头滑块和磁存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供头滑块和磁存储装置。下遮蔽层和上遮蔽层之间设有磁阻元件。磁阻元件经由下遮蔽层和上遮蔽层件接收电流。在滑块体和下遮蔽层之间的绝缘膜中嵌入有非导磁层。在头滑块和存储介质之间形成有气层。在头滑块和存储介质之间建立了电容耦合。电容耦合允许噪声从存储介质传递到头滑块。噪声影响在下遮蔽层和头滑块之间建立的电容。非导磁层用于防止噪声传递导致的下遮蔽层和上遮蔽层之间的电势差变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如在诸如硬盘驱动器(HDD)的存储装置中安装的头 滑块。
技术介绍
例如，在头滑块上安装有隧道结磁阻(TMR)元件。TMR元件嵌入 在头滑块的滑块体上的绝缘膜中。绝缘膜是由A1203 (氧化铝)等制成的。 TMR元件包括位于上遮蔽层和下遮蔽层之间的隧道结膜。通过下遮蔽层 和上遮蔽层向隧道结薄膜提供检测电流。在TMR元件中，下遮蔽层和滑块体一起用作电容器。当建立了容性 耦合时，例如，噪声从磁盘经由磁盘与滑块体之间的距离传递到滑块体。 作为对噪声传递的响应，电容器中储存的电能增加。由此，在下遮蔽层 和上遮蔽层之间生成电势差。这种电势差与响应于接收到磁场而改变的 再现信号的电势差相混合。特别是，当读出具有更高频率的信号时，噪 声对电势差具有更大影响。S/N (信噪)比变差。不能准确地检测磁信息 数据。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种对于用面垂直电流(CPP)结构磁阻 (MR)元件准确读出高频信号有贡献的头滑块。根据本专利技术的第一方面，提供了一种头滑块，其包括滑块体；在 所述滑块体上嵌入在绝缘膜中的面垂直电流(CPP)结构磁阻(MR)元 件，所述面垂直电流结构磁阻元件包括位于下遮蔽层和上遮蔽层之间的 磁阻元件，所述磁阻元件被设计为经由所述下遮蔽层和所述上遮蔽层接 收电流；以及在所述滑块体和所述下遮蔽层之间嵌入在所述绝缘膜中的4非导磁层。所谓的检测电流经由下遮蔽层和上遮蔽层被提供到磁阻膜，用于读 出磁信息数据。在提供检测电流期间，头滑块相隔一定距离对着磁存储 介质的表面。在头滑块和磁存储介质之间引发相对运动。在头滑块和磁 存储介质之间形成气层。由此在头滑块和磁存储介质之间建立了电容耦 合。电噪声传递到磁存储介质。电容耦合允许噪声从磁存储介质到头滑 块经由它们之间的距离而传递。噪声影响在下遮蔽层和头滑块之间建立 的电容。非导磁层用于防止由于噪声传递导致的下遮蔽层和上遮蔽层之 间的电势差变化。可以避免再现信号的S/N比变差。即使当读出具有较 高频率的信号时，也可准确地检测出磁信息数据。此外，能够保持滑块 体、下遮蔽层和上遮蔽层的结构或设计。即，滑块体、下遮蔽层和上遮 蔽层可如之前一样彼此间隔。可以由此保持期望的磁性能。所述非导磁层优选地例如由低热膨胀材料制成。即使当对非导磁层 施加热时，也防止了非导磁层热膨胀。这导致抑制了磁阻膜的突起量。 即使当利用加热来控制面垂直电流结构磁阻元件的突起量时，也可准确地控制磁阻模的突起量。所述非导磁层可由由SiC、 DLC、 Mo以及W中 的一种制成。头滑块还可以包括在所述面垂直电流结构磁阻元件上嵌入在所述 绝缘膜中的磁极；以及将所述磁极电连接到所述滑块体的导电体，其中 在所述滑块体和所述下遮蔽层之间建立的电容与在所述磁极和所述上遮 蔽层之间建立的电容对应。该电容耦合允许噪声从磁存储介质到头滑块 经由它们之间的距离而传递。噪声影响在下遮蔽层与滑块体之间建立的 电容。由此，在下遮蔽层中引发电势的变化。噪声同时影响在磁极和上 遮蔽层之间建立的电容。由此，在上遮蔽层中引发电势的变化。由于电 容的值被设定为彼此相等，所以上遮蔽层中的电势的变化与下遮蔽层中 的电势的变化对应。由此，在读取元件的两端不产生电势差。防止了在 读取元件中生成的再现信号中产生因噪声传递而导致的电势差。可以避 免再现信号的S/N比变差。即使当读出具有较高频率的信号时，也可准 确地检测出磁信息数据。此外，能够保持滑块体、下遮蔽层、上遮蔽层、和磁极的结构或设计。即，滑块体、下遮蔽层、上遮蔽层和磁极可如之 前一样彼此间隔。可以由此保持期望的磁性能。在头滑块中，滑块体可以电连接到所述非导磁层。可以通过改变夹 在非导磁层和下遮蔽层之间的绝缘膜的面积和厚度而容易地调节滑块体 和下遮蔽层之间的电容。以此方式，以相对便易的方式，可以把在下遮 蔽层和滑块体之间建立的电容的值设定为等于在磁极和上遮蔽层之间建 立的电容的值。以相对便易的方式，可以防止噪声传递导致的电势差的 产生。根据本专利技术的第二方面，提供了一种头滑块，其包括滑块体；在所述滑块体上嵌入在绝缘膜中的面垂直电流(CPP)结构磁阻(MR)元件，所述面垂直电流结构磁阻元件包括位于下遮蔽层与上遮蔽层之间的 磁阻元件，所述磁阻元件被设计为经由所述下遮蔽层和所述上遮蔽层接收电流；在所述面垂直电流结构磁阻元件上嵌入在所述绝缘膜中的磁极； 在所述上遮蔽层与所述磁极之间嵌入在所述绝缘膜中的非导磁层；以及 将所述磁极电连接到所述滑块体的导电体。当建立电容耦合时，噪声以与上面描述的相同的方式从磁存储介质 头滑块经由它们之间的距离而传递。噪声影响在下遮蔽层和头滑块之间 建立的电容。噪声同时影响在磁极和上遮蔽层之间建立的电容。导电层 用于防止由于噪声传递而导致的下遮蔽层和上遮蔽层之间的电势差变 化。可以避免再现信号的S/N比变差。即使当读出具有较高频率的信号 时，也可准确地检测出磁信息数据。此外，能够保持滑块体、下遮蔽层 和上遮蔽层的结构或设计。即，滑块体、下遮蔽层和上遮蔽层可如之前 一样彼此间隔。可以由此保持期望的磁性能。在此，所述非导磁层优选地例如由低热膨胀材料制成。即使当对非 导磁层施加热时，也抑制了非导磁层的热膨胀。这导致抑制了磁阻膜的 突起量。即使当利用加热来控制面垂直电流结构磁阻元件的突起量时， 也可准确地控制磁阻膜的突起量。所述非导磁层可由由SiC、 DLC、 Mo 以及W中的一种制成。在上遮蔽层和磁极之间建立的电容优选地与在滑块体和下遮蔽层之6间建立的电容对应。该电容耦合允许噪声从磁存储介质到头滑块经由它 们之间的距离而传递。噪声影响在下遮蔽层和滑块体之间建立的电容。 由此，在下遮蔽层中引发电势的变化。噪声同时影响在磁极和上遮蔽层 之间建立的电容。由此，在上遮蔽层中引发电势的变化。由于电容的值 被设定为彼此相等，上遮蔽层中的电势的变化与下遮蔽层中的电势的变 化对应。由此，在读取元件的两端不产生电势差。可以防止在读取元件 中生成的再现信号中因噪声传递而导致电势差的产生。可以避免再现信号的S/N比变差。即使当读出具有较高频率的信号时，也可和通常一样准确地检测出磁信息数据。此外，能够保持滑块体、下遮蔽层、上遮蔽 层和磁极的结构或设计。即，滑块体、下遮蔽层、上遮蔽层和磁极可如 之前一样彼此间隔。可以由此保持期望的磁性能。在头滑块中，非导磁层可以电连接到磁极。可以通过改变夹在非导 磁层和上遮蔽层之间的绝缘膜的面积和厚度而容易地调节在磁极和上遮 蔽层之间建立的电容。由此，以相对便易的方式，可把磁极和上遮蔽层 之间的电容的值设定为等于下遮蔽层和滑块体之间的电容的值。以相对 便易的方式，可以防止噪声传递而导致的电势差的产生。头滑块例如安装在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁存储装置中。应注 意的是，该头滑块可用在磁存储装置之外的任何其它装置中。附图说明从以下结合附图对优选实施方式的描述，本专利技术的上述和其他目的、特征和优点将变得明显，其中图1是示意性地例示了作为磁存储装置的特定示例的硬盘驱动器的平面图2是示意性地例示了根据本专利技术第一实施方式的飞行头滑块的放 大立体图3是示意性地例示了安装在飞行头滑块上的电磁传感器的放大立 体图4是示意性地例示了头保护膜的从气浮表面的下游观察的表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种头滑块，其包括：　滑块体；　在所述滑块体上嵌入在绝缘膜中的面垂直电流结构磁阻元件，所述面垂直电流结构磁阻元件包括位于下遮蔽层和上遮蔽层之间的磁阻元件，所述磁阻元件被设计为经由所述下遮蔽层和所述上遮蔽层接收电流；以及　在 所述滑块体和所述下遮蔽层之间嵌入在所述绝缘膜中的非导磁层。

【技术特征摘要】
JP 2007-12-27 2007-3382971、一种头滑块，其包括滑块体；在所述滑块体上嵌入在绝缘膜中的面垂直电流结构磁阻元件，所述面垂直电流结构磁阻元件包括位于下遮蔽层和上遮蔽层之间的磁阻元件，所述磁阻元件被设计为经由所述下遮蔽层和所述上遮蔽层接收电流；以及在所述滑块体和所述下遮蔽层之间嵌入在所述绝缘膜中的非导磁层。2、 根据权利要求1所述的头滑块，其中，所述非导磁层是由低热膨 胀材料制成的。3、 根据权利要求2所述的头滑块，其中，所述非导磁层是由SiC、 DLC、 Mo以及W中的一种制成的。4、 根据权利要求1所述的头滑块，其还包括在所述面垂直电流结构磁阻元件上嵌入在所述绝缘膜中的磁极；以及将所述磁极电连接到所述滑块体的导电体，其中 在所述滑块体与所述下遮蔽层之间建立的电容对应于在所述磁极与 所述上遮蔽层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：古屋早知子，久保田哲行，桥本淳一，青木知佳，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]