本公开涉及一种用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉，该窑炉的内部沿窑炉的长度方向依次包括预熔区、熔化区以及澄清区；预熔区设置有第一电加热装置，以将位于预熔区的中性硼硅玻璃原料加热为玻璃液；预熔区和熔化区之间设置有挡墙，且挡墙的下端形成有连通预熔区和熔化区并用于供玻璃液流动的流道；熔化区设置有第一火焰加热装置和第二电加热装置，以用于对通过流道的玻璃液进行加热；熔化区和澄清区之间设置有窑坎，以用于抬升熔化区的玻璃液高度；澄清区设置有第二火焰加热装置，以用于对越过窑坎进入至澄清区的玻璃液进行加热。该窑炉能够有效减少硼氧化物的挥发，玻璃液澄清、均化效果好，提高硼硅玻璃的产量及质量。提高硼硅玻璃的产量及质量。提高硼硅玻璃的产量及质量。
【技术实现步骤摘要】
用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉
[0001]本公开涉及玻璃制造
，具体地，涉及一种用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉。
技术介绍
[0002]中性硼硅医药玻璃熔化与普通钠钙玻璃不同，具有熔化温度高、玻璃液易分层、氧化硼易挥发、电阻率随温度变化大、澄清相对困难等特点。
[0003]现有技术中的窑炉无法有效地降低硼氧化物的挥发，从而导致生产的硼硅玻璃产量小、质量差，且玻璃液澄清、均化效果差。
技术实现思路
[0004]本公开的目的是提供一种用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉，该窑炉能够有效减少硼氧化物的挥发，玻璃液澄清、均化效果好，提高硼硅玻璃的产量及质量。
[0005]为了实现上述目的，本公开提供一种用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉，所述窑炉的内部沿所述窑炉的长度方向依次包括预熔区、熔化区以及澄清区；
[0006]所述预熔区设置有第一电加热装置，以将位于预熔区的中性硼硅玻璃原料加热为玻璃液；
[0007]所述预熔区和所述熔化区之间设置有挡墙，且挡墙的下端形成有连通所述预熔区和所述熔化区并用于供所述玻璃液流动的流道；
[0008]所述熔化区设置有第一火焰加热装置和第二电加热装置，以用于对通过所述流道的玻璃液进行加热；
[0009]所述熔化区和所述澄清区之间设置有窑坎，以用于抬升所述熔化区的玻璃液高度；
[0010]所述澄清区设置有第二火焰加热装置，以用于对越过所述窑坎进入至所述澄清区的玻璃液进行加热。
[0011]可选地，所述窑炉包括依次连接的顶壁、侧壁以及底壁，所述侧壁包括沿所述窑炉的宽度方向相对设置的第一侧壁和第二侧壁；
[0012]所述挡墙沿所述窑炉的宽度方向连接在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间，所述挡墙的内部沿所述窑炉的宽度方向形成有贯通的且位于所述流道上方的第一冷却通道，所述第一侧壁和所述第二侧壁上分别形成有与所述第一冷却通道连通的第一冷却口和第二冷却口；
[0013]位于所述流道大致等高的左侧和/或右侧，所述挡墙的内部沿所述窑炉的宽度方向形成有呈拐折状的第二冷却通道，且所述第二冷却通道的进口和出口均位于所述挡墙的左侧壁上和/或均位于所述挡墙的右侧壁上；
[0014]所述第一侧壁上形成有与所述第二冷却通道的进口和出口分别连通的两个第三冷却口，和/或，所述第二侧壁上形成有与所述第二冷却通道的进口和出口分别连通的两个
第四冷却口。
[0015]可选地，所述窑炉包括依次连接的顶壁、侧壁以及底壁，所述侧壁包括沿所述窑炉的长度方向相对设置的第三侧壁和第四侧壁；且所述第三侧壁靠近所述预熔区；
[0016]所述窑炉还包括排气管，所述第三侧壁的上方形成有排气口，所述排气口用于与所述排气管连通。
[0017]可选地，所述窑炉还包括进料装置，所述第三侧壁上形成有用于与所述进料装置的出口连通的进料口，且所述进料口位于所述排气口的下方。
[0018]可选地，所述窑炉包括依次连接的顶壁、侧壁以及底壁，且所述顶壁构造为拱形状；沿所述窑炉的长度方向，所述顶壁包括第一部分和第二部分，所述第一部分用于与所述预熔区相对，所述第二部分用于与所述熔化区和所述澄清区相对。
[0019]可选地，所述第一部分包括多个砌筑的电熔砖，所述第二部分包括多个砌筑的电熔刚玉砖。
[0020]可选地，所述窑炉包括依次连接的顶壁、侧壁以及底壁，所述侧壁包括沿所述窑炉的宽度方向相对设置的第一侧壁和第二侧壁；
[0021]沿所述窑炉的长度方向，所述第一侧壁和/或所述第二侧壁上依次形成有第一观察口、第二观察口以及第三观察口，所述第一观察口用于与所述预熔区相对设置，所述第二观察口用于与所述熔化区相对设置，所述第三观察口用于与所述澄清区相对设置。
[0022]可选地，所述窑炉包括依次连接的顶壁、侧壁以及底壁；
[0023]所述第一电加热装置包括多个第一钼电极，多个所述第一钼电极可拔插地设置于所述底壁且上端凸出于所述底壁的内表面；
[0024]所述第二电加热装置包括多个第二钼电极，多个所述第二钼电极可拔插地设置于所述底壁且上端凸出于所述底壁的内表面；
[0025]所述第一火焰加热装置包括多个第一全氧烧枪，多个所述第一全氧烧枪连接于所述侧壁；
[0026]所述第二火焰加热装置包括多个第二全氧烧枪，多个所述第二全氧烧枪连接于所述侧壁。
[0027]可选地，所述挡墙由多个高锆砖砌筑而成。
[0028]可选地，所述窑炉包括依次连接的顶壁、侧壁以及底壁，所述侧壁包括沿所述窑炉的长度方向相对设置的第三侧壁和第四侧壁；且所述第四侧壁靠近所述澄清区，且所述第四侧壁上形成有用于与后料道连通的流液洞。
[0029]在上述技术方案中，通过在预熔区设置第一电加热装置，在提升中性硼硅玻璃原料熔化效率的同时还能够降低硼氧化物的挥发；在熔化区设置第一火焰加热装置和第二电加热装置，对玻璃液进一步进行熔化澄清并进行均化，挡墙下端的流道的设计便于玻璃液从预熔区流向熔化区；在澄清区设置第二火焰加热装置以对澄清区的玻璃液进一步进行澄清和均化，此外，在熔化区和澄清区之间设置的窑坎可以加强玻璃液的澄清和均化，提高硼硅玻璃的产量及质量。
[0030]本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0031]附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
[0032]图1是本公开一种实施方式的用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉的剖视图，且该剖视图由沿长度方向延伸的竖直平面剖取而得；
[0033]图2是本公开一种实施方式的用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉的剖视图，且该剖视图由沿宽度方向延伸的竖直平面剖取而得，且剖取位置位于挡墙处；
[0034]图3是本公开一种实施方式的用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉的剖视图，且该剖视图由水平平面剖取而得。
[0035]附图标记说明
[0036]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一电加热装置
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挡墙
[0037]31
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流道
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32
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第一冷却通道
[0038]33
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第二冷却通道
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第一火焰加热装置
[0039]5ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二电加热装置
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
窑坎
[0040]7ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二火焰加热装置
ꢀꢀꢀꢀ8ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
排气管
[0041]9ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
进料装置
[0042]11
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顶壁
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉，其特征在于，所述窑炉的内部沿所述窑炉的长度方向依次包括预熔区(10)、熔化区(20)以及澄清区(30)；所述预熔区(10)设置有第一电加热装置(1)，以将位于预熔区(10)的中性硼硅玻璃原料加热为玻璃液；所述预熔区(10)和所述熔化区(20)之间设置有挡墙(3)，且挡墙(3)的下端形成有连通所述预熔区(10)和所述熔化区(20)并用于供所述玻璃液流动的流道(31)；所述熔化区(20)设置有第一火焰加热装置(4)和第二电加热装置(5)，以用于对通过所述流道(310流至所述熔化区(20)的玻璃液进行加热；所述熔化区(20)和所述澄清区(30)之间设置有窑坎(6)，以用于抬升所述熔化区(10)的玻璃液高度；所述澄清区(30)设置有第二火焰加热装置(7)，以用于对越过所述窑坎(6)进入至所述澄清区(30)的玻璃液进行加热。2.根据权利要求1所述的用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉，其特征在于，所述窑炉包括依次连接的顶壁(11)、侧壁(12)以及底壁(13)，所述侧壁(12)包括沿所述窑炉的宽度方向相对设置的第一侧壁(121)和第二侧壁(122)；所述挡墙(3)沿所述窑炉的宽度方向连接在所述第一侧壁(121)和所述第二侧壁(122)之间，所述挡墙(3)的内部沿所述窑炉的宽度方向形成有贯通的且位于所述流道(31)上方的第一冷却通道(32)，所述第一侧壁(121)和所述第二侧壁(122)上分别形成有与所述第一冷却通道(32)连通的第一冷却口和第二冷却口；位于所述流道(31)大致等高的左侧和/或右侧，所述挡墙(3)的内部沿所述窑炉的宽度方向形成有呈拐折状的第二冷却通道(33)，且所述第二冷却通道(33)的进口和出口均位于所述挡墙(3)的左侧壁上和/或均位于所述挡墙(3)的右侧壁上；所述第一侧壁(121)上形成有与所述第二冷却通道(33)的进口和出口分别连通的两个第三冷却口，和/或，所述第二侧壁(122)上形成有与所述第二冷却通道(33)的进口和出口分别连通的两个第四冷却口。3.根据权利要求1所述的用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉，其特征在于，所述窑炉包括依次连接的顶壁(11)、侧壁(12)以及底壁(13)，所述侧壁(12)包括沿所述窑炉的长度方向相对设置的第三侧壁(123)和第四侧壁(124)；且所述第三侧壁(123)靠近所述预熔区(10)；所述窑炉还包括排气管(8)，所述第三侧壁(123)的上方形成有排气口，所述排气口用于与所述排气管(8)连通。4.根据权利要求3所述的用于熔化中性硼硅玻璃原料的窑炉，其特征在于，所述窑炉还包括进料装置(9)，所述第三侧壁(123)...
【专利技术属性】
技术研发人员：张顶，张增强，王艳辉，李远，任士芳，田鹏，刘彬，韩军，赫勃兴，
申请(专利权)人：东旭科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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