阵列基板及显示面板制造技术

一种阵列基板及显示面板。所述阵列基板包括：基板、依次设置在所述基板上的第一金属层、第一缓冲层、有源层、栅极绝绝层、第二金属层、第一绝绝层、第三金属层与第一平坦层。所述第一金属层通过所述第二金属层的桥接层与所述有源层的第一掺掺区电性连接，且所述第三金属层与所述有源层的第二掺掺区电性连接。本申请的阵列基板藉由层迭设置的第一金属层、第二金属层及第三金属层，减小了薄膜晶体管的尺寸，从而提高了像素密度。从而提高了像素密度。从而提高了像素密度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示面板中的主流。特别是低温多晶硅(Low Temperature Poly
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Silicon，LTPS)显示技术，由于其具有高载流子迁移率可以使晶体管获得更高的开关电流比，因此在满足要求的充电电流条件下，每个晶体管可以更加小尺寸化，增加每个像素透光区，提高面板开口率，改善面板亮点和高分辨率，降低面板功耗，从而获得更好的视觉体验。
[0003]然而，多晶硅制程复杂，制作精度要求高，晶体管的小尺寸化受到制作精度的限制，进而像素密度(Pixel Per Inch，PPI)的提升受到限制。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于，提供一种阵列基板及显示面板，用于解决现有技术中像素密度的提升受到限制的技术问题。
[0005]为了解决上述问题，本申请提供一种阵列基板，包括：基板；第一金属层，所述第一金属层设置在所述基板上；第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述第一金属层上；有源层，所述有源层设置在所述第一缓冲层上且包括通道区、第一掺杂区及第二掺杂区，所述通道区连接于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在有源层上；第二金属层，所述第二金属层设置在所述栅极绝缘层上且包括间隔设置的桥接层与栅极；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第二金属层上；及第三金属层，所述第三金属层设置在所述第一绝缘层上；
[0006]其中，所述第一金属层通过所述桥接层与所述第一掺杂区电性连接，且所述第三金属层与所述第二掺杂区电性连接。
[0007]在一些实施例中，所述栅极在所述基板上的正投影至少部分落入所述第一金属层在所述基板上的正投影范围内及所述第三金属层在所述基板上的正投影范围内。
[0008]在一些实施例中，所述阵列基板还包括：第一平坦层，设置在所述第三金属层上，并设有暴露所述第三金属层的第一开口；及填充层，设置在所述第一平坦层上，并填充所述第一开口；
[0009]其中，所述填充层的对应于所述第一开口的部分的顶部与所述填充层的其他部分的顶部的高度差小于所述第一开口的深度。
[0010]在一些实施例中，所述填充层包括：第一电极层，所述第一电极层设置在所述第一平坦层上，通过所述第一开口电性连接于所述第三金属层；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一电极层上；第二电极层，所述第二电极层设置在所述第二绝缘层上，并对应于
所述第一开口定义有第二开口；及第二平坦层，所述第二平坦层设置在所述第二电极层上，并位于所述第二开口内。
[0011]在一些实施例中，所述桥接层通过贯穿所述栅极绝缘层与所述第一缓冲层的第一通孔与所述第一金属层电性连接，且通过贯穿所述栅极绝缘层的第二通孔与所述第一掺杂区电性连接；且所述第三金属层通过贯穿所述第一绝缘层及所述栅极绝缘层的第三通孔与所述第二掺杂区电性连接。
[0012]在一些实施例中，所述阵列基板还包括：金属屏蔽层，所述金属屏蔽层设置在所述第一缓冲层与所述有源层之间；及第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述有源层和所述金属屏蔽层之间，并覆盖所述金属屏蔽层与所述第一缓冲层。
[0013]在一些实施例中，所述通道区在所述基板上的正投影落入所述金属屏蔽层在所述基板上的正投影范围内。
[0014]在一些实施例中，所述栅极在所述基板上的正投影与所述通道区在所述基板上的正投影完全重合，且所述第三金属层在所述基板上的正投影落入所述第一金属层在所述基板上的正投影范围内。
[0015]本申请还提供一种显示面板，包括阵列基板、彩膜基板及设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板为上述任一所述的阵列基板。
[0016]本申请的有益效果为，本申请的阵列基板及显示面板通过将所述第一金属层通过所述桥接层与所述第一掺杂区电性连接，可节省常规结构中的数据线占据的空间，降低子像素尺寸，提高像素密度；且通过将所述第一金属层、所述第二金属层及所述第三金属层层迭设置，亦即使源极、栅极与漏极层迭设置而可进一步减小薄膜晶体管的尺寸，提高像素密度，进而提高产品竞争力。
[0017]另外，藉由设置所述第一平坦层，可以缓解所述第一金属层、所述第二金属层及所述第三金属层层迭设置所造成的高低不平，进而降低液晶漏光的问题。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本申请实施例中阵列基板的结构示意图；
[0020]图2为本申请实施例中阵列基板的制备方法的流程图；
[0021]图3至图5为本申请实施例中阵列基板的制备方法中各步骤的结构示意图；
[0022]图6为本申请实施例中液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0025]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0026]下文的公开提供了许多不同的实施方式或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一金属层，所述第一金属层设置在所述基板上；第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述第一金属层上；有源层，所述有源层设置在所述第一缓冲层上且包括通道区、第一掺掺区及第二掺掺区，所述通道区连接于所述第一掺掺区和所述第二掺掺区之间；栅极绝绝层，所述栅极绝绝层设置在有源层上；第二金属层，所述第二金属层设置在所述栅极绝绝层上且包括间隔设置的桥接层与栅极；第一绝绝层，所述第一绝绝层设置在所述第二金属层上；及第三金属层，所述第三金属层设置在所述第一绝绝层上；其中，所述第一金属层通过所述桥接层与所述第一掺掺区电性连接，且所述第三金属层与所述第二掺掺区电性连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极在所述基板上的正投影至少部分落入所述第一金属层在所述基板上的正投影范围内及所述第三金属层在所述基板上的正投影范围内。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第一平坦层，设置在所述第三金属层上，并设有暴露所述第三金属层的第一开口；及填充层，设置在所述第一平坦层上，并填充所述第一开口；其中，所述填充层的对对于所述第一开口的部分的顶部与所述填充层的其他部分的顶部的高度差小于所述第一开口的深度。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述填充层包括:第一电极层，所述第一电极层设置在所述第一平坦层上，通过所述第一开口电性连接于所述第三金属层；第二绝绝层，所述第二绝绝层设置在所述第一电极层上；第二电极层，所述第二电极层设置在所述第二绝绝层上，并对对于所述第一开口定义有第二开口；及第二平坦层，所述第二平坦层设置在所述第二电极层上，并位于所述第二开口内。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括:金属屏蔽层，所述金属屏蔽层设置在所述第一缓冲层与所述有源层之间；及第二缓冲层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许勇，艾飞，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：