TFT背板与显示面板制造技术

本申请实施例提供一种TFT背板与显示面板。TFT背板包括驱动TFT，驱动TFT包括依次层叠且间隔设置的遮光层、有源层、栅极以及源漏极金属层；遮光层和栅极均与有源层对应设置；源漏极金属层包括源极、漏极以及转接层；转接层分别连接栅极和遮光层，使栅极和遮光层电性连接。本申请实施例提供的TFT背板，采用遮光层对有源层进行遮盖，以提高驱动TFT的光照稳定性，同时还采用与源极和漏极同层设置的转接层来连接栅极和遮光层，使得驱动TFT形成双栅极TFT结构，能够提高驱动TFT的输出电流，并保证TFT背板具有较好的稳定性，该TFT背板可用于实现大尺寸高刷新率高亮度的显示面板的驱动。大尺寸高刷新率高亮度的显示面板的驱动。大尺寸高刷新率高亮度的显示面板的驱动。

【技术实现步骤摘要】
TFT背板与显示面板


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种TFT背板与显示面板。

技术介绍

[0002]AMOLED(Active
‑
matrix organic light
‑
emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)显示技术具备比LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示更高的对比度，更丰富的色彩还原能力，并且可实现柔性可折叠显示，是一种用于替代LCD的高性能显示技术，在近几年中被广泛应用于很多高端显示领域例如柔性可折叠显示、大尺寸透明显示等。AMOLED技术的大尺寸化、高分辨率化、高刷新频率是实现8K+5G的前提，也是未来的主流显示技术。
[0003]LED(light
‑
emitting diode，发光二极管)显示技术是一种新型的主动发光显示技术，具备比LCD及AMOLED显示更高的对比度，更丰富的色彩还原能力，是一种用于替代LCD及AMOLED的高性能显示技术，在近几年中被广泛应用于很多高端显示领域。LED显示技术根据发光单元的尺寸大小可分为Mini
‑
LED和micro
‑
LED，其中Mini
‑
LED可实现直接显示和作为高端LCD显示的背光，而MicroLED相比mini
‑
LED可实现更高分辨率显示。
[0004]传统的AMOLED显示面板与LED显示面板均采用3T1C驱动架构，结合氧化物半导体薄膜场效应晶体管(TFT)，在一定程度上都面临驱动电流偏低、背板可靠性差的问题，很难实现大尺寸高分辨率高刷新率集一体的高性能显示。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种TFT背板与显示面板，TFT背板能够应用于显示面板中，TFT背板具有较强的电流驱动能力和可靠性。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种TFT背板，包括驱动TFT，所述驱动TFT包括依次层叠且间隔设置的遮光层、有源层、栅极以及源漏极金属层；
[0007]所述遮光层和所述栅极均与所述有源层对应设置；
[0008]所述源漏极金属层包括源极、漏极以及转接层；
[0009]所述转接层分别连接所述栅极和所述遮光层，使所述栅极和所述遮光层电性连接。
[0010]在一些实施例中，所述TFT背板还包括衬底基板、缓冲层、栅极绝缘层以及层间介电层；
[0011]所述遮光层设于所述衬底基板上，所述缓冲层覆盖所述遮光层与所述衬底基板；
[0012]所述有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极在所述缓冲层上依次层叠设置，所述层间介电层覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极；
[0013]所述源漏极金属层设置于所述层间介电层上；
[0014]所述转接层与所述栅极之间的所述层间介电层上设有第一通孔，所述转接层经由所述第一通孔与所述栅极连接；
[0015]所述转接层与所述遮光层之间的所述层间介电层与所述缓冲层上设有第二通孔，所述转接层经由所述第二通孔与所述遮光层连接。
[0016]在一些实施例中，所述TFT背板还包括钝化层、平坦层、第一电极以及像素定义层；
[0017]所述钝化层覆盖所述源漏极金属层与所述层间介电层；
[0018]所述平坦层覆盖所述钝化层；
[0019]所述第一电极设置于所述平坦层上，所述像素定义层覆盖所述第一电极与所述平坦层；
[0020]所述第一电极与所述源极之间的所述钝化层与所述平坦层上设有第三通孔，所述第一电极与所述源极经由所述第三通孔连接；
[0021]所述像素定义层上对应所述第一电极的区域设有第四通孔，所述第四通孔的底部用于设置OLED器件。
[0022]在一些实施例中，所述TFT背板还包括钝化层、导电层以及绝缘保护层；
[0023]所述钝化层覆盖所述源漏极金属层与所述层间介电层；
[0024]所述导电层包括间隔设置的第二电极与第三电极；所述导电层设置于所述钝化层上，所述绝缘保护层覆盖所述导电层与所述钝化层；
[0025]所述第二电极与所述源极之间的所述钝化层上设有第五通孔，所述第二电极与所述源极经由所述第五通孔连接；
[0026]所述绝缘保护层上对应所述第二电极的区域设有第六通孔，所述绝缘保护层上对应所述第三电极的区域设有第七通孔，所述第二电极暴露于所述第六通孔内的部分用于连接LED器件的正极，所述第三电极暴露于所述第七通孔内的部分用于连接LED器件的负极。
[0027]在一些实施例中，所述有源层的材料为氧化物半导体材料。
[0028]在一些实施例中，所述氧化物半导体材料包含铟元素、锌元素以及氧元素，并且所述氧化物半导体材料中铟元素的摩尔量大于锌元素的摩尔量。
[0029]在一些实施例中，所述遮光层的材料包括钼、铝、铜、钛、钨、铬、镍及以上金属合金中的一种或多种，所述遮光层的厚度为
[0030]在一些实施例中，所述栅极包括层叠设置的第一金属层与第二金属层，所述第一金属层朝向所述有源层设置，所述第二金属层朝向所述源漏极金属层设置；
[0031]所述第一金属层的材料包括钼、钛、钨、铬、镍及以上金属合金中的至少一种，所述第一金属层的厚度为
[0032]所述第二金属层的材料包括铝和铜中的至少一种，所述第二金属层的厚度为
[0033]第二方面，本申请实施例还提供一种显示面板，包括TFT背板与发光器件，所述TFT背板为如上所述的TFT背板，所述TFT背板中所述驱动TFT的源极与所述发光器件电性连接。
[0034]在一些实施例中，所述发光器件包括OLED器件与LED器件中的至少一种。
[0035]本申请实施例提供的TFT背板，采用遮光层对有源层进行遮盖，以提高驱动TFT的光照稳定性，同时还采用与源极和漏极同层设置的转接层来连接栅极和遮光层，使得驱动TFT形成双栅极TFT结构，能够提高驱动TFT的输出电流，并保证TFT背板具有较好的稳定性，该TFT背板可用于实现大尺寸高刷新率高亮度的显示面板的驱动。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1为本申请实施例提供的TFT背板的第一种结构示意图。
[0038]图2为本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。
[0039]图3为本申请实施例提供的TFT背板的第二种结构示意图。
[0040]图4为本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。
具体实施方式
[0041]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TFT背板，其特征在于，包括驱动TFT，所述驱动TFT包括依次层叠且间隔设置的遮光层、有源层、栅极以及源漏极金属层；所述遮光层和所述栅极均与所述有源层对应设置；所述源漏极金属层包括源极、漏极以及转接层；所述转接层分别连接所述栅极和所述遮光层，使所述栅极和所述遮光层电性连接。2.根据权利要求1所述的TFT背板，其特征在于，所述TFT背板还包括衬底基板、缓冲层、栅极绝缘层以及层间介电层；所述遮光层设于所述衬底基板上，所述缓冲层覆盖所述遮光层与所述衬底基板；所述有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极在所述缓冲层上依次层叠设置，所述层间介电层覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极；所述源漏极金属层设置于所述层间介电层上；所述转接层与所述栅极之间的所述层间介电层上设有第一通孔，所述转接层经由所述第一通孔与所述栅极连接；所述转接层与所述遮光层之间的所述层间介电层与所述缓冲层上设有第二通孔，所述转接层经由所述第二通孔与所述遮光层连接。3.根据权利要求2所述的TFT背板，其特征在于，所述TFT背板还包括钝化层、平坦层、第一电极以及像素定义层；所述钝化层覆盖所述源漏极金属层与所述层间介电层；所述平坦层覆盖所述钝化层；所述第一电极设置于所述平坦层上，所述像素定义层覆盖所述第一电极与所述平坦层；所述第一电极与所述源极之间的所述钝化层与所述平坦层上设有第三通孔，所述第一电极与所述源极经由所述第三通孔连接；所述像素定义层上对应所述第一电极的区域设有第四通孔，所述第四通孔的底部用于设置OLED器件。4.根据权利要求2所述的TFT背板，其特征在于，所述TFT背板还包括钝化层、导电层以及绝缘保护层；所述钝化层覆盖所述源漏极金属层与所述层间介电层；所述导电层包括间隔设置的第二电极与第三电极；所述导电层设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈远鹏，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：