用于抛光微晶陶瓷的抛光液以及微晶陶瓷抛光方法技术

本发明专利技术涉及一种用于抛光微晶陶瓷的抛光液以及微晶陶瓷抛光方法。该用于抛光微晶陶瓷的抛光液的原料包括质量百分数分别为30％～50％的磨料、1％～5％的分散剂、2％～5％的碱以及40％～67％的水，其中磨料为氧化铝、氧化硅以及碳化硅中的至少一种。采用该抛光液能够有效平衡在抛光过程中微晶陶瓷的微晶相和玻璃相的磨削速度，使微晶相和玻璃相的磨削速度接近甚至相等，这样能够有效提高微晶相和玻璃相的磨削的一致性，大大降低抛光过程中微晶陶瓷表面出现凹坑的风险，有效降低微晶陶瓷表面的粗糙度，使微晶陶瓷的表面更加光滑。使微晶陶瓷的表面更加光滑。

【技术实现步骤摘要】
用于抛光微晶陶瓷的抛光液以及微晶陶瓷抛光方法


[0001]本专利技术涉及材料抛光
，尤其是涉及一种用于抛光微晶陶瓷的抛光液以及微晶陶瓷抛光方法。

技术介绍

[0002]微晶陶瓷是一种具有微晶相和玻璃相的复相材料，其具备陶瓷和玻璃的双重性能，相较于陶瓷具有更好的加工性能，相较于玻璃具有硬度高、机械性能好以及热膨胀系数低等优点。
[0003]在使用过程中，往往需要对微晶陶瓷进行相应的抛光处理来获得较为光滑的表面。但是当采用传统的抛光液对微晶陶瓷进行抛光时，微晶陶瓷表面容易出现凹坑，表现为较高的粗糙度，难以获得表面光滑的微晶陶瓷。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种能够有效降低微晶陶瓷表面粗糙度的抛光液以及抛光方法。
[0005]为了解决以上技术问题，本专利技术的技术方案为：
[0006]一种用于抛光微晶陶瓷的抛光液，包括如下质量百分数的原料：
[0007][0008]所述磨料为氧化铝、氧化硅以及碳化硅中的至少一种。
[0009]在其中一个实施例中，所述磨料的粒度为W0.05～W30。
[0010]一种微晶陶瓷抛光方法，包括如下步骤：
[0011]采用硬质抛光介质和如上述任一实施例中所述的抛光液对微晶陶瓷进行抛光处理，所述硬质抛光介质的硬度相对于所述微晶陶瓷的硬度的变化率的绝对值小于或等于20％。
[0012]在其中一个实施例中，所述硬质抛光介质为铸铁抛光介质、铸铝抛光介质、铸锡抛光介质、铜抛光介质或陶瓷抛光介质。
[0013]在其中一个实施例中，所述抛光液中磨料的粒度为W0.05～W1；
[0014]和/或，所述硬质抛光介质的抛光面的粗糙度为1nm～100nm。
[0015]在其中一个实施例中，控制抛光转速为200rpm～800rpm；
[0016]和/或，控制抛光压力为0.1MPa～0.8MPa。
[0017]在其中一个实施例中，对微晶陶瓷进行抛光处理之前还包括如下步骤：
[0018]对微晶陶瓷进行细抛处理，使微晶陶瓷的表面粗糙度为0.08μm～0.2μm。
[0019]在其中一个实施例中，采用硬质细抛介质和如上述任一实施例中所述的抛光液对微晶陶瓷进行细抛处理，所述抛光液中磨料的粒度为W1～W5，所述细抛介质的细抛面的粗糙度为0.1μm～1μm。
[0020]在其中一个实施例中，对微晶陶瓷进行细抛处理之前还包括如下步骤：
[0021]对微晶陶瓷进行粗抛处理，使微晶陶瓷的表面粗糙度为0.4μm～0.8μm。
[0022]在其中一个实施例中，采用硬质粗抛介质和如上述任一实施例中所述的抛光液对微晶陶瓷进行粗抛处理，所述抛光液中磨料的粒度为W10～W30，所述粗抛介质的粗抛面的粗糙度为1μm～10μm。
[0023]上述用于抛光微晶陶瓷的抛光液的原料包括质量百分数分别为30％～50％的磨料、1％～5％的分散剂、2％～5％的碱以及40％～67％的水，其中磨料为氧化铝、氧化硅以及碳化硅中的至少一种。采用上述抛光液能够有效平衡在抛光过程中微晶陶瓷的微晶相和玻璃相的磨削速度，使微晶相和玻璃相的磨削速度接近甚至相等，这样能够有效提高微晶相和玻璃相的磨削的一致性，大大降低抛光过程中微晶陶瓷表面出现凹坑的风险，有效降低微晶陶瓷表面的粗糙度，使微晶陶瓷的表面更加光滑。
[0024]上述微晶陶瓷抛光方法中，采用硬质抛光介质和上述抛光液对微晶陶瓷进行抛光处理，其中硬质抛光介质的硬度相对于微晶陶瓷的硬度的变化率的绝对值小于或等于20％。采用上述抛光液和硬度相对于微晶陶瓷的硬度的变化率的绝对值小于或等于20％的抛光介质对微晶陶瓷进行抛光，能够使微晶相和玻璃相的磨削速度得到更好地平衡，有效降低微晶陶瓷的表面粗糙度，还可以使微晶陶瓷表面呈现出镜面效果。同时，采用上述方法对微晶陶瓷进行抛光，能够有效提高微晶陶瓷产品的表面平整度。进一步地，采用上述抛光方法对微晶陶瓷进行抛光处理，能够有效提高抛光效率，在较短的时间内将微晶陶瓷表面的粗糙度降低至较小的数值。
具体实施方式
[0025]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0026]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0027]本专利技术一实施例提供了一种用于抛光微晶陶瓷的抛光液。该抛光液包括如下质量百分数的原料：磨料30％～50％、分散剂1％～5％、碱2％～5％以及水40％～67％。磨料为氧化铝、氧化硅以及碳化硅中的至少一种。采用上述抛光液能够有效平衡在抛光过程中微晶陶瓷的微晶相和玻璃相的磨削速度，使微晶相和玻璃相的磨削速度接近甚至相等，这样能够有效提高微晶相和玻璃相的磨削的一致性，大大降低抛光过程中微晶陶瓷表面出现凹坑的风险，有效降低微晶陶瓷表面的粗糙度，使微晶陶瓷的表面更加光滑。
[0028]可选地，作为磨料的质量百分数的一些具体示例，磨料的质量百分数可以是但不限定为30％、31％、32％、33％、34％、35％、36％、37％、38％、39％、40％、41％、42％、43％、44％、45％、46％、47％、48％、49％或50％。分散剂的质量百分数可以是但不限定为1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％或5％。碱的质量百分数可以是但不限定为2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％或5％。水的质量百分数可以是但不限定为40％、42％、45％、47％、50％、52％、55％、57％、60％、62％、65％或67％。
[0029]可以理解的是，磨料、分散剂、碱以及水可以在各自的质量百分数范围内或者以上列出的各质量百分数中记性任一选择和组合。
[0030]还可以理解的是，氧化硅为一氧化硅和/或二氧化硅。优选地，氧化硅为二氧化硅。
[0031]进一步地，氧化铝、氧化硅和碳化硅都具有较高的硬度。可选地，氧化铝的莫氏硬度为8.5～8.9，氧化硅的莫氏硬度为6.8～7.5，碳化硅的莫氏硬度为8.8～9.5。作为氧化铝、氧化硅以及碳化硅的一些硬度选择，氧化铝的硬度可以是但不限定为8.5、8.6、8.7、8.8、8.9等。氧化硅的硬度可以是但不限定为6.8、6.9、7.0、7.1、7.2、7.3、7.4、7.5等。碳化硅的硬度可以是但不限定为8.8、8.9、9.0、9.1、9.2、9.3、9.4、9.5等。
[0032]还可以理解的是，当选择出磨料、分散剂、碱的质量百分数之后，余量为水，以使磨料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于抛光微晶陶瓷的抛光液，其特征在于，包括如下质量百分数的原料：所述磨料为氧化铝、氧化硅以及碳化硅中的至少一种。2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述磨料的粒度为W0.05～W30。3.一种微晶陶瓷抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：采用硬质抛光介质和如权利要求1～2中任一项所述的抛光液对微晶陶瓷进行抛光处理，所述硬质抛光介质的硬度相对于所述微晶陶瓷的硬度的变化率的绝对值小于或等于20％。4.如权利要求3所述的微晶陶瓷抛光方法，其特征在于，所述硬质抛光介质为铸铁抛光介质、铸铝抛光介质、铸锡抛光介质、铜抛光介质或陶瓷抛光介质。5.如权利要求3所述的微晶陶瓷抛光方法，其特征在于，所述抛光液中磨料的粒度为W0.05～W1；和/或，所述硬质抛光介质的抛光面的粗糙度为1nm～100nm。6.如权利要求5所述的微晶陶瓷抛光方法，其特征在于，控制抛光转速为200rpm～800rpm；和/或，控制抛光压力为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：李倩倩，陈亚兵，许仁，王伟，
申请(专利权)人：万津实业赤壁有限公司，
类型：发明
国别省市：