电子设备制造技术

本申请提供一种电子设备。所述电子设备包括基础天线、介质体和壳体，所述介质体设于所述基础天线上，所述壳体包括谐振区域，所述壳体位于所述谐振区域的材料为介质材料，所述介质体背向所述基础天线的表面与位于所述谐振区域的所述壳体连接，所述介质体和位于所述谐振区域的所述壳体共同形成谐振体，所述基础天线工作状态下能够激励所述谐振体，以使所述谐振体参与辐射，拓展所述基础天线的带宽。可以理解的是，所述基础天线通过与所述谐振体谐振形成毫米波天线。本申请提供的电子设备用以消除玻璃背盖对天线性能的负面影响。除玻璃背盖对天线性能的负面影响。除玻璃背盖对天线性能的负面影响。

【技术实现步骤摘要】
电子设备


[0001]本申请涉及通信
，特别涉及一种电子设备。

技术介绍

[0002]毫米波技术是5G的核心技术之一，然而，更高的频率意味着更大的传输损耗。因此，5G毫米波频段需要高性能天线阵列来满足需求。目前终端的毫米波方案是在手机内部安装若干毫米波模组，尽可能实现大范围的覆盖。市场中大部分手机背盖的材质都是玻璃，玻璃背盖的存在会对天线性能产生负面影响，如何消除玻璃背盖对天线性能的负面影响也是一个值得研究的问题。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种电子设备，用以消除玻璃背盖对天线性能的负面影响。
[0004]本申请所述电子设备包括基础天线、介质体和壳体，所述介质体设于所述基础天线上，所述壳体包括谐振区域，所述壳体位于所述谐振区域的材料为介质材料，所述介质体背向所述基础天线的表面与位于所述谐振区域的所述壳体连接，所述介质体和位于所述谐振区域的所述壳体共同形成谐振体，所述基础天线工作状态下能够激励所述谐振体，以使所述谐振体参与辐射，拓展所述基础天线的带宽。可以理解的是，所述基础天线通过与所述谐振体谐振以满足毫米波天线频段。
[0005]本申请所述电子设备通过将所述介质体和位于所述谐振区域的所述壳体共同形成所述谐振体，即所述基础天线和所述谐振体形成天线单元。通过所述基础天线辐射并激励所述谐振体参与辐射，从而引入谐振频点，以拓展所述基础天线的带宽，进而拓展天线单元的带宽。可以理解的是，天线单元的所述基础天线辐射时，在所述谐振体影响下在所需频段(24GHz～36GHz)产生一个谐振频点，同时所述谐振体在基础天线辐射时参与辐射，引入又一个谐振频点。也就是说，天线单元通过所述基础天线和所述谐振体，能在所需频段产生两个谐振频点，有效拓展天线单元的带宽。本申请的所述电子设备的所述壳体为所述电子设备的壳体，将所述电子设备的壳体作为所述谐振体的一部分参与所述基础天线辐射，以形成天线单元，既避免了壳体对天线单元的负面影响，还引入了新的谐振频点，拓展了天线单元的带宽，以满足天线单元的性能要求。
[0006]一种实施方式中，所述介质体的材料为陶瓷、塑料或玻璃材料中的一种。
[0007]一种实施方式中，所述壳体包括相对设置的第一盖板和第二盖板，所述第一盖板的第一弯折部和所述第二盖板的第二弯折部对接，所述第一弯折部和所述第二弯折部设于所述介质体背向所述基础天线的一侧，所述第一弯折部和所述第二弯折部与所述介质体连接的部分构成所述谐振区域。本实施例中，所述第一盖板例如可以为所述电子设备的前盖板，比如显示面板等，所述第二盖板例如可以为所述电子设备的后盖板，其材质例如为玻璃等介质材料。通过将影响天线性能的所述第一盖板和所述第二盖板设计作为所述谐振体的一部分，既避免了所述第一盖板和所述第二盖板对所述基础天线的负面影响，还引入了新
的谐振频点，拓展了所述基础天线的带宽，以满足所述基础天线的性能要求。当然，其他实施例中，所述盖板还可仅为前盖板或仅为后盖板，也就是说，只有前盖板为所述谐振体的一部分，从而避免前盖板对所述基础天线的负面影响，还引入新的谐振频点，拓展了所述基础天线的带宽。或者，只有后盖板为所述谐振体的一部分，从而避免后盖板对所述基础天线的负面影响，还引入新的谐振频点，拓展了所述基础天线的带宽。
[0008]一种实施方式中，所述第一盖板包括第一平直部，所述第二盖板包括第二平直部，所述第一平直部的相对两侧分别连接有所述第一弯折部，所述第二平直部的相对两侧分别连接有所述第二弯折部，所述第一平直部和所述第二平直部间隔设置，以使所述第一盖板和所述第二盖板形成收容空间，所述介质体和所述基础天线位于所述收容空间内。即，所述第一盖板和所述第二盖板共同形成所述电子设备的壳体，通过将所述电子设备的壳体(所述第一盖板和所述第二盖板)设计成为所述谐振体的一部分，在避免所述第一盖板和所述第二盖板对所述基础天线的负面影响的基础上，还引入新的谐振频点，拓展了所述基础天线的带宽。
[0009]一种实施方式中，所述第一弯折部和所述第二弯折部接触。换言之，所述第一弯折部和所述第二弯折部抵持。当然，在其他实施例中，所述第一弯折部和所述第二弯折部还通过胶体连接。
[0010]一种实施方式中，所述第一弯折部和所述第二弯折部之间形成间隙。换言之，所述第一弯折部和所述第二弯折部之间间隔设置。
[0011]一种实施方式中，所述介质体包括主体和凸块，所述凸块设于所述主体的连接面，并位于所述间隙内，所述第一弯折部和所述第二弯折部分别位于所述凸块的两侧。也就是说，通过将所述介质体设置凸块，以使所述介质体部分伸入所述第一弯折部和所述第二弯折部之间的间隙，以填充所述间隙，从而使得所述第一弯折部和第二弯折部和所述介质体形成完整的所述谐振体，不需要在所述第一弯折部和所述第二弯折部之间填充其他材料影响所述基础天线的信号传递效果。当然，其他实施例中，所述介质体不具有凸块，所述间隙中可填充于所述介质体相同介电常数的电介质材料。
[0012]一种实施方式中，所述主体的连接面包括第一弧面和第二弧面，所述凸块位于所述第一弧面和所述第二弧面之间，所述第一弯折部与所述第一弧面贴合，所述第二弯折部与所述第二弧面贴合。换言之，所述主体的连接面与所述第一弯折部和所述第二弯折部的形状相适应，以使所述第一弯折部和所述第二弯折部与所述主体之间实现很好的贴合，以保证所述谐振体的谐振效果。
[0013]一种实施方式中，所述凸块背向所述连接面的表面与所述第一弯折部和所述第二弯折部背向所述连接面的表面共面，从而保证所述第一弯折部、所述第二弯折部和所述凸块共同构成平滑过渡的曲面，保证所述电子设备外表整洁美观。
[0014]一种实施方式中，所述基础天线包括介质板和导电片，所述导电片夹设在所述介质板和所述介质体之间，所述介质板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面用于馈电，所述导电片位于所述第二表面，所述导电片设有贯穿所述导电片的缝隙。即本实施例中的所述基础天线为缝隙天线。当然，在其他实施例中，所述基础天线还可以为贴片天线或其他类型的天线。
[0015]一种实施方式中，所述缝隙为十字型。
[0016]一种实施方式中，所述基础天线包括馈线，所述馈线为十字型，设于所述第一表面并与所述缝隙正对设置。可以理解的是，所述基础天线能实现双极化辐射。一种实施方式中，所述基础天线和所述介质体的数量均为多个，所述基础天线和所述介质一一对应设置且排列为一排形成天线阵列，从而有效提高增益。
[0017]一种实施方式中，相邻所述基础天线和相邻所述介质体之间设有填充材料。本实施例中，所述填充材料为低介电常数的材料，以隔离相邻所述介质体和相邻所述基础天线。
[0018]一种实施方式中，所述壳体和所述介质体通过粘胶粘合。
[0019]一种实施方式中，所述天线阵列的数量为多个，多个天线阵列设于所述电子设备的相对两侧，或间隔设于所述电子设备的任意一侧。也就是说，可以根据需要在所述电子设备上设置多个天线阵列，以满足电子设备的应用需求。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括基础天线、介质体和壳体，所述介质体设于所述基础天线上，所述壳体包括谐振区域，所述壳体位于所述谐振区域的材料为介质材料，所述介质体背向所述基础天线的表面与位于所述谐振区域的所述壳体连接，所述介质体和位于所述谐振区域的所述壳体共同形成谐振体，所述基础天线工作状态下能够激励所述谐振体，以使所述谐振体参与辐射，拓展所述基础天线的带宽。2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述壳体包括相对设置的第一盖板和第二盖板，所述第一盖板的第一弯折部和所述第二盖板的第二弯折部对接，所述第一弯折部和所述第二弯折部设于所述介质体背向所述基础天线的一侧，所述第一弯折部和所述第二弯折部与所述介质体连接的部分构成所述谐振区域。3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第一弯折部和所述第二弯折部接触。4.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第一弯折部和所述第二弯折部之间形成间隙。5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述介质体包括主体和凸块，所述凸块设于所述主体的连接面，并位于所述间隙内，所述第一弯折部和所述第二弯折部分别位于所述凸块的两侧。6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，所述主体的连接面包括第一弧面和第二弧面，所述凸块位于所述第一弧面和所述第二弧面之间，所述第一弯折部与所述第一弧面贴合，所述第二弯折部与所述第二弧面贴合。7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述凸块背向所述连接面的表面与所述第一弯折部和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李蕴力，洪伟，吴凡，蒋之浩，余超，徐鑫，李挺钊，缑城，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：