本发明专利技术涉及用于制造存储介质的方法。根据实施方式的一个方面,一种用于制造存储介质的方法包括以下步骤:提供引导组件及用于形成存储介质的介质板组件;以及设置所述介质板组件及所述引导组件,使得所述介质板组件与所述引导组件彼此靠近,并且所述介质板组件的表面与所述引导组件的表面形成基本上公共的平面。该方法还包括以下步骤:将用于对所述介质板组件进行抛光的抛光组件引导到所述引导组件的表面上;以及将所述引导组件上的所述抛光组件滑动到所述介质板组件上,以对所述介质板组件的表面进行抛光。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
在可以记录及再现信息的存储装置中所使用的存储介质各个都可以例如通过以下步骤制作在衬底(substrate)上形成磁性膜;将润滑剂 (lubricant)涂布到所得到的叠置体(stack);以及对涂布了润滑剂的叠 置体进行平坦化(planarize)。执行平坦化是为了提高在磁记录装置操作 期间的磁头悬浮稳定性(floating stability),并且使得磁头不会被附着到 磁记录介质表面的异物所损害。日本技术登记申请特开昭No. 60-60014公开了这种存储介质、存储装置以及。
技术实现思路
根据实施方式的一个方面, 一种包括以下 步骤提供引导组件及用于形成存储介质的介质板(mediumplate)组件; 设置所述介质板组件及所述引导组件,使得所述介质板组件与所述引导 组件彼此靠近,并且所述介质板组件的表面与所述引导组件的表面形成 基本上公共的平面;将用于对所述介质板组件进行抛光的抛光组件引导 到所述引导组件的表面上;以及将所述引导组件上的所述抛光组件滑动 (slide)到所述介质板组件上,以对所述介质板组件的表面进行抛光。附图说明图1A到IF是例示了根据本专利技术的实施方式的用于制造存储介质的 方法的示意性截面图2示出了在准备其具有记录层的介质板组件的步骤中所准备的介质板组件的示例的示意性平面图及示意性截面图3是示出了在准备其具有记录层的介质板组件的步骤中所准备的 介质板组件的另一示例的示意性截面图4是示出了在排布引导组件和介质板组件的步骤中引导组件及介 质板组件的排布结构及形状的示例的示意性平面图5是示出了在排布引导组件和介质板组件的步骤中引导组件及介 质板组件的排布结构及形状的另一示例的示意性平面图6A到6C是例示了在根据本专利技术的实施方式的用于制造存储介质 的方法中使抛光组件与引导组件相接触的步骤的截面图7A到7D是示出了在根据本专利技术的实施方式的用于制造存储介质 的方法中抛光组件、引导组件与附着到介质板组件表面的异物之间的位 置关系的示意性截面图8A到8C是示出了在根据现有技术的用于制造磁记录介质的方法 的过程中抛光组件与附着到介质板组件表面的异物之间位置关系的示意 性截面图9是示出了在实验性示例1中所制作的磁记录介质内瑕疵位置与 瑕疵数量之间关系的条形图IOA到IOD是例示了在实验性示例1中的最外周处的瑕疵的生成 机制的示意性截面图IIA到11C是例示了在实验性示例2中用于制造磁记录介质的方 法的示意性截面图12A到12C是例示了在对比示例1中用于制造磁记录介质的方法 的示意性截面图;以及图13是示出了在对比较示例1中制作的磁记录介质的两个表面中的 瑕疵位置与数量之间关系的条形图。具体实施例方式用于对存储介质进行平坦化的典型方法是带抛光(TB, Tape Bumishing)。带抛光包括以下步骤将抛光带压靠旋转磁记录介质的正面及背面;然后,将抛光带在磁记录介质的表面上进行滑动,以去除介 质表面上的突起。为了提高磁记录介质表面的平坦性并且去除磁记录介 质表面上的异物,通常在磁记录介质制造工艺的最后步骤中执行带抛光。不利的是,带抛光会导致磁记录介质中的瑕疵,因而不利地影响磁 记录及再现性能。瑕疵集中在磁记录介质中抛光带首先与该介质接触的 部分。抛光带和磁记录介质之间的较小接触区域将减少瑕疵数量。然而 在该情况下,会降低抛光效率。本专利技术提供了一种用于制造记录介质的方法,该方法包括对存储介 质进行平坦化,而不产生会不利地影响信息记录及再现性能的瑕疵。图1A到1F是例示了作为根据本专利技术的的 实施方式的用于制造磁记录介质的方法的示意性截面图。根据实施方式的用于制造磁记录介质的方法包括以下步骤提供介 质板组件的步骤(图1A);设置介质板组件和引导组件使得介质板组件 与引导组件彼此靠近并且介质板组件的表面与引导组件的表面形成基本 上公共的平面的步骤(图1B);将用于对介质板组件进行抛光的抛光组 件引导到引导组件的表面上的步骤(图1C到1D);以及将引导组件上的 抛光组件滑动到介质板组件上以对介质板组件的表面进行抛光的步骤(图1D到1F)。下面将参照附图来描述根据实施方式的用于制造磁记录介质的方法 的步骤。1、准备介质板组件的步骤在该步骤中,准备在衬底上具有磁记录层的介质板组件。在该步骤 中所准备的介质板组件经过平坦化步骤(稍后描述),以形成磁记录介质 而不会在介质表面上留有不规则体或异物。图2示出了该步骤中所准备的介质板组件的示例的示意性平面图和 示意性截面图。介质板组件1在衬底11的各个表面上包括:软磁底层12A 及12B,中间层13A及13B,记录层14A及14B,以及保护层15A及15B。 保护层15A及15B的各个表面分别覆盖有润滑剂层16A及16B。介质板 组件1可以具有与目标磁记录介质的形状对应的任意形状,并且通常为盘形。衬底ll的形状、结构、尺寸、材料等不受具体限制,而是可以根据 用途而适当地选择。例如,当将磁记录介质合并到磁盘装置中时,衬底 11为盘形。衬底11可具有单层结构或多层结构。可以由从用作磁记录介 质的衬底的已知材料中所选择的材料来构成衬底11。可以从铝、玻璃、硅、石英、以及在硅表面上形成热氧化膜的Si02/Si (/表示对在/之前及之后的衬底材料进行叠置)等中选择所述材 料。可以单独使用或组合使用这些材料。可适当地形成衬底11。另选的 是,市场上可获得的衬底可以用作衬底ll。软磁底层(SUL) 12A及12B中的每一个的形状、结构、尺寸等不 受具体限制,而是可以根据用途而从过去已被使用的那些参数中适当地 选择。软磁底层12A及12B中的每一个优选地可由从Ru、Ru合金、MFe、 FeSiAl、 FeC、 FeCoB、 FeCoNiB及CoZrNb中选择的至少一种材料构成。 可以单独使用或组合使用这些材料。提供中间层13A及13B,以改进记录层14A及14B的主要在垂直磁 记录介质中的取向性(orientation)。中间层13A及13B中的每一个的形 状、结构、尺寸等不受具体限制,而是可以根据用途而从过去已被使用 的那些参数中适当地选择。中间层13A及13B中的每一个优选地可由从 Ni合金、Ru、 Ru合金、以及包含氧化物的CoCr合金中选择的至少一种 材料构成。提供记录层14A及14B,以在磁记录介质中记录和再现信息。用于记录层14A及14B中的每一个的材料不受具体限制,而是可以 根据用途从己知材料中适当地选择。例如,记录层14A及14B中的每一 个优选地可由从Fe、 Co、 M、 FeCo、 FeNi、 CoNi、 CoNiP、 FePt、 CoPt、 及NiPt中选择的至少一种材料构成。可以单独使用或组合使用这些材料。记录层14A及14B中的每一个的结构(形状)不受具体限制,只要 将这些层都形成为由上述材料构成的磁性膜即可。可以根据用途而适当 地选择结构(形状)。记录层14A及14B中的每一个的厚度不受具体限制,只要不损害本专利技术的优点即可。可以对应于记录期间的线性记录密度等而适当地选择 该厚度。用于形成记录层14A及14B的方法不受具体限制。可以由已知方法 (例如溅射(sputtering)、电淀积(electrodeposition)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于制造存储介质的方法,该方法包括以下步骤: 提供引导组件及用于形成存储介质的介质板组件; 设置所述介质板组件及所述引导组件,使得所述介质板组件与所述引导组件彼此靠近,并且所述介质板组件的表面与所述引导组件的表面形成基本上公共的平面; 将用于对所述介质板组件进行抛光的抛光组件引导到所述引导组件的表面上;以及 将所述引导组件上的所述抛光组件滑动到所述介质板组件上,以对所述介质板组件的表面进行抛光。
【技术特征摘要】
JP 2007-8-27 2007-2202061、一种用于制造存储介质的方法,该方法包括以下步骤提供引导组件及用于形成存储介质的介质板组件;设置所述介质板组件及所述引导组件,使得所述介质板组件与所述引导组件彼此靠近,并且所述介质板组件的表面与所述引导组件的表面形成基本上公共的平面;将用于对所述介质板组件进行抛光的抛光组件引导到所述引导组件的表面上;以及将所述引导组件上的所述抛光组件滑动到所述介质板组件上,以对所述介质板组件的表面进行抛光。2、 根据权利要求1所述的方法,其中,所述介质板组件具有记录层, 以将信息记录在所述记录层上并且从所述记录层再现信息。3、 根据权利要求1所述的方法,其中,所述引导组件具有基本上与 所述介质板...
【专利技术属性】
技术研发人员:奥村浩祥,山川荣进,
申请(专利权)人:富士通株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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