一种耦合器制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种耦合器，包括基体、薄膜电阻、耦合主线和耦合副线，薄膜电阻设于基体上，耦合主线设于基体上，且耦合主线的一端引出形成第一耦合端口，相对端引出形成第二耦合端口；耦合副线设于基体上，并与耦合主线相耦合设置，耦合副线的一端引出形成第三耦合端口，相对端与薄膜电阻相电连接。本实用新型专利技术具有体积小、宽频带、高隔离等优点，可减少空间的占用。的占用。的占用。

【技术实现步骤摘要】
一种耦合器


[0001]本技术涉及耦合器
，尤其是涉及一种耦合器。

技术介绍

[0002]目前，为了随时监控复杂的射频系统的工作状态，通常采用的方式是在射频系统的最后出入口连接器上加装一四端口的耦合器，如图1所示，采用此种方式虽然能够监控射频系统的工作状态，但现有的耦合器，由于所采用的负载(即电阻)为满足一定的功率需求，其体积通常较大，从而导致耦合器的体积一般较大，不利于与连接器集成于一体，即使两者集成于一体，也使得集成后的耦合器的体积较大，占据较大的空间，增大射频系统的空间占用，另外，现有的耦合器通常频带窄、隔离度低，最终影响监测的准确性。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种耦合器，具有体积小、宽频带、高隔离的优点，便于与连接器集成于一体。
[0004]为实现上述目的，本技术提出如下技术方案：一种耦合器，所述耦合器包括
[0005]基体；
[0006]薄膜电阻，所述薄膜电阻设于所述基体上；
[0007]耦合主线，所述耦合主线设于所述基体上，且所述耦合主线的一端引出形成第一耦合端口，相对端引出形成第二耦合端口；
[0008]耦合副线，所述耦合副线设于所述基体上，并与所述耦合主线相耦合设置，所述耦合副线的一端引出形成第三耦合端口，相对端与所述薄膜电阻相电连接。
[0009]优选地，所述耦合器还包括
[0010]隔离线，所述隔离线设于所述耦合主线和耦合副线之间。
[0011]优选地，所述耦合主线、隔离线和耦合副线处于同一平面。
[0012]优选地，所述薄膜电阻与所述耦合主线、耦合副线及隔离线处于非同一平面。
[0013]优选地，所述耦合主线包括相连的第一副线和第二副线，所述第一副线为圆弧形带状线，所述第二副线为直线形带状线。
[0014]优选地，所述耦合副线为圆弧形带状线。
[0015]优选地，所述隔离线为圆弧形带状线。
[0016]本技术的有益效果是：
[0017]本技术所述的耦合器，通过在耦合主线和耦合副线之间设置隔离线，使得耦合器具有宽频带、高隔离的特性，同时，该耦合器通过设置薄膜电阻及耦合主线、耦合副线和隔离线采用圆弧形带状线设计，可有效减少耦合器的体积，使得耦合器具有极低的剖面，便于耦合器与连接器的集成。
附图说明
[0018]图1是现有技术中耦合器与连接器连接原理图；
[0019]图2是本技术一实施例所揭示的耦合器的立体示意图；
[0020]图3是图1中耦合器的爆炸示意图。
[0021]附图标记：10、基体，20、耦合主线，21、第一副线，22、第二副线，30、耦合副线，40、隔离线，50、薄膜电阻，a、第一耦合端口，b、第二耦合端口，c、第三耦合端口，d、接地端口。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。
[0023]本技术所揭示的一种耦合器，具有体积小、宽频带、高隔离等优点，可减少空间的占用，便于与连接器集成于一体。
[0024]结合图2～图3所示，为本技术一实施例所揭示的一种耦合器，包括基体10、耦合主线20、耦合副线30、隔离线40和薄膜电阻50(优选50欧姆)，耦合主线20、耦合副线30、隔离线40及薄膜电阻50均装配于基体10上，耦合主线20与耦合副线30相耦合设置，并且耦合主线20的一端向外引出作为耦合器的第一耦合端口a，另一端向外部引出作为耦合器的第二耦合端口b，耦合副线30的一端与薄膜电阻50相连，另一端向外部引出作为耦合器的第三耦合端口c，隔离线40设于耦合主线20和耦合副线30之间，并且隔离线40的一端向外部引出作为耦合器的一个接地端口d，相对端在耦合主线20和耦合副线30之间延伸设置。通过在耦合主线20和耦合副线30之间设置隔离线40，实现了耦合器的宽频带，高隔离，同时，通过设置薄膜电阻50，薄膜电阻50具有极低的剖面，可有效减小耦合器的尺寸，便于耦合器与耦合器主体10的集成，并且薄膜电阻50的大小可根据功率需求进行设置，而不影响整个耦合器的体积。
[0025]如图3所示，耦合主线20为圆弧形带状线，其一端通过金属引脚向外部引出作为耦合器的第一耦合端口a，另一端通过金属引脚向外部引出作为耦合器的第二耦合端口b，其包括第一副线21和第二副线22，其中，第一副线21的一端与第二副线22的一端相连，相对端通过金属引脚向外部引出作为耦合器的第一耦合端口a，第二副线22的另一端向外部引出作为耦合器的第二耦合端口b，第一副线21为圆弧形带状线，第二副线22为直线形带状线。耦合副线30也为带状线，其整体为圆弧形带状线，其一端与薄膜电阻50相连，相对端引出作为耦合器的第三耦合端口c。隔离线40为圆弧形带状线，其一端通过金属引脚向外部引出作为耦合器的接地端口d，另一端在耦合主线20与耦合副线30之间延伸。
[0026]进一步地，耦合主线20、耦合副线30与隔离线40处于同一平面设置，薄膜电阻50与耦合主线20、耦合副线30及隔离线40处于非同一平面设置，薄膜电阻50与耦合主线20、耦合副线30及隔离线40处于上、下层设置。通过采用带状线及上述结构设计，使得耦合器的整体剖面较低，便于与连接器的集成，使得集成耦合器的连接器不会明显增加体积。
[0027]进一步地，耦合主线20的第一副线21、耦合副线30及隔离线40的圆心相同，也即三者同心设置，并且由内向外依次设置耦合主线20的第一副线21、隔离线40和耦合副线30，当然，在其他实施例中，可根据实际需求设置相应位置。本实施时中，耦合器为宽频带定向耦合器，并且耦合器优选陶瓷耦合器，陶瓷耦合器为基于HICC工艺制作的多层氮化铝(AIN)基
板结构，通过四分之一波长带状线和耦合主线20与耦合副线30之间的隔离线40设计来实现宽频带定向耦合，其包括强耦合和弱耦合，其中，强耦合和弱耦合由隔离线40决定。
[0028]本技术所述的耦合器，通过在耦合主线20和耦合副线30之间设置隔离线40，使得耦合器具有宽频带、高隔离的特性，同时，该耦合器通过设置薄膜电阻50及耦合主线20、耦合副线30和隔离线40采用圆弧形带状线设计，可有效减少隔离器的体积，使得耦合器具有极低的剖面，便于耦合器与连接器的集成，使得两者集成后的体积与传统连接器相当，不明显增加连接器的体积。
[0029]本技术的
技术实现思路
及技术特征已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本技术的教示及揭示而作种种不背离本技术精神的替换及修饰，因此，本技术保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本技术的替换及修饰，并为本专利申请权利要求所涵盖。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耦合器，其特征在于，所述耦合器包括基体；薄膜电阻，所述薄膜电阻设于所述基体上；耦合主线，所述耦合主线设于所述基体上，且所述耦合主线的一端引出形成第一耦合端口，相对端引出形成第二耦合端口；耦合副线，所述耦合副线设于所述基体上，并与所述耦合主线相耦合设置，所述耦合副线的一端引出形成第三耦合端口，相对端与所述薄膜电阻相电连接。2.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述耦合器还包括隔离线，所述隔离线设于所述耦合主线和耦合副线之间。3.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞志华，李娇英，谢瑞华，
申请(专利权)人：增强信苏州通信设备有限公司，
类型：新型
国别省市：