括：第一阶段、对存储器进行读、写检测：１．１设存储器内要进行检测的某一段地址空间的首地址为ＨＤＤＲ，末地址为ＥＤＤＲ，测试数据１为ＴＤ１，测试数据２为ＴＤ２，两者的比特位宽度等于所要检测的数 据线宽度；且ＴＤ２为ＴＤ１的按位取反数据；１．２向ＨＤＤＲ写入ＴＤ１，再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存储器存在读写问题，停止检测并报告问题；１．３向ＥＤＤＲ写入ＴＤ２，再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存 储器存在读写问题，停止检测并报告问题；１．４当ＨＤＤＲ和ＥＤＤＲ都分别写入完ＴＤ１和ＴＤ２后，且都经回读比较，如果没有发现问题，则进入第二阶段检测；第二阶段、对存储器的数据线进行检测：２．１设置测试数据组１为ＴＤＧ１ ，其所包含的数据个数等于所要检测的数据线宽度，每一数据互不相同，且每一数据与步骤１．２中的写入ＨＤＤＲ的ＴＤ１相比只有一个比特位不同；２．２将ＴＤＧ１的每个数据依次向ＨＤＤＲ写入，每次写完一个数据后，再回读比较，若回读结果相等，则继 续写入下一个数据；若回读结果不相等，进入步骤２．３；２．３根据回读结果，判断出该写入ＨＤＤＲ的数据与ＴＤ１相比比特位不同的那根数据线存在故障，并记录该故障，继续写入下一个数据，直至所有数据线都检测完毕，再停止检测并报告所发现的错误； ２．４设置测试数据组２为ＴＤＧ２，其所包含的数据个数等于所要检测的数据线宽度，每一数据互不相同，且每一数据都为ＴＤＧ１中相应数据的按位取反；２．５向ＥＤＤＲ依次写入ＴＤＧ２，每次写完一个数据后，再回读比较，若回读结果相等，则 继续写入下一个数据；若回读结果不相等，进入步骤２．６；２．６根据回读结果，判断出该写入ＥＤＤＲ的数据与ＴＤ２相比比特位不同的那根数据线存在故障，并记录该故障，继续写入下一个数据，直至所有数据线都检测完毕，再停止检测并报告所发现的错误 ；２．７在２．１至２．６步骤中，若未发现数据线存在问题，且ＴＤＧ１和ＴＤＧ２内的数据都写入及回读完毕，则进入第三阶段检测；第三阶段、对存储器地址线进行检测：３．１将ＴＤ１写入ＨＤＤＲ；３．２设置测试地址组１， 其包含多个测试地址，且每一测试地址与ＨＤＤＲ相比只有一个比特位不同，且各测试地址之间互不相同；３．３将ＴＤＧ１所含数据依次地写...

【技术特征摘要】
1、一种存储器检测方法，其特征在于，包括第一阶段、对存储器进行读、写检测1.1设存储器内要进行检测的某一段地址空间的首地址为HDDR，末地址为EDDR，测试数据1为TD1，测试数据2为TD2，两者的比特位宽度等于所要检测的数据线宽度；且TD2为TD1的按位取反数据；1.2向HDDR写入TD1，再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存储器存在读写问题，停止检测并报告问题；1.3向EDDR写入TD2，再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存储器存在读写问题，停止检测并报告问题；1.4当HDDR和EDDR都分别写入完TD1和TD2后，且都经回读比较，如果没有发现问题，则进入第二阶段检测；第二阶段、对存储器的数据线进行检测2.1设置测试数据组1为TDG1，其所包含的数据个数等于所要检测的数据线宽度，每一数据互不相同，且每一数据与步骤1.2中的写入HDDR的TD1相比只有一个比特位不同；2.2将TDG1的每个数据依次向HDDR写入，每次写完一个数据后，再回读比较，若回读结果相等，则继续写入下一个数据；若回读结果不相等，进入步骤2.3；2.3根据回读结果，判断出该写入HDDR的数据与TD1相比比特位不同的那根数据线存在故障，并记录该故障，继续写入下一个数据，直至所有数据线都检测完毕，再停止检测并报告所发现的错误；2.4设置测试数据组2为TDG2，其所包含的数据个数等于所要检测的数据线宽度，每一数据互不相同，且每一数据都为TDG1中相应数据的按位取反；2.5向EDDR依次写入TDG2，每次写完一个数据后，再回读比较，若回读结果相等，则继续写入下一个数据；若回读结果不相等，进入步骤2.6；2.6根据回读结果，判断出该写入EDDR的数据与TD2相比比特位不同的那根数据线存在故障，并记录该故障，继续写入下一个数据，直至所有数据线都检测完毕，再停止检测并报告所发现的错误；2.7在2.1至2.6步骤中，若未发现数据线存在问题，且TDG1和TDG2内的数据都写入及回读完毕，则进入第三阶段检测；第三阶段、对存储器地址线进行检测3.1将TD1写入HDDR；3.2设置测试地址组1，其包含多个测试地址，且每一测试地址与HDDR相比只有一个比特位不同，且各测试地址之间互不相同；3.3将TDG1所含数据依次地写入测试地址组1所含的测试地址内，每向一个测试地址写完一个数据，再回读HDDR内的数据，若回读结果为TD1，则继续向下一个测试地址写入下一个数据，直至所有测试地址都写入完毕；若回读结果不是TD1，则进行步骤3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜军，黄海欢，
申请(专利权)人：深圳市同洲电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[]