本发明专利技术提供一种输出信号驱动电路,其包含有一第一开关、一第二开关、一第三开关以及一第四开关。该第一开关依据一第一控制信号以选择性地将一第一电源电压与一第一端点导通。该第二开关依据一第二控制信号以选择性地将一第二电源电压与一第二端点导通。该第三开关依据一第三参考电压以选择性地将该第一端点与该输出信号驱动电路的一输出端导通。该第四开关依据一第四参考电压以选择性地将该输出端与该第二端点导通。该第三、第四参考电压的电压电平介于该第一电源电压的电压电平与该第二电源电压的电压电平之间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供一种输出信号的电路及其相关方法,尤其指一种应用于存储器(例如DDR存储器)存取的输出信号驱动电路及其方法。
技术介绍
随着处理器性能不断的攀升,存储器带宽已经成为目前影响计算机系统格与总线技术来作为存储器带宽的解决方案,现在的双重数据传输率(Double data rate, DDR)的存储器发展技术亦不例外,从最初的DDRI, DDRII到最新 的DDRIII存储器传输规格,然而,在大幅提升存储器数据存取量的同时,一 有殳的专用集成电3各 (application specific integrated circuit, ASIC)制 造厂却无法即时提供最先进的技术工艺供客户使用。根据世界半导体标准协 会UDEC)所订的DDR规格,DDRI存储器必需遵循SSTL-25规格,即其存储 器的输入/输出(IO)端口的电压必需为2. 5V;DDRI1存储器必需遵循SSTL-18 规格,即其存储器的输入/输出端口的电压必需为1. 8V;而DDRIII存储器则 必需遵循SSTL-15规格,即其存储器的输入/输出端口的电压必需为1.5V, 但是一般ASIC芯片制造厂只提供两种工艺元件(亦即低压元件和高压元件) 以供客户使用,因此,在设计存储器控制器(memory control ler)的输入/输 出连接点(IO pad)时, 一般是将原本运作于3. 3V的高压晶体管元件操作在 2. 5V电压下(DDRI),或是将原本运作于3. 3V的高压晶体管元件操作在1. 8V 下(DDRII)。请参考图l,图1为3. 3V晶体管的电流-电压特性曲线图。根据 图1可以得知,当3. 3V的晶体管操作在DDRII所规范的1. 8V时,其操作电 流h均会比原本操作在正常3. 3V时的操作电流I,小,然而输入/输出连接点 为了要在DDRII所规定的时间内充电至合理的电压电平,则于1.8V下的驱动 电流可能会不够大,因此在这情况下,为了提高驱动电流量则必需要增加晶 体管的宽度大小(width)以及输入/输出连接点的面积,如此就会增加电路面 积而造成成本增加。同样地,当3. 3V的晶体管操作在DDRIII所规范的1. 5V时,其操作电流L会比原本操作在正常3. 3V时的操作电流13小,且会比上述应用于DDRII的情况下更小,因此所需的电路面积就会更大了。
技术实现思路
因此,本专利技术的主要目的的一在于提供一种应用于存储器(例如DDR存储 器)存取的输出信号驱动电路及其方法,其可节省输入/输出连接点面积以解 决公知对支术的问题。依据本专利技术的一实施例,其公开一种输出信号驱动电路。该输出信号驱 动电路包含有 一第一开关, 一第二开关,一第三开关,以及一第四开关。 该第一开关的一端耦接于一第一电源电压,其另一端耦接于一第一端点,其 中该第一开关导通与否依据一第一控制信号以选择性地将该第一电源电压与 该第一端点导通。该第二开关的一端耦接于一第二电源电压,其另一端耦接 于一第二端点,其中该第二开关导通与否依据一第二控制信号以选#^生地将 该第二电源电压与该第二端点导通。该第三开关的一端耦接于该第一端点, 其另一端耦接于一输出端,其中该第三开关导通与否依据一第三参考电压以 选择性地将该第 一端点与该输出端导通。该第四开关的一端耦接于该输出端, 其另一端耦接于该第二端点,其中该第四开关导通与否依据一第四参考电压 以选择性地将该输出端与该第二端点导通;其中该第三参考电压以及该第四 参考电压的电压电平介于该第一电源电压的电压电平与该第二电源电压的电 /玉电平之间。依据本专利技术的一实施例,其公开一种输出信号的驱动方法。该驱动方法 包含有依据一第一控制信号以选择性地将一第 一电源电压与一第一端点导 通;依据一第二控制信号以选择性地将一第二电源电压与一第二端点导通; 依据一第三参考电压以选择性地将该第一端点与一输出端导通;以及依据一 第四参考电压以选择性地将该输出端与该第二端点导通;其中该第三、第四 参考电压的电压电平介于该第一电源电压的电压电平与该第二电源电压的电 压电平之间。附图说明图1为公知3. 3V晶体管的电流-电压特性曲线图。图2为依据本专利技术输出信号驱动电路的一实施例的示意图。图3为第二图所示的P型场效应晶体管的电流-电压特性曲线图。 图4为第二图所示的N型场效应晶体管的电流-电压特性曲线图。 图5为本专利技术输出信号的驱动方法的流程图。主要元件符号说明<table>table see original document page 6</column></row><table>具体实施例方式请参考图2,图2为依据本专利技术输出信号驱动电路200的一实施例的示 意图。输出信号驱动电路200包含有一第一开关202、 一第二开关204、 一第 三开关206、 一第四开关208、 一第一前置驱动电路210以及一第二前置驱动 电路212。本实施例中,第一开关202其一端耦接于一第一电源电压V(k,,其 另一端耦接于一第一端点N,,该第一开关202导通与否依据一第一控制信号 Vt。以选择性地将第一电源电压Vdd与第一端点N,导通;第二开关2(M其一端耦 接于一第二电源电压V一,其另一端耦接于一第二端点N2,该第二开关204导 通与否依据一第二控制信号L以选择性地将第二电源电压V一与第二端点N2 导通;第三开关206其一端耦接于第一端点N,,其另一端耦接于输出信号驱 动电路200的一输出端N。ul,该第三开关206导通与否依据一第三参考电压 V』以选择性地将第一端点Nl与输出端N则导通;第四开关208其一端耦接 于第二端点l其另一端耦接于输出信号驱动电路200的一输出端N,,该第 四开关208导通与否依据一第四参考电压V^以选择性地将第二端点N2与输 出端N组导通;第一前置驱动电路210耦接于第一开关202,接收并依据第一 输入信号V,以自第 一 电源电压Vdd与 一第五参考电压V w5中择一作为第 一控制 信号V。,,亦即,第一前置驱动电路210得以是一电压转换电路(level shifter ),依据第一输入信号V,将第一控制信号VE|的电压电平设定为第一电 源电压Vdd或者第五参考电压V^;以及第二前置驱动电路212耦接于第二开 关204,接收并依据第二输入信号V,以自第二电源电压V一与一第六参考电压 V^中择一作为第二控制信号Ve2,同样地,第二前置驱动电路212得以是一电压转换电路,依据第二输入信号V2将第二控制信号乙的电压电平设定为第二电源电压V一或者第六参考电压Vw6。另一方面,输出信号驱动电路200的 输出端N。llt更耦接至一输入/输出连接点(10 pad) 220而使得输出端N。,,t具有一 等效电容Cout。请注意,根据本专利技术的一实施例,第一开关202由一具有宽长比为(W/LL 的P型场效应晶体管Mp,来加以实现、第二开关204由一具有宽长比为(W/Lh 的N型场效应晶体管M,,来加以实现、第三开关206由一具有宽长比为(W/L)( 的P型场效应晶体管Mp2来加以实现、第四开关208由一具有宽长比为(W/Lh 的N型场效应晶体管NL来加以实现、第一前置驱动电路210由一反相器(包 含P本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种输出信号驱动电路,其包含有:一第一开关,其一端耦接于一第一电源电压,其另一端耦接于一第一端点,其中该第一开关导通与否依据一第一控制信号以选择性地将该第一电源电压与该第一端点导通;一第二开关,其一端耦接于一第二电源电压,其另一端耦接于一第二端点,其中该第二开关导通与否依据一第二控制信号以选择性地将该第二电源电压与该第二端点导通;一第三开关,其一端耦接于该第一端点,其另一端耦接于一输出端,其中该第三开关导通与否依据一第三参考电压以选择性地将该第一端点与该输出端导通;以及一第四开关,其一端耦接于该输出端,其另一端耦接于该第二端点,其中该第四开关导通与否依据一第四参考电压以选择性地将该输出端与该第二端点导通;其中该第三参考电压以及该第四参考电压的电压电平介于该第一电源电压的电压电平与该第二电源电压的电压电平之间。
【技术特征摘要】
1. 一种输出信号驱动电路,其包含有一第一开关,其一端耦接于一第一电源电压,其另一端耦接于一第一端点,其中该第一开关导通与否依据一第一控制信号以选择性地将该第一电源电压与该第一端点导通;一第二开关,其一端耦接于一第二电源电压,其另一端耦接于一第二端点,其中该第二开关导通与否依据一第二控制信号以选择性地将该第二电源电压与该第二端点导通;一第三开关,其一端耦接于该第一端点,其另一端耦接于一输出端,其中该第三开关导通与否依据一第三参考电压以选择性地将该第一端点与该输出端导通;以及一第四开关,其一端耦接于该输出端,其另一端耦接于该第二端点,其中该第四开关导通与否依据一第四参考电压以选择性地将该输出端与该第二端点导通;其中该第三参考电压以及该第四参考电压的电压电平介于该第一电源电压的电压电平与该第二电源电压的电压电平之间。2. 如权利要求1所述的输出信号驱动电路,还包含有 一第一前置驱动电路,耦接于该第一开关并接收一第一输入信号,且依据该第一输入信号以自该第一电源电压与一第五参考电压中择一作为该第一 控制信号;以及一第二前置驱动电路,耦接于该第二开关并接收一第二输入信号,且依 据该第二输入信号以自该第二电源电压与一第六参考电压中择一作为该第二控制信号;其中该第五参考电压以及该第六参考电压的电压电平介于该第一电源电 压的电压电平与该第二电源电压的电压电平之间。3. 如权利要求2所述的输出信号驱动电路,其中该第三参考电压以及该 第四参考电压对应一相同电压电平。4. 如权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈逸琳,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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