一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉制造技术

本实用新型专利技术涉及气相外延技术领域，且公开了一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，包括炉体，所述炉体的底部固定连接有下固定圈，所述下固定圈的一侧固定连接有下盖板，所述下盖板的底部固定连接有密封盖，所述密封盖的一侧固定连接有位于炉体顶部的上固定圈；该气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，通过在炉体的内侧固定连接有放置圈，固定圈的底部卡接在放置圈顶部固定连接的卡条的侧部，使液体槽通过支撑杆与炉体的内部和底部分离，通过将产品从进料管倒入液体槽的内部，再通过将气体从进气管输送至炉体的内部，产品通过液体槽的侧部开设的出料口向外流出，通过气体向下沉淀，从而使气体与之间充分反应。从而使气体与之间充分反应。从而使气体与之间充分反应。

【技术实现步骤摘要】
一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉


[0001]本技术涉及气相外延
，具体为一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉。

技术介绍

[0002]在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产，一个含有硅原子的气体以适当的方式通过衬底，自反应剂分子释放出的原子在衬底上运动直到它们到达适当的位置，并成为生长源的一部分，在适当的条件下就得到单一的晶向，所得到的外延层精确地为单晶衬底的延续，它是在一定条件下，在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法，硅外延生长其意义是在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底相同晶向的电阻率与厚度不同的晶格结构完整性好的晶体。
[0003]现有的技术存在以下技术问题：
[0004]1、现有的气相外延炉，在使用的过程中，大多将产品倒入至炉体内部，再通过在密封的条件下，使用含有硅原子的气体以适当的方式与产品进行反应，但是气体只能笼罩在产品的表面，不具备穿透产品，从而使炉体内底部的产品无法进行反应。
[0005]2、现有的气相外延炉，无法保证气体能够均匀的对炉体内部的产品进行的反应，存在一定的缺陷。

技术实现思路

[0006](一)解决的技术问题
[0007]针对现有技术的不足，本技术提供了一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，具备可有效的使产品与气体充分反应以及气体能够均匀稳定的覆盖产品等优点，解决了气体笼罩产品的表面，不能够渗透至炉体内底部的产品，从而导致产品反应不充分以及其他没有均匀稳定的覆盖产品现有的问题。
[0008](二)技术方案
[0009]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，包括炉体，所述炉体的底部固定连接有下固定圈，所述下固定圈的一侧固定连接有下盖板，所述下盖板的底部固定连接有密封盖，所述密封盖的一侧固定连接有位于炉体顶部的上固定圈，所述上固定圈的顶部固定连接上盖板，所述上盖板的一侧固定连接有进气管，所述进气管的一侧固定连接有位于上盖板的顶部的密封圈，所述密封圈的内侧活动套接有进料管，所述进料管的侧部固定连接有卡接块，所述卡接块的一侧固定连接有位于进料管一端的固定内圈，所述固定内圈的一侧固定连接有盖板，所述盖板的内侧固定连接有液体槽，所述液体槽的侧部开设有出料口，所述出料口的一侧固定连接有位于液体槽侧部的支撑杆，所述支撑杆的一端固定连接有固定圈，所述固定圈的底部活动套接有放置圈，所述放置圈的顶部固定连接有卡条，所述卡条的一侧设有位于放置圈底端的沉淀
槽。
[0010]优选的，所述进料管的一端的侧部和液体槽顶部的侧部设有螺旋纹，所述固定内圈和盖板均设有螺旋纹，所述进料管的一端的侧部设有的螺旋纹固定连接在固定内圈的内侧，所述盖板的内侧设有的螺旋纹固定连接在液体槽的顶部的侧部。
[0011]优选的，所述进料管一端的侧部的相对应设有两个卡接块，所述上固定圈的侧部开设有凹槽，且卡接块的侧部可活动卡接在凹槽的内侧。
[0012]优选的，所述液体槽侧部的底端的四个相对应位置均固定连接在支撑杆的一端，所述支撑杆的另一端固定连接在固定圈顶部的四个方向，四个支撑杆的每两个中间均设有出料口，所述出料口的内侧固定连接有防护网。
[0013]优选的，所述固定圈的底部的内侧开设有凹槽，所述放置圈的顶部固定连接的卡条的侧部可活动套接在固定圈的底部开设的凹槽内侧，且放置圈的外侧焊接在炉体的内侧。
[0014]优选的，所述进气管的一端固定连接在上盖板的侧部，且进气管与炉体内部相连通。
[0015]与现有技术相比，本技术提供了一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，具备以下有益效果：
[0016]1、该气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，通过在炉体的内侧固定连接有放置圈，固定圈的底部卡接在放置圈顶部固定连接的卡条的侧部，使液体槽通过支撑杆与炉体的内部和底部分离，通过将产品从进料管倒入液体槽的内部，再通过将气体从进气管输送至炉体的内部，产品通过液体槽的侧部开设的出料口向外流出，通过气体向下沉淀，从而使气体与之间充分反应。
[0017]2、该气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，通过在炉体的内侧固定连接有放置圈，放置圈的顶部通过固定连接的卡条卡接在固定圈的底部，使顶部通过支撑杆一端固定连接的液体槽与炉内的底部分离，在产品从液体槽的内部流出后，流入到炉体的底部时，其他依然向下流动至炉体底部，从而再次使气体与产品进一步充分反应，使气体供给均匀。
附图说明
[0018]图1为本技术整体外部结构示意图；
[0019]图2为本技术整体内部结构示意图；
[0020]图3为本技术液体槽结构示意图；
[0021]图4为本技术进料管结构示意图。
[0022]其中：1、炉体；2、下固定圈；3、下盖板；4、密封盖；5、上固定圈； 6、上盖板；7、进气管；8、密封圈；9、进料管；10、卡接块；11、固定内圈；12、盖板；13、液体槽；14、出料口；15、支撑杆；16、固定圈；17、放置圈；18、卡条；19、沉淀槽。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下
所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]请参阅图1
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4，一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，包括炉体 1，炉体1的底部固定连接有下固定圈2，下固定圈2的一侧固定连接有下盖板3，下盖板3的底部固定连接有密封盖4，密封盖4的一侧固定连接有位于炉体1顶部的上固定圈5，上固定圈5的顶部固定连接上盖板6，上盖板6的一侧固定连接有进气管7，进气管7的一端固定连接在上盖板6的侧部，且进气管7与炉体1内部相连通，进气管7的一侧固定连接有位于上盖板6的顶部的密封圈8，密封圈8的内侧活动套接有进料管9，进料管9的侧部固定连接有卡接块10，进料管9一端的侧部的相对应设有两个卡接块10，密封圈8 的侧部开设有凹槽，且卡接块10的侧部可活动卡接在凹槽的内侧，卡接块10 的一侧固定连接有位于进料管9一端的固定内圈11，固定内圈11的一侧固定连接有盖板12，进料管9的一端的侧部和液体槽13顶部的侧部设有螺旋纹，固定内圈11和盖板12均设有螺旋纹，进料管9的一端的侧部设有的螺旋纹固定连接在固定内圈11的内侧，盖板12的内侧设有的螺旋纹固定连接在液体槽13的顶部的侧部，盖板12的内侧固定连接有液体槽13，液体槽13的侧部开设有出料口14，出料口14的一侧固定连接有位于液体槽13侧部的支撑杆15，液体槽13侧部的底端的四个相对应位置均固定连接在支撑杆15的一端，支撑杆15的另一端固定连接在固定圈1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，包括炉体(1)，其特征在于：所述炉体(1)的底部固定连接有下固定圈(2)，所述下固定圈(2)的一侧固定连接有下盖板(3)，所述下盖板(3)的底部固定连接有密封盖(4)，所述密封盖(4)的一侧固定连接有位于炉体(1)顶部的上固定圈(5)，所述上固定圈(5)的顶部固定连接上盖板(6)，所述上盖板(6)的一侧固定连接有进气管(7)，所述进气管(7)的一侧固定连接有位于上盖板(6)的顶部的密封圈(8)，所述密封圈(8)的内侧活动套接有进料管(9)，所述进料管(9)的侧部固定连接有卡接块(10)，所述卡接块(10)的一侧固定连接有位于进料管(9)一端的固定内圈(11)，所述固定内圈(11)的一侧固定连接有盖板(12)，所述盖板(12)的内侧固定连接有液体槽(13)，所述液体槽(13)的侧部开设有出料口(14)，所述出料口(14)的一侧固定连接有位于液体槽(13)侧部的支撑杆(15)，所述支撑杆(15)的一端固定连接有固定圈(16)，所述固定圈(16)的底部活动套接有放置圈(17)，所述放置圈(17)的顶部固定连接有卡条(18)，所述卡条(18)的一侧设有位于放置圈(17)底端的沉淀槽(19)。2.根据权利要求1所述的一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，其特征在于：所述进料管(9)的一端的侧部和液体槽(13)顶部的侧部设有螺...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐蓉，王敏，孙珏，
申请(专利权)人：无锡恒大电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：