粘合片、粘合片的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供即使利用能量射线聚合性成分来形成粘合剂层也会在临时固定时显示出适当的粘合力、并且加热剥离时的剥离性优异的粘合片、该粘合片的制造方法、以及使用该粘合片的半导体装置的制造方法。该粘合片具有基材(Y)、和含有能量射线聚合性成分的聚合物及热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)，其中，粘合剂层(X1)在23℃下的剪切储能模量G

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合片、粘合片的制造方法及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及粘合片、粘合片的制造方法及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]粘合片不仅可用于半永久性地固定构件的用途，还有时作为在对建材、内部装饰材料、电子部件等进行加工或检查时用于对成为加工、检查的对象的构件(以下，也称为“被粘附物”)进行临时固定的临时固定用片而使用。例如，在半导体装置的制造过程中，在对半导体晶片进行加工时已使用了临时固定用片。
[0003]在半导体装置的制造过程中，半导体晶片经过通过磨削而使厚度变薄的磨削工序、进行切断分离而进行单片化的单片化工序等而被加工成半导体芯片。此时，半导体晶片在被临时固定于临时固定用片的状态下被实施给定的加工。对于实施了给定的加工而得到的半导体芯片，在从临时固定用片分离之后，根据需要而被适当地实施扩大半导体芯片彼此的间隔的扩片工序、使扩大了间隔后的多个半导体芯片排列的再排列工序、使半导体芯片的表背面翻转的翻转工序等，然后被安装于基板。在上述各工序中也可以使用适于各自的用途的临时固定用片。
[0004]专利文献1中公开了在基材的至少一面设置有含有热膨胀性微小球的热膨胀性粘合层的在电子部件切断时用于临时固定的加热剥离型粘合片。在该文献中记载了下述内容：该加热剥离型粘合片在电子部件切断时相对于被粘附物可确保给定大小的接触面积，因此能够发挥出可防止芯片飞溅等粘接不良情况的粘接性，另一方面，在使用后进行加热使热膨胀性微小球膨胀时能够减少与被粘附物的接触面积，从而实现容易的剥离。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利第3594853号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]另一方面，将半导体芯片安装于基板时，已采用了将半导体芯片经由被称为芯片贴装膜(以下，也称为“DAF”)的具有热固性的膜状粘接剂而粘贴于基板的工序。
[0010]DAF被粘贴于半导体晶片或经过了单片化后的多个半导体芯片的一面，与半导体晶片的单片化同时或在粘贴于半导体芯片之后，被分割成与半导体芯片相同的形状。经单片化而得到的带DAF的半导体芯片被从DAF侧粘贴(芯片贴装)至基板，其后，通过使DAF热固化而使半导体芯片与基板粘固。此时，DAF需要在直到被粘贴至基板为止保持会通过感压或加热而粘接的性质。
[0011]专利文献1中公开的加热剥离型粘合片是通过使热膨胀性微小球膨胀而在粘合表面形成凹凸从而从被粘附物剥离的材料。该粘合片由于可以通过形成凹凸而使粘合剂层与半导体芯片的接触面积减少，因此，与通过照射能量射线使粘合剂层固化而使粘合力降低
的临时固定用片相比，具有以更小的力即可从被粘附物剥离的优点。
[0012]然而，在使带DAF的半导体芯片为加热剥离型粘合片的被粘附物的情况下，有时会由于使热膨胀性微小球膨胀时的加热而导致在芯片贴装前DAF的固化即进行，进而导致DAF相对于基板的粘接力降低。DAF的粘接力的降低会引起半导体芯片与基板的接合可靠性降低，因此需要加以抑制。
[0013]另一方面，为了抑制芯片贴装前的DAF的固化的进行，在为了实现低温下的加热剥离而使用膨胀起始温度低的材料作为加热剥离型粘合片的热膨胀性微小球时，在粘合片的制造过程中，有时会引发热膨胀性微小球发生预想外的膨胀等问题。其结果，有时会发生粘合力的降低、粘贴时的空气挤入(空气进入被粘附物与粘合片之间)等作为临时固定用片的性能受损的情况。
[0014]为了抑制粘合片的制造过程中的预想外的膨胀，尽可能省略粘合片的制造过程中的加热工序是有效的。作为其方法之一，可考虑在使用能量射线聚合性成分形成涂膜之后，照射能量射线而使能量射线聚合性成分聚合从而形成粘合剂层的方法。
[0015]聚合前的能量射线聚合性成分由于分子量低、容易调整粘度，因此在进行涂布时无需使用稀释剂等，可以省略在形成粘合剂层时的加热干燥工序。然而，在形成粘合剂层时使用能量射线聚合性成分的情况下，若想要在将被粘附物临时固定于粘合剂层时避免被粘附物的错位、向粘合剂层的过度沉入的发生，则在从被粘附物进行加热剥离时，会发生热膨胀性粒子无法顺利地膨胀、剥离性降低这样的问题。
[0016]本专利技术是鉴于上述问题点而完成的，目的在于提供即使利用能量射线聚合性成分来形成粘合剂层也会在临时固定时显示出适当的粘合力、并且加热剥离时的剥离性优异的粘合片、该粘合片的制造方法、以及使用该粘合片的半导体装置的制造方法。
[0017]解决问题的方法
[0018]本专利技术人等发现，利用具有基材、和含有能量射线聚合性成分的聚合物及热膨胀性粒子的粘合剂层、且粘合剂层的剪切储能模量G
’
被适当设定的粘合片，能够解决上述课题。
[0019]即，本专利技术涉及下述[1]～[15]。
[0020][1]一种粘合片，其具有：
[0021]基材(Y)、和
[0022]含有能量射线聚合性成分的聚合物及热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)，
[0023]其中，粘合剂层(X1)在23℃下的剪切储能模量G
’
(23)为1.0
×
104～5.0
×
107Pa。
[0024][2]上述[1]所述的粘合片，其中，除了不含有上述热膨胀性粒子以外与粘合剂层(X1)具有相同构成的非膨胀性粘合剂层(X1
’
)在上述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下的剪切储能模量G
’
(t)为5.0
×
103～1.0
×
107Pa。
[0025][3]上述[1]或[2]所述的粘合片，其中，粘合剂层(X1)在热膨胀前在23℃下的粘合力为0.1～12.0N/25mm。
[0026][4]上述[1]～[3]中任一项所述的粘合片，其中，粘合剂层(X1)被加热至上述热膨胀性粒子的膨胀起始温度以上时，粘合剂层(X1)中所含的80％以上个数的上述热膨胀性粒子发生膨胀。
[0027][5]上述[1]～[4]中任一项所述的粘合片，其中，上述热膨胀性粒子的膨胀起始温
度(t)为50～110℃。
[0028][6]上述[1]～[5]中任一项所述的粘合片，其具有：基材(Y)、设置于基材(Y)的一面侧的粘合剂层(X1)、以及设置于基材(Y)的另一面侧的粘合剂层(X2)。
[0029][7]上述[6]所述的粘合片，其中，粘合剂层(X2)是通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层。
[0030][8]一种粘合片的制造方法，其是制造上述[1]～[7]中任一项所述的粘合片的方法，其中，
[0031]形成粘合剂层(X1)的方法包括：对含有上述能量射线聚合性成分及上述热膨胀性粒子的聚合性组合物(x
‑
1)照射能量射线而形成上述能量射线聚合性成分的聚合物的工序。
[0032][9]上述[8]所述的粘合片的制造方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粘合片，其具有：基材(Y)、和含有能量射线聚合性成分的聚合物及热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)，其中，粘合剂层(X1)在23℃下的剪切储能模量G
’
(23)为1.0
×
104～5.0
×
107Pa。2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，除了不含有所述热膨胀性粒子以外与粘合剂层(X1)具有相同构成的非膨胀性粘合剂层(X1
’
)在所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下的剪切储能模量G
’
(t)为5.0
×
103～1.0
×
107Pa。3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，粘合剂层(X1)在热膨胀前在23℃下的粘合力为0.1～12.0N/25mm。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合片，其中，粘合剂层(X1)被加热至所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度以上时，粘合剂层(X1)中所含的80％以上个数的所述热膨胀性粒子发生膨胀。5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘合片，其中，所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)为50～110℃。6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘合片，其具有：基材(Y)、设置于基材(Y)的一面侧的粘合剂层(X1)、以及设置于基材(Y)的另一面侧的粘合剂层(X2)。7.根据权利要求6所述的粘合片，其中，粘合剂层(X2)是通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层。8.一种粘合片的制造方法，其是制造权利要求1～7中任一项所述的粘合片的方法，其中，形成粘合剂层(X1)的方法包括：对含有所述能量射线聚合性成分及所述热膨胀性粒子的聚合性组合物(x
‑
1)照射能量射线而形成所述能量射线聚合性成分的聚合物的工序。9.根据权利要求8所述的粘合片的制造方法，其中，所述形成粘合剂层(X1)的方法包括下述工序I及II，工序I：在基材(Y)的一面侧形成聚合性组合物层的工序，所述聚合性组合物层由所述聚合性组合物(x
‑
1)形成；工序II：通过对所述聚合性组合物层照射能量射线而形成所述能量射线聚合性成分的聚合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿久津高志，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：