数据处理方法及电子装置制造方法及图纸

一种基于忆阻器阵列的数据处理方法及电子装置。数据处理方法包括获取待处理对象，其中，待处理对象包括阵列排布的多个像素点；设置忆阻器阵列，将待处理对象中的每个像素点的值映射至忆阻器阵列中对应的忆阻器单元；通过忆阻器阵列计算待处理对象对应的中心坐标，其中，忆阻器阵列被配置为可进行乘和运算。该基于忆阻器阵列的数据处理方法减少了很多不必要的数据搬运过程，减小了硬件实现的能耗和延迟开销。迟开销。迟开销。

【技术实现步骤摘要】
数据处理方法及电子装置


[0001]本公开的实施例涉及一种数据处理方法及电子装置。

技术介绍

[0002]基于忆阻器的存算一体技术有望突破经典计算系统的冯诺依曼架构瓶颈，带来硬件算力、能效的爆发式增长，进一步促进人工智能的发展和落地，是最具潜力的下一代硬件芯片技术之一。国内外企业、科研单位都投入大量人力物力，经过近十年的发展后，基于忆阻器的存算一体技术已逐渐从理论仿真阶段进入实际芯片、系统的原型演示阶段。

技术实现思路

[0003]本公开至少一实施例提供一种基于忆阻器阵列的数据处理方法，其中，忆阻器阵列包括阵列排布的多个忆阻器单元，该方法包括：获取待处理对象，其中，待处理对象包括阵列排布的多个像素点；设置忆阻器阵列，将待处理对象中的每个像素点的值映射至忆阻器阵列中对应的忆阻器单元；通过忆阻器阵列计算待处理对象对应的中心坐标，其中，忆阻器阵列被配置为可进行乘和运算。
[0004]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，中心坐标包括第一坐标和第二坐标，待处理对象包括m行n列，m和n分别为正整数，通过忆阻器阵列计算待处理对象对应的中心坐标，包括：针对待处理对象中的多个像素点中的每个像素点：将像素点的值乘以像素点在待处理对象中所在行的行编号，以得到像素点对应的第一乘积，由此得到m*n个第一乘积，将m*n个第一乘积求和以得到第一分子值，将像素点的值乘以像素点在待处理对象中所在列的列编号，以得到像素点对应的第二乘积，由此得到m*n个第二乘积，将m*n个第二乘积求和以得到第二分子值；将待处理对象中的每个像素点的值进行加和，以得到分母值；将第一分子值与分母值相除得到待处理对象对应的第一坐标，将第二分子值和分母值相除得到待处理对象对应的第二坐标。
[0005]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，将像素点的值乘以像素点在待处理对象中所在行的行编号，以得到像素点对应的第一乘积，由此得到m*n个第一乘积，将m*n个第一乘积求和以得到第一分子值，包括：对于m行中的第i行，读取i次第i行中所有像素点的值，以得到i个读取结果，将i个读取结果相加得到第i行对应的像素值之和，其中，i为正整数；将与m行分别对应的m个像素值之和相加，得到第一分子值。
[0006]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，忆阻器阵列包括M行N列忆阻器单元，忆阻器阵列还包括M条字线、M条源线和N条位线，M条字线以及M条源线分别与M行对应，N条位线分别与N列对应，M和N为正整数且分别大于或等于m和n，多个忆阻器单元中的每个在接收对应的字线所施加的开启信号被打开且在对应的位线上被施加读取电压而被读取，并且根据忆阻器单元中的忆阻器的阻值产生对应的读取电流，其中，读取i次第i行中所有像素点的值，以得到i个读取结果，将i个读取结果相加得到第i行对应的像素值之和，包括：在连续m个周期内使得第i行中所有像素点中的每个像素点对应的忆阻器单元产生i
次读取电流，对第i行中所有像素点对应的所有忆阻器单元产生的i次读取电流进行加和处理，以得到第i行对应的输出电流；并且，将与m行分别对应的m个像素值之和相加得到第一分子值，包括：将m行分别对应的m个输出电流相加，得到第一分子值。
[0007]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，在连续m个周期内使得第i行中所有像素点中的每个像素点对应的忆阻器单元产生i次读取电流，包括：在连续m个周期内，在所有像素点对应的忆阻器单元的位线施加读取电压，在连续m个周期内，在第i行对应的忆阻器单元的字线施加i个周期的开启信号。
[0008]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，将像素点的值乘以像素点在待处理对象中所在列的列编号，以得到像素点对应的第二乘积，由此得到m*n个第二乘积，将m*n个第二乘积求和以得到第二分子值，包括：对于n列中的第j列，读取j次第j列中所有像素点的值，以得到j个读取结果，将j个读取结果相加得到第j列对应的像素值之和，其中，j为正整数；将与n列分别对应的n个像素值之和相加，得到第二分子值。
[0009]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，忆阻器阵列包括M行N列，忆阻器阵列还包括M条字线、M条源线和N条位线，M条字线以及M条源线分别与M行对应，N条位线分别与N列对应，M和N为正整数且分别大于或等于m和n，多个忆阻器单元的每个在接收对应的字线所施加的开启信号被打开且在对应的位线上被施加读取电压而被读取，并且根据忆阻器单元中的忆阻器的阻值产生对应的读取电流，其中，读取j次第j列中所有像素点的值，以得到j个读取结果，将j个读取结果相加得到第j列对应的像素值之和，包括：在连续n个周期内使得第j列中所有像素点中的每个像素点对应的忆阻器单元产生j次读取电流，对第j列中所有像素点对应的所有忆阻器单元产生的j次读取电流进行加和处理，以得到第j列对应的输出电流；并且将与n列分别对应的n个像素值之和相加得到第二分子值，包括：将n列分别对应的n个输出电流相加，得到第二分子值。
[0010]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，在连续n个周期内使得第j列中所有像素点中的每个像素点对应的忆阻器单元产生j次读取电流，包括：在连续n个周期内，在所有像素点对应的忆阻器单元的字线施加开启信号，在连续n个周期内，在第j列对应的忆阻器单元的位线施加j个周期的读取电压。
[0011]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，忆阻器阵列包括M行N列忆阻器单元，忆阻器阵列还包括M条字线、M条源线和N条位线，M条字线以及M条源线分别与M行对应，N条位线分别与N列对应，M和N为正整数且分别大于或等于m和n，多个忆阻器单元中的每个在接收对应的字线所施加的开启信号被打开且在对应的位线上被施加读取电压而被读取，并且根据忆阻器单元中的忆阻器的阻值产生对应的读取电流，其中，将待处理对象中的每个像素点的值加和，以得到分母值，包括：获取多个像素点中的每个像素点分别对应的忆阻器单元产生的1次读取电流，以得到多个读取电流；对多个读取电流进行加和处理，以得到分母值。
[0012]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，获取多个像素点中的每个像素点分别对应的忆阻器单元产生的1次读取电流，以得到多个读取电流，包括：在1个周期内，在n列像素点对应的n列忆阻器单元的位线施加读取电压，将开启信号施加至m行像素点对应的m行忆阻器单元的字线。
[0013]例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理方法中，每个像素点的值为彼此不
同的第一值和第二值中之一，每个忆阻器单元具有第一状态或第二状态，中心坐标为待处理对象的形心坐标，将待处理对象中的每个像素点的值映射至忆阻器阵列中对应的忆阻器单元，包括：响应于待处理对象中的一个像素点的值为第一值，将忆阻器阵列中与一个像素点对应的忆阻器单元设定为第一状态；响应于待处理对象中的一个像素点的值为第二值，将忆阻器阵列中与一个像素点对应的忆阻器单元设定为第二状态，第一状态不同于第二状态。
[0014]例如，在本公开至少一实施例提供的数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于忆阻器阵列的数据处理方法，其中，所述忆阻器阵列包括阵列排布的多个忆阻器单元，所述方法包括：获取待处理对象，其中，所述待处理对象包括阵列排布的多个像素点；设置所述忆阻器阵列，将所述待处理对象中的每个像素点的值映射至所述忆阻器阵列中对应的忆阻器单元；通过所述忆阻器阵列计算所述待处理对象对应的中心坐标，其中，所述忆阻器阵列被配置为可进行乘和运算。2.根据权利要求1所述的数据处理方法，其中，所述中心坐标包括第一坐标和第二坐标，所述待处理对象包括m行n列，m和n分别为正整数，通过所述忆阻器阵列计算所述待处理对象对应的中心坐标，包括：针对所述待处理对象中的所述多个像素点中的每个像素点：将所述像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在行的行编号，以得到所述像素点对应的第一乘积，由此得到m*n个第一乘积，将所述m*n个第一乘积求和以得到第一分子值，将所述像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在列的列编号，以得到所述像素点对应的第二乘积，由此得到m*n个第二乘积，将所述m*n个第二乘积求和以得到第二分子值；将所述待处理对象中的每个像素点的值进行加和，以得到分母值；将所述第一分子值与所述分母值相除得到所述待处理对象对应的第一坐标，将所述第二分子值和所述分母值相除得到所述待处理对象对应的第二坐标。3.根据权利要求2所述的数据处理方法，其中，将所述像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在行的行编号，以得到所述像素点对应的第一乘积，由此得到m*n个第一乘积，将所述m*n个第一乘积求和以得到第一分子值，包括：对于所述m行中的第i行，读取i次所述第i行中所有像素点的值，以得到i个读取结果，将所述i个读取结果相加得到所述第i行对应的像素值之和，其中，i为正整数；将与所述m行分别对应的m个像素值之和相加，得到所述第一分子值。4.根据权利要求3所述的数据处理方法，其中，所述忆阻器阵列包括M行N列忆阻器单元，所述忆阻器阵列还包括M条字线、M条源线和N条位线，所述M条字线以及所述M条源线分别与所述M行对应，所述N条位线分别与所述N列对应，M和N为正整数且分别大于或等于m和n，所述多个忆阻器单元中的每个在接收对应的字线所施加的开启信号被打开且在对应的位线上被施加读取电压而被读取，并且根据所述忆阻器单元中的忆阻器的阻值产生对应的读取电流，其中，读取i次所述第i行中所有像素点的值，以得到i个读取结果，将所述i个读取结果相加得到所述第i行...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华强，周颖，高滨，张清天，唐建石，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：